Componentes genéricos de simulación

Updated: October 12, 2026

De un vistazo

Este artículo ofrece una visión práctica de la biblioteca de componentes genéricos de simulación en Altium Designer: dónde encontrarla en el panel Componentes, cómo controlar su visibilidad en Preferencias y cómo editar los parámetros de los componentes colocados mediante el panel Propiedades. También sirve como referencia de la amplia variedad de componentes disponibles listos para simulación, desde componentes pasivos y fuentes hasta interruptores, motores, puentes digitales y modelos de semiconductores, junto con los parámetros que utiliza cada uno para configurar la simulación. Si quieres comprender mejor qué componentes están disponibles y cómo se configuran en tu esquema, esta guía te resultará útil. Sigue leyendo y simplifica tu flujo de trabajo de simulación.

- Aprenderás dónde encontrar la biblioteca de componentes genéricos de simulación y cómo habilitarla u ocultarla en Altium Designer.
- Verás cómo se configuran los componentes genéricos de simulación después de colocarlos, incluido dónde editar sus parámetros en el panel Propiedades.
- Dispondrás de una referencia detallada de los componentes listos para simulación y de los parámetros utilizados para definir su comportamiento.

Profundiza con IA:

La biblioteca Simulation Generic Components está disponible en el panel Components y proporciona acceso a diversos componentes preparados para simulación, desde componentes pasivos RLC y semiconductores discretos hasta componentes digitales en distintos formatos.

Utilice la opción Enable Simulation Generic Components Library de la página Simulación – General del cuadro de diálogo Preferences para controlar la visibilidad de la biblioteca en el panel Components.
Consulte la página Verificación y preparación de un proyecto para simulación para obtener más información sobre las opciones disponibles para colocar componentes preparados para simulación en Altium Designer.

Al colocar un componente de la biblioteca Simulation Generic Components en sus esquemas, selecciónelo para acceder a sus propiedades mediante el panel Properties en su modo Simulation Generic Component. El panel incluye la sección Parameters, donde puede definir los valores de los parámetros del componente.

Seleccione un componente genérico de simulación colocado para definir sus parámetros mediante el panel Properties.

Componentes genéricos de simulación

Utilice las secciones siguientes para encontrar información sobre los parámetros de los componentes de la biblioteca Simulation Generic Components.

.IC (Condición inicial)

Nombre del parámetro	Descripción
Tensión inicial	Amplitud de la tensión del nodo (en voltios).

.NS (Estado inicial del nodo)

Nombre del parámetro	Descripción
Tensión inicial	Amplitud de la tensión del nodo (en voltios).

3 Phase Delta (Fuente de tensión trifásica en triángulo)

Nombre del parámetro	Descripción
FREQ	Frecuencia (en hercios).
V_RMS	Tensión eficaz (RMS) (en voltios).

3 Phase Wye (Fuente de tensión trifásica en estrella)

Nombre del parámetro	Descripción
FREQ	Frecuencia (en hercios).
V_RMS	Tensión eficaz (RMS) (en voltios).

3PDT (Conmutador de tres polos y dos posiciones)

Nombre del parámetro	Descripción
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, el conmutador cierra los circuitos en la posición superior. En caso contrario, el conmutador cierra los circuitos en la posición inferior.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

3PST (Interruptor de tres polos y una vía)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el interruptor cierra los circuitos. En caso contrario, el interruptor abre los circuitos.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

555 (Temporizador 555)

No hay parámetros

Fuente de corriente de CA

Nombre del parámetro	Descripción
Amp	Amplitud de pico de la sinusoide (en amperios).
DC	Corriente de desplazamiento de CC del generador de señales (en amperios).
Freq	Frecuencia de la corriente de salida sinusoidal (en hercios).
Phase	Desfase de la sinusoide en el instante cero (en grados).

Motor de CA

Nombre del parámetro	Descripción
J	Momento de inercia (en kg * m²).
K	Factor de acoplamiento.
LR	Inductancia de dispersión del rotor (en henrios).
LS	Inductancia de dispersión del estator (en henrios).
NP	Número de polos.
RR	Resistencia del rotor (en ohmios).
RS	Resistencia del estator (en ohmios).

Fuente de tensión de CA

Nombre del parámetro	Descripción
Amp	Amplitud de pico de la sinusoide (en voltios).
Cpar	Capacitancia en paralelo (en faradios).
DC	Tensión de desplazamiento de CC del generador de señales (en voltios).
Freq	Frecuencia de la tensión de salida sinusoidal (en hercios).
Phase	Desfase de la sinusoide en el instante cero (en grados).
Rser	Resistencia en serie (en ohmios).

AM (Fuente de tensión moduladora de amplitud)

Nombre del parámetro	Descripción
FC	Frecuencia de la portadora (en hercios).
KA	Sensibilidad de amplitud.
OFFSET	Desplazamiento de CC del generador de señales (en voltios).
VC	Amplitud de la portadora (en voltios).

AtoD (Puente analógico-digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
in_high_inst	Valor mínimo de la entrada analógica correspondiente a un 1 lógico (en voltios).
in_low_inst	Valor máximo de la entrada analógica correspondiente a un 0 lógico (en voltios).
rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).

Batería (Fuente de tensión constante)

Nombre del parámetro	Descripción
CPAR	Capacitancia en paralelo (en faradios).
Magnitud de CC	Valor de tensión de CC (en voltios).
RSER	Resistencia en serie (en ohmios).

BJT NPN 4 GP (Transistor bipolar NPN de 4 pines con modelo Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT NPN 4 MGP (Transistor bipolar NPN de 4 pines, versión modificada del modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT NPN 4 VBIC (Transistor bipolar NPN de 4 pines, modelo VBIC)

Consulte las secciones 8.2.2 VBIC Model y 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manual del usuario de Ngspice.

BJT NPN VBIC (Transistor bipolar NPN de 3 pines, modelo VBIC)

Consulte las secciones 8.2.2 VBIC Model y 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manual del usuario de Ngspice.

BJT NPN_GP (Transistor bipolar NPN de 3 pines, modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT NPN_MGP (Transistor bipolar NPN de 3 pines, versión modificada del modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP 4 GP (Transistor bipolar PNP de 4 pines, modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP 4 MGP (Transistor bipolar PNP de 4 pines, versión modificada del modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP 4 VBIC (Transistor bipolar PNP de 4 pines, modelo VBIC)

Consulte las secciones 8.2.2 VBIC Model y 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP GP (Transistor bipolar PNP de 3 pines, modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP MGP (Transistor bipolar PNP de 3 pines, versión modificada del modelo de Gummel-Poon)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

BJT PNP VBIC (Transistor bipolar PNP de 3 pines, modelo VBIC)

Consulte las secciones 8.2.2 VBIC Model y 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manual del usuario de Ngspice.

Puente rectificador (Puente rectificador de cuatro diodos)

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

Condensador

Nombre del parámetro	Descripción
CPAR	Capacitancia equivalente en paralelo (en faradios).
LSER	Inductancia equivalente en serie (en henrios).
RLSHUNT	Resistencia en paralelo con LSER (en ohmios).
RPAR	Resistencia equivalente en paralelo (en ohmios).
RSER	Resistencia equivalente en serie (en ohmios).
TEMP	Temperatura de funcionamiento del componente (en °C).
Valor	Valor de la capacitancia (en faradios).

Circuito equivalente de un condensador.

CCCS (Fuente de corriente controlada por corriente)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Ganancia de corriente.
Nombre de la fuente de tensión	Nombre de una fuente de tensión por la que circula la corriente de control.

CCCS_4pins (Fuente de corriente controlada por corriente)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Ganancia de corriente.

CCCS_Expr (Fuente de corriente controlada por corriente con una expresión arbitraria)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

CCCS_Poly (Fuente de corriente controlada por corriente con la función POLY de SPICE)

Nombre del parámetro	Descripción
Lista de coeficientes	Coeficientes del polinomio.
Orden	Número de dimensiones del polinomio. El número de fuentes de control debe ser igual al número de dimensiones.
Nombres de las fuentes de tensión	Fuentes de tensión de control. La variable de control es la corriente que circula por estas fuentes.

CCCS_Table (Fuente de corriente controlada por corriente con función de tabla)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que proporciona el valor de x, que se utiliza para generar el valor de y correspondiente según los pares de valores tabulados, mediante interpolación lineal.
Tabla	Pares de valores.

CCSW_Hysteresis (Interruptor controlado por corriente con histéresis)

Nombre del parámetro	Descripción
IH	Corriente de histéresis (en amperios).
Condición inicial	Estado inicial del interruptor: abierto (OFF) o cerrado (ON).
IT	Corriente umbral (en amperios).
ROFF	Resistencia en estado OFF (en ohmios).
RON	Resistencia en estado ON (en ohmios).

CCSW_Smooth_Trans (Interruptor controlado por corriente con transición suave)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado OFF (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado ON (en amperios).
ROFF	Resistencia en estado OFF (en ohmios).
RON	Resistencia en estado ON (en ohmios).

CCVS (Fuente de tensión controlada por corriente)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Transresistencia (en ohmios).
Nombre de la fuente de tensión	Nombre de una fuente de tensión por la que circula la corriente de control.

CCVS_4pins (Fuente de tensión controlada por corriente)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Transresistencia (en ohmios).

CCVS_Expr (Fuente de tensión controlada por corriente con una expresión arbitraria)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

CCVS_Poly (Fuente de tensión controlada por corriente con la función POLY de SPICE)

Nombre del parámetro	Descripción
Lista de coeficientes	Coeficientes del polinomio.
Orden	Número de dimensiones del polinomio. El número de fuentes de control debe ser igual al número de dimensiones.
Nombres de las fuentes de tensión	Fuentes de tensión de control. La variable de control es la corriente que circula por estas fuentes.

CCVS_Table (Fuente de tensión controlada por corriente con función de tabla)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que proporciona el valor de x, que se utiliza para generar el valor de y correspondiente según los pares de valores tabulados, mediante interpolación lineal.
Tabla	Pares de valores.

Comparador (Comparador ideal)

Nombre del parámetro	Descripción
VHIGH	Límite superior de salida (en voltios).
VHYS	Anchura de histéresis (en voltios).
VLOW	Límite inferior de salida (en voltios).

Inductores acoplados (Par de inductores acoplados)

Nombre del parámetro	Descripción
Coupling_Factor	Coeficiente de acoplamiento; debe ser mayor que 0 y menor o igual que 1.
L1	Inductancia del primer inductor discreto (en henrios).
L2	Inductancia del segundo inductor discreto (en henrios).

Cristal

Nombre del parámetro	Descripción
F0	Frecuencia nominal de salida del cristal (en hercios).
Q	Factor de calidad del modelo de circuito eléctrico equivalente del cristal.
R	Resistencia que presenta el cristal a la frecuencia de resonancia en serie (en ohmios).

Biestable D

Nombre del parámetro	Descripción
clk_delay_inst	Retardo desde clk (en segundos).
clk_load_inst	Valor de la carga de Clk (en faradios).
data_load_inst	Valor de la carga de datos (en faradios).
fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
reset_delay_inst	Retardo desde reset (en segundos).
reset_load_inst	Carga de reset (en faradios).
rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde set (en segundos).
set_load	Valor de la carga de set (en faradios).

Latch D (Latch D digital)

Nombre del parámetro	Descripción
data_delay_inst	Retardo desde la entrada de datos (en segundos).
data_load_inst	Carga de datos (en faradios).
enable_delay_inst	Retardo desde la entrada de habilitación (en segundos).
enable_load_inst	Valor de la carga de habilitación (en faradios).
fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
reset_delay_inst	Retardo desde RESET (en segundos).
reset_load_inst	Carga de reset (en faradios).
rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde SET (en segundos).
set_load_inst	Valor de la carga de set (en faradios).

Darlington BJT NPN (Transistor bipolar Darlington NPN)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

Darlington BJT PNP (Transistor bipolar Darlington PNP)

Consulte las secciones 8.2.1 Gummel-Poon Models y 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manual del usuario de Ngspice.

Fuente de corriente continua

Nombre del parámetro	Descripción
DC	Amplitud de la corriente de la fuente (en amperios).

Motor de corriente continua

Nombre del parámetro	Descripción
BM	Fricción viscosa (en N * m / (rad * s)).
JM	Momento de inercia (en kg * m²).
KE	Constante de fuerza contraelectromotriz (en V * s / rad).
KT	Constante de par (en N * m / A).
LA	Inductancia del inducido (en henrios).
RA	Resistencia del inducido (en ohmios).
TL	Par de carga (en N * m).

Línea de retardo

Nombre del parámetro	Descripción
DELAY	Tiempo de retardo (en segundos).

DIAC (tiristor DIAC)

Nombre del parámetro	Descripción
RS	Resistencia en serie (en ohmios).
VK	Tensión de ruptura (en voltios).

0 digital (generador de cero digital)

Nombre del parámetro	Descripción
adc_fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
adc_rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).

1 digital (generador de uno digital)

Nombre del parámetro	Descripción
adc_fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
adc_rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).

AND digital (puerta AND digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

Búfer digital (búferes digitales)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

Reloj digital

Nombre del parámetro	Descripción
adc_fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
adc_in_high_inst	Valor mínimo de la entrada analógica que corresponde a un 1 (en voltios).
adc_in_low_inst	Valor máximo de la entrada analógica que corresponde a un 0 (en voltios).
adc_rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).
period	Período (en segundos).
phase	Fase de la señal de pulsos (en grados).
pwidth	Ancho de pulso (en segundos).
tdelay	Tiempo de retardo (en segundos).
tfall	Tiempo de bajada (en segundos).
trise	Tiempo de subida (en segundos).
vhigh	Valor del pulso (en voltios).
vlow	Valor inicial (en voltios).

Inversor digital

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

NAND digital (puerta NAND digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

NOR digital (puerta NOR digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

NOT digital (puerta NOT digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

OR digital (puerta OR digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	Capacitancia de una o todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

XNOR digital (puerta XNOR digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	La capacitancia de una o de todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	El tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

XOR digital (puerta XOR digital)

Nombre del parámetro	Descripción
fall_delay_inst	El tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
input_load_inst	La capacitancia de una o de todas las entradas digitales (en faradios).
rise_delay_inst	El tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).

Diodo

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

Relé DPDT (relé de doble polo y doble tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado desactivado (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado activado (en amperios).
L_C	Inductancia de la bobina (en henrios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).
R_C	Resistencia de la bobina (en ohmios).

Interruptor DPDT (interruptor de doble polo y doble tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, el interruptor cierra los circuitos en la posición superior. De lo contrario, el interruptor cierra los circuitos en la posición inferior.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Pulsador DPST (pulsador de doble polo y un solo tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el pulsador cierra los circuitos. De lo contrario, el pulsador abre los circuitos.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Relé DPST (relé de doble polo y un solo tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado desactivado (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado activado (en amperios).
L_C	Inductancia de la bobina (en henrios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).
R_C	Resistencia de la bobina (en ohmios).

Interruptor DPST (interruptor de doble polo y un solo tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el interruptor cierra los circuitos. De lo contrario, el interruptor abre los circuitos.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

DtoA (puente DtoA)

Nombre del parámetro	Descripción
input_load_inst	Carga de entrada (en faradios).
out_high_inst	Salida analógica correspondiente al valor 1 (en voltios).
out_low_inst	Salida analógica correspondiente al valor 0 (en voltios).
out_undef_inst	Salida analógica correspondiente a un valor indefinido (en voltios).
t_fall_inst	Tiempo de bajada de 1 a 0 (en segundos).
t_rise_inst	Tiempo de subida de 0 a 1 (en segundos).

Diodo doble

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

FSK (modulador por desplazamiento de frecuencia)

Nombre del parámetro	Descripción
NC0	Número de ciclos de la forma de onda de salida que se producirán durante un único bit de valor cero de la forma de onda de entrada.
NC1	Número de ciclos de la forma de onda de salida que se producirán durante un único bit de valor uno de la forma de onda de entrada.
TB	Duración de un único bit (en segundos).
WMAG	Magnitud de la forma de onda de salida (en voltios).

Fuente de corriente de función (fuente de corriente funcional)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

Fuente de tensión funcional

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

Fusible

Nombre del parámetro	Descripción
CURRENT	Corriente del fusible (en amperios).
RESISTANCE	Resistencia interna (en ohmios).

Girador

Nombre del parámetro	Descripción
G	Conductancia de giro (en mhos).

Inductor

Nombre del parámetro	Descripción
CPAR	Capacitancia equivalente en paralelo (en faradios).
DTEMP	Diferencia de temperatura de funcionamiento del componente (en °C).
Corriente inicial	Corriente que circula por el inductor en el instante cero (en amperios).
M	Número de unidades en paralelo.
RPAR	Resistencia equivalente en paralelo (en ohmios).
RSER	Resistencia equivalente en serie (en ohmios).
TC1	Coeficiente de temperatura de primer orden.
TC2	Coeficiente de temperatura de segundo orden.
TEMP	Temperatura de funcionamiento del componente (en °C).
Valor	Valor de la inductancia (en henrios).

Tenga en cuenta que el parámetro T_REL_LOCAL no se utiliza en este componente.

El circuito equivalente de un inductor.

ISRC (Fuente de corriente)

Consulte Verificación y preparación de un proyecto para la simulación – Adición y configuración de una fuente de simulación.

JFET N-ch Level1 (Transistor de efecto de campo de puerta de unión de canal N, nivel 1)

Consulte la sección 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manual del usuario de Ngspice.

JFET N-ch Level2 (Transistor de efecto de campo de puerta de unión de canal N, nivel 2)

Consulte la sección 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manual del usuario de Ngspice.

JFET P-ch Level1 (Transistor de efecto de campo de puerta de unión de canal P, nivel 1)

Consulte la sección 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manual del usuario de Ngspice.

JFET P-ch Level2 (Transistor de efecto de campo de puerta de unión de canal P, nivel 2)

Consulte la sección 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manual del usuario de Ngspice.

Biestable JK

Nombre del parámetro	Descripción
clk_delay_inst	Retardo desde clk (en segundos).
Valor de la carga de clk (en faradios).
fall_delay_inst	Retardo de bajada (en segundos).
jk_load_inst	Valores de carga de J y K (en faradios).
reset_delay_inst	Retardo desde reset (en segundos).
reset_load_inst	Carga de reset (en faradios).
rise_delay_inst	Retardo de subida (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde set (en segundos).
set_load_inst	Valor de la carga de set (en faradios).

LED (Diodo emisor de luz)

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

Regulador de tensión lineal (ajustable) (Regulador de tensión positiva ajustable)

No hay parámetros

Regulador de tensión lineal (fijo) (Regulador de tensión positiva fija)

Nombre del parámetro	Descripción
Av_feedback	Av*Factor de realimentación (Av_feedback = 1665 para Vout = 5V (predeterminado); Av_feedback = 694 para Vout = 12V; Av_feedback = 550 para Vout = 15V).
R1_Value	Valor de R1 (en ohmios) (R1_Value = 1020 para Vout = 5V (predeterminado); R1_Value = 2448 para Vout = 12V; R1_Value = 3060 para Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (MOSFET de canal N, modelo MOS1 de Shichman y Hodges)

Consulte las secciones 11.2.1 MOS Level 1 y 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (MOSFET de canal N, modelo MOS2 de Grove-Frohman)

Consulte las secciones 11.2.2 MOS Level 2 y 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (MOSFET de canal N, modelo MOS3)

Consulte las secciones 11.2.3 MOS Level 3 y 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (MOSFET de canal N, modelo BSIM1)

Consulte las secciones 11.2.8 BSIM1 model (level 4) y 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (MOSFET de canal N, modelo BSIM2)

Consulte las secciones 11.2.9 BSIM2 model (level 5) y 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (MOSFET de canal N, modelo MOS6)

Consulte las secciones 11.2.4 MOS Level 6 y 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (MOSFET de canal N, modelo BSIM3v0 v3.0)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (MOSFET de canal N, modelo BSIM3v1 v3.1)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (MOSFET de canal N, modelo BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (Modelo BSIM3v3 v3.3.0 de MOSFET de canal N)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (Modelo MOS9 de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (Modelo BSIM4SOI v4.3.1 de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (Modelo BSIM4v5 v4.0 - 4.5 de MOSFET de canal N)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (Modelo BSIM4v6 v4.6.5 de MOSFET de canal N)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (Modelo BSIM4v7 v4.7.0 de MOSFET de canal N)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (Modelo BSIM4v7 v4.7.0 de MOSFET de canal N)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (Modelo BSIM3SOI_FD de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (Modelo BSIM3SOI_DD de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (Modelo BSIM3SOI_PD de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (Modelo HISIM2 v2.8.0 de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (Modelo HISIM_HV1 v1.2.4 de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (Modelo HISIM_HV2 v2.2.0 de MOSFET de canal N)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (Modelo VDMOS de MOSFET de potencia de canal N)

Consulte la sección 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (Modelo Shichman y Hodges de MOSFET MOS1 de canal P)

Consulte las secciones 11.2.1 MOS Level 1 y 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (Modelo Grove-Frohman de MOSFET MOS2 de canal P)

Consulte las secciones 11.2.2 MOS Level 2 y 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (Modelo MOS3 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.3 MOS Level 3 y 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (Modelo BSIM1 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.8 BSIM1 model (level 4) y 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (Modelo BSIM2 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.9 BSIM2 model (level 5) y 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (Modelo MOS6 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.4 MOS Level 6 y 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (Modelo BSIM3v0 v3.0 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (Modelo BSIM3v1 v3.1 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (Modelo BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (Modelo BSIM3v3 v3.3.0 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) y 31.6.8 BSIM3 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (Modelo MOS9 de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (Modelo BSIM4SOI v4.3.1 de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (Modelo BSIM4v5 v4.0 - 4.5 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (Modelo BSIM4v6 v4.6.5 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (Modelo BSIM4v7 v4.7.0 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (Modelo BSIM4v8 v4.8.1 de MOSFET de canal P)

Consulte las secciones 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) y 31.6.9 BSIM4 del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (Modelo BSIM3SOI_FD de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (Modelo BSIM3SOI_DD de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (Modelo BSIM3SOI_PD de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (Modelo HISIM2 de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (Modelo HISIM_HV1 v1.2.4 de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (Modelo HISIM_HV2 v2.2.0 de MOSFET de canal P)

Consulte la sección 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manual del usuario de Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (Modelo VDMOS de MOSFET de potencia de canal P)

Consulte la sección 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manual del usuario de Ngspice.

Inductancia mutua (Inductancia mutua con lista de inductores)

Nombre del parámetro	Descripción
Factor de acoplamiento	Coeficiente de acoplamiento.
Lista de inductores	Nombres de los inductores acoplados.

OpAmp (Amplificador operacional ideal)

Nombre del parámetro	Descripción
GAIN	Ganancia de tensión.

OpAmp con terminales de alimentación (Amplificador operacional ideal)

Nombre del parámetro	Descripción
GAIN	Ganancia de tensión.

Pentodo

Nombre del parámetro	Descripción
CCG	Capacitancia de entrada (entre la rejilla 1 y el cátodo), en faradios.
CCP	Capacitancia de salida (entre la placa y el cátodo), en faradios.
CPG1	Capacitancia Miller (entre la rejilla 1 y la placa), en faradios.
EX	Exponente.
KG1	Parámetro inversamente proporcional a la corriente total de placa.
KG2	Inverso de la sensibilidad de la corriente de la rejilla pantalla.
KP	Parámetro que afecta a las corrientes de placa para tensiones de placa elevadas y tensiones de rejilla muy negativas.
KVB	Parámetros del codo (en voltios).
MU	Factor de amplificación.
RGI	Resistencia entre la rejilla y el cátodo (en ohmios).
VCT	Potencial de contacto (en voltios).

Fotodiodo

Nombre del parámetro	Descripción
BV	Tensión de ruptura inversa (en voltios).
CJO	Capacitancia de la unión sin polarización (en faradios).
IS	Corriente de saturación (en amperios)
N	Coeficiente de emisión.
RESP	Sensibilidad (en amperios/vatio).
Rint	Resistencia interna (en ohmios).

Controlador PID

Nombre del parámetro	Descripción
KD	Valor del factor de escala derivativo.
KI	Valor del factor de escala integral.
KP	Valor del factor de escala proporcional.

Potenciómetro

Nombre del parámetro	Descripción
position	La posición del cursor a lo largo de la pista resistiva. El valor puede oscilar entre 0 (extremo izquierdo/en sentido antihorario) y 1 (extremo derecho/en sentido horario), siendo 0,5 el punto medio, con la misma resistencia a ambos lados.
value	Valor máximo de resistencia (en ohmios).

PSK (modulador por desplazamiento de fase)

Nombre del parámetro	Descripción
NC	Número de ciclos de la forma de onda de salida que se producirán durante un bit de la forma de onda de entrada.
TB	Duración de un solo bit (en segundos).
WMAG	Magnitud de la forma de onda de salida (en voltios).

PSPICE AND (puerta lógica AND de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE AND3 (puerta lógica AND de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE BUF (búfer digital de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE BUF3 (búfer digital de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE INV (inversor digital de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE INV3 (inversor digital de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NAND (puerta lógica NAND de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NAND3 (puerta lógica NAND de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NOR (puerta lógica NOR de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NOR3 (puerta lógica NOR de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NXOR (puerta lógica NXOR de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel de modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que el simulador debe utilizar para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE NXOR3 (puerta lógica NXOR de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE OR (puerta lógica OR de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE OR3 (puerta lógica OR de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE STIM (generador de estímulos digitales de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

signal

Pares de tiempo y valor. El primer número de cada par especifica el tiempo (en segundos) para el nuevo valor (0, 1, X o Z).

PSPICE XOR (puerta lógica XOR de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

PSPICE XOR3 (puerta lógica XOR de tres estados de PSPICE)

Nombre del parámetro

Descripción

IO_LEVEL

Define qué nivel del modelo de subcircuito de interfaz debe utilizar el simulador para un componente digital conectado a un componente analógico:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = AtoD1 y DtoA1
2 = AtoD2 y DtoA2
3 = AtoD3 y DtoA3
4 = AtoD4 y DtoA4

MNTYMXDLY

Define el nivel de retardo de propagación digital que debe utilizar el simulador para un componente digital:

0 = valor predeterminado para todo el circuito
1 = mínimo
2 = típico
3 = máximo
4 = peor caso (mín./máx.)

Pulsador NC (pulsador normalmente cerrado)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el pulsador cierra el circuito. De lo contrario, el pulsador abre el circuito.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Pulsador NO (pulsador normalmente abierto)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el pulsador cierra el circuito. De lo contrario, el pulsador abre el circuito.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

PUT (tiristor PUT)

Nombre del parámetro	Descripción
DVDT	Velocidad crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo (en voltios/segundo).
IGT	Corriente de disparo de puerta (en amperios).
IH	Corriente de mantenimiento de CC (en amperios).
K1	Factor de ajuste para DVDT.
K2	Factor de ajuste para TQ.
TON	Tiempo de encendido (en segundos).
TQ	Tiempo de apagado (en segundos).
VDRM	Tensión de pico repetitiva máxima en estado de bloqueo (en voltios).
VTMIN	Tensión mínima entre ánodo y cátodo en estado de conducción (en voltios).

PWM (generador de modulación por ancho de pulso)

Nombre del parámetro	Descripción
MODFREQ	Frecuencia de la forma de onda moduladora (en hercios).
MODHIGH	Valor de tensión alto de la forma de onda moduladora (en voltios).
MODLOW	Valor de tensión bajo de la forma de onda moduladora (en voltios).
PWMHIGH	Valor de tensión alto de la salida PWM (en voltios).
PWMLOW	Valor de tensión bajo de la salida PWM (en voltios).

Generador PWM (generador de modulación por ancho de pulso)

Nombre del parámetro	Descripción
MODFREQ	Frecuencia de la forma de onda moduladora (en hercios).
MODHIGH	Valor de tensión alto de la forma de onda moduladora (en voltios).
MODLOW	Valor de tensión bajo de la forma de onda moduladora (en voltios).
PWMHIGH	Valor de tensión alto de la salida PWM (en voltios).
PWMLOW	Valor de tensión bajo de la salida PWM (en voltios).

QAM (generador de modulación de amplitud en cuadratura)

Nombre del parámetro	Descripción
F0	Frecuencia de la portadora (en hercios).

Resistencia

Nombre del parámetro	Descripción
DTEMP	Diferencia de temperatura de funcionamiento del componente (en °C).
TC	Lista de coeficientes polinómicos separados por comas que definen la dependencia de la resistencia con respecto a la temperatura. Por ejemplo, cuando se especifican cuatro coeficientes polinómicos (`a, b, c, d`), la resistencia `R` será: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, donde `R0` es la resistencia a la temperatura nominal y `dt` es la diferencia entre la temperatura de la resistencia y la temperatura nominal. Tenga en cuenta que, cuando se definen, los parámetros `TC1` y `TC2` tienen prioridad sobre el parámetro `TC`. Para utilizar el parámetro `TC`, borre los valores de `TC1` y `TC2`.
TC1	Coeficiente de temperatura de primer orden.
TC2	Coeficiente de temperatura de segundo orden.
TEMP	Temperatura de funcionamiento del componente (en °C).
Valor	Valor de la resistencia (en ohmios).

Tenga en cuenta que el parámetro T_REL_LOCAL no se utiliza en este componente.

Resonador

Nombre del parámetro	Descripción
F0	Frecuencia central (en hercios).
Lin	Valor de la inductancia (en henrios).
Q0	Factor de calidad.

SCR (tiristor SCR)

Nombre del parámetro	Descripción
DVDT	Velocidad crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo (en voltios/segundo).
IGT	Corriente de disparo de puerta (en amperios).
IH	Corriente de mantenimiento de CC (en amperios).
K1	Factor de ajuste para DVDT.
K2	Factor de ajuste para TQ.
TON	Tiempo de encendido (en segundos).
TQ	Tiempo de apagado (en segundos).
VDRM	Tensión de pico repetitiva máxima en estado de bloqueo (en voltios).
VTMIN	Tensión mínima entre ánodo y cátodo en estado de conducción (en voltios).

Diodo Schottky

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

Circuito amortiguador

Nombre del parámetro	Descripción
CSNUB	Valor de la capacitancia en paralelo (en faradios).
RSNUB	Valor de la resistencia en paralelo (en ohmios).

Sparkgap (explosor)

Nombre del parámetro	Descripción
CARC	Capacitancia del arco (en faradios).
CPAR	Capacitancia entre electrodos (en faradios).
ISUS	Corriente de mantenimiento por debajo de la cual se extingue el arco (en amperios).
LPL	Inductancia de los terminales (en henrios).
RNEG	Resistencia negativa una vez iniciado el arco (en ohmios).
RPL	Pérdida de flujo asociada a LPL (en ohmios).
VARC	Tensión entre los electrodos del explosor una vez iniciado el arco (en voltios).
VTHRES	Tensión a la que se inicia el arco en el explosor (en voltios).

Relé SPDT (relé unipolar de doble tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado desactivado (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado activado (en amperios).
L_C	Inductancia de la bobina (en henrios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).
R_C	Resistencia de la bobina (en ohmios).

Conmutador SPDT (conmutador unipolar de doble tiro)

Nombre del parámetro	Descripción
nodeUP_closed	Si nodeUP_closed > 0, el conmutador cierra el circuito en la posición superior. De lo contrario, el conmutador cierra el circuito en la posición inferior.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Relé SPST NC (relé unipolar de una vía normalmente cerrado)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado desactivado (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado activado (en amperios).
L_C	Inductancia de la bobina (en henrios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).
R_C	Resistencia de la bobina (en ohmios).

Relé SPST NO (relé unipolar de una vía normalmente abierto)

Nombre del parámetro	Descripción
IOFF	Corriente de control para el estado desactivado (en amperios).
ION	Corriente de control para el estado activado (en amperios).
L_C	Inductancia de la bobina (en henrios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).
R_C	Resistencia de la bobina (en ohmios).

Interruptor SPST (interruptor unipolar de una vía)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el interruptor cierra el circuito. De lo contrario, el interruptor abre el circuito.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Biestable SR

Nombre del parámetro	Descripción
clk_delay_inst	Retardo desde la señal clk (en segundos).
clk_load_inst	Valor de la carga de la entrada clk (en faradios).
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno del modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
reset_delay_inst	Retardo desde la señal reset (en segundos).
reset_load_inst	Carga de la entrada reset (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno del modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde la señal set (en segundos).
set_load_inst	Valor de la carga de la entrada set (en faradios).
sr_load_inst	Cargas de las entradas set/reset (en faradios).

Latch SR (latch SR digital)

Nombre del parámetro	Descripción
enable_delay_inst	Retardo desde la señal de habilitación (en segundos).
enable_load_inst	Valor de la carga de la entrada de habilitación (en faradios).
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno del modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
reset_delay_inst	Retardo desde la señal RESET (en segundos).
reset_load_inst	Carga de la entrada reset (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno del modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde la señal SET (en segundos).
set_load_inst	Valor de la carga de la entrada set (en faradios).
sr_delay_inst	Retardo desde un cambio en la entrada s o r (en segundos).
sr_load_inst	Cargas de las entradas s y r (en faradios).

Motor paso a paso

Nombre del parámetro	Descripción
HARDNESS	Factor adimensional que establece la rigidez del tope.
JLOAD	Inercia rotacional del eje del motor (en kg * m²).
JMOTOR	Inercia rotacional de la carga del motor (en kg * m²).
K	Constante del motor (en V * s / rad).
KD	Par de amortiguamiento (en N * m / (rad * s)).
LIMIT	Posición del tope mecánico (en radianes).
LS	Inductancia de la bobina del estator (en henrios).
RS	Resistencia de la bobina del estator (en ohmios).
STEP_ANGLE	Amplitud angular de un paso completo (en grados).
TD	Par de retención (en N * m).
TLOAD	Par de carga (en N * m).

Supresor doble

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

Supresor simple

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

SW NC (interruptor normalmente cerrado)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el interruptor cierra el circuito. De lo contrario, el interruptor abre el circuito.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

SW NO (interruptor normalmente abierto)

Nombre del parámetro	Descripción
closed	Si closed > 0, el interruptor cierra el circuito. De lo contrario, el interruptor abre el circuito.
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).

Condensador conmutado

Nombre del parámetro	Descripción
CVALUE	Valor de la capacitancia (en faradios).
FSAMPLE	Frecuencia de conmutación (en hercios).
ROFF	Resistencia en estado desactivado (en ohmios).
RON	Resistencia en estado activado (en ohmios).

Biestable T (biestable T digital)

Nombre del parámetro	Descripción
clk_delay_inst	Retardo desde clk (en segundos).
clk_load_inst	Valor de la carga de clk (en faradios).
fall_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a cero digital (en segundos).
reset_delay_inst	Retardo desde reset (en segundos).
reset_load_inst	Carga de reset (en faradios).
rise_delay_inst	Tiempo de retardo entre un cambio en el estado interno de un modelo, provocado por sus entradas, y un cambio de la salida a uno digital (en segundos).
set_delay_inst	Retardo desde set (en segundos).
set_load_inst	Valor de la carga de set (en faradios).
t_load_inst	Valor de la carga de conmutación (en faradios).

Tetrodo

Nombre del parámetro	Descripción
CCG	Capacitancia de entrada (de la rejilla 1 al cátodo) (en faradios).
CCP	Capacitancia de salida (de la placa al cátodo) (en faradios).
CPG1	Capacitancia Miller (de la rejilla 1 a la placa) (en faradios).
EX	Exponente.
KG1	Parámetro inversamente proporcional a la corriente total de placa.
KG2	Inversa de la sensibilidad de la corriente de la rejilla pantalla.
KP	Parámetro que afecta a las corrientes de placa para tensiones de placa elevadas y tensiones de rejilla muy negativas.
KVB	Parámetros del punto de inflexión (en voltios).
MU	Factor de amplificación.
RGI	Resistencia entre rejilla y cátodo (en ohmios).

Interruptor controlado por tiempo

Nombre del parámetro	Descripción
Rclosed	Resistencia en estado cerrado (en ohmios).
Ropen	Resistencia en estado abierto (en ohmios).
tSwitch	Instante en el que el interruptor comienza a conmutar (en segundos).
ttran	Tiempo necesario para cambiar de estado (en segundos). Este valor debe ser realista, no 0.

Línea de transmisión sin pérdidas

Nombre del parámetro	Descripción
Impedancia caract.	Impedancia característica (en ohmios).
Frecuencia	Frecuencia (en hercios).
Corriente inicial 1	Corriente en el instante cero en el puerto 1 de la línea de transmisión (en amperios).
Corriente inicial 2	Corriente en el instante cero en el puerto 2 de la línea de transmisión (en amperios).
Tensión inicial 1	Tensión en el instante cero en el puerto 1 de la línea de transmisión (en voltios).
Tensión inicial 2	Tensión en el instante cero en el puerto 2 de la línea de transmisión (en voltios).
Longitud normalizada	Longitud eléctrica normalizada de la línea de transmisión con respecto a la longitud de onda en la línea, a la frecuencia especificada.
Retardo de transmisión	Retardo de transmisión (en segundos).

Transformador ideal

Nombre del parámetro	Descripción
GAIN	Ganancia de tensión.

Transformador de banda ancha

Nombre del parámetro	Descripción
FH	Frecuencia de corte superior (en hercios).
FL	Frecuencia de corte inferior (en hercios).
N	Número de espiras.
RS	Resistencia en serie del primario (en ohmios).

Transformador ideal con toma central

Nombre del parámetro	Descripción
L1	Inductancia del primario (en henrios).
L2	Inductancia del secundario 1 (en henrios).
L3	Inductancia del secundario 2 (en henrios).

TRIAC (tiristor TRIAC)

Nombre del parámetro	Descripción
DVDT	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo (en voltios/segundo).
IGT	Corriente de disparo de puerta (en amperios).
IH	Corriente de mantenimiento de CC (en amperios).
K1	Factor de ajuste para DVDT.
K2	Factor de ajuste para TQ.
TON	Tiempo de encendido (en segundos).
TQ	Tiempo de apagado (en segundos).
VDRM	Tensión de pico repetitiva máxima en estado de bloqueo (en voltios).
VTMIN	Tensión mínima entre ánodo y cátodo en estado de conducción (en voltios).

Triodo

Nombre del parámetro	Descripción
CGC	Capacitancia entre rejilla y cátodo (en faradios).
CGP	Capacitancia entre rejilla y placa (en faradios).
CPC	Capacitancia entre placa y cátodo (en faradios).
K	Constante k de la válvula.
MU	Constante mu de la válvula.

Varactor

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

VCCS (fuente de corriente controlada por tensión)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Transconductancia (en mhos).

VCCS_Expr (fuente de corriente controlada por tensión con una expresión arbitraria)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

VCCS_Poly (fuente de corriente controlada por tensión con la función POLY de SPICE)

Nombre del parámetro	Descripción
Lista de coeficientes	Coeficientes polinómicos.
Nombres de nodos	Conjunto de tensiones de control.
Orden	El número de dimensiones del polinomio. El número de pares de nodos de control debe ser igual al número de dimensiones.

VCCS_Table (Fuente de corriente controlada por tensión con función de tabla)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que proporciona el valor de x, que se utiliza para generar el valor de y correspondiente a partir de los pares de valores tabulados, mediante interpolación lineal.
Tabla	Pares de valores.

VCO (Oscilador controlado por tensión)

Nombre del parámetro	Descripción
F0	Frecuencia central (en hercios).
KF	Sensibilidad (en Hz/V).
VP	Amplitud (en voltios).

VCO Square (Oscilador de onda cuadrada controlado por tensión)

Nombre del parámetro	Descripción
F0	Frecuencia central (en hercios).
KF	Sensibilidad (en Hz/V).
VH	Valor de pico del nivel alto de salida (en voltios).
VL	Valor de pico del nivel bajo de salida (en voltios).

VCSW_Hysteresis (Interruptor controlado por tensión con histéresis)

Nombre del parámetro	Descripción
Condición inicial	El estado inicial del interruptor, abierto (OFF) o cerrado (ON).
ROFF	Resistencia en estado OFF (en ohmios).
RON	Resistencia en estado ON (en ohmios).
VH	Tensión de histéresis (en voltios).
VT	Tensión umbral (en voltios).

VCSW_Smooth_Trans (Interruptor controlado por tensión con transición suave)

Nombre del parámetro	Descripción
ROFF	Resistencia en estado OFF (en ohmios).
RON	Resistencia en estado ON (en ohmios).
VOFF	Tensión de control para el estado OFF (en voltios).
VON	Tensión de control para el estado ON (en voltios).

VCVS (Fuente de tensión controlada por tensión)

Nombre del parámetro	Descripción
Ganancia	Ganancia de tensión.

VCVS_Expr (Fuente de tensión controlada por tensión con una expresión arbitraria)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que define la forma de onda de la fuente.

VCVS_Poly (Fuente de tensión controlada por tensión con función POLY de SPICE)

Nombre del parámetro	Descripción
Lista de coeficientes	Coeficientes del polinomio.
Nombres de nodos	Conjunto de tensiones de control.
Orden	El número de dimensiones del polinomio. El número de pares de nodos de control debe ser igual al número de dimensiones.

VCVS_Table (Fuente de tensión controlada por tensión con función de tabla)

Nombre del parámetro	Descripción
Expresión	Expresión que proporciona el valor de x, que se utiliza para generar el valor de y correspondiente a partir de los pares de valores tabulados, mediante interpolación lineal.
Tabla	Pares de valores.

Diferencia de tensión

No hay parámetros

Multiplicador de tensión

No hay parámetros

Suma de tensiones (Sumador de tensión)

No hay parámetros

VSRC (Fuente de tensión)

Consulte Verificación y preparación de un proyecto para la simulación – Adición y configuración de una fuente de simulación.

Diodo Zener

Consulte la sección 7.1 Junction Diodes del Manual del usuario de Ngspice.

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