Componenti generici di simulazione

.IC (Initial Condition)

Nome parametro	Descrizione
Tensione iniziale	Ampiezza della tensione del nodo (in Volt).

.NS (Node Set)

Nome parametro	Descrizione
Tensione iniziale	Ampiezza della tensione del nodo (in Volt).

3 Phase Delta (3-Phase Delta Voltage Source)

Nome parametro	Descrizione
FREQ	Frequenza (in Hertz).
V_RMS	Valore efficace (RMS) della tensione (in Volt).

3 Phase Wye (3-Phase Wye Voltage Source)

Nome parametro	Descrizione
FREQ	Frequenza (in Hertz).
V_RMS	Valore efficace (RMS) della tensione (in Volt).

3PDT (Triple-Pole, Double-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
nodesUP_closed	Se nodesUP_closed > 0, l’interruttore chiude i circuiti nella posizione Up. In caso contrario, l’interruttore chiude i circuiti nella posizione Down.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

3PST (Triple-Pole, Single-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l’interruttore chiude i circuiti. In caso contrario, l’interruttore apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

555 (Timer 555)

Nessun parametro presente

AC Current Source

Nome parametro	Descrizione
Amp	Ampiezza di picco della sinusoide (in Ampere).
DC	Corrente di offset DC del generatore di segnale (in Ampere).
Freq	Frequenza della corrente di uscita sinusoidale (in Hertz).
Phase	Sfasamento della sinusoide al tempo zero (in gradi).

AC Motor

Nome parametro	Descrizione
J	Momento d’inerzia (in kg * m²).
K	Fattore di accoppiamento.
LR	Induttanza di dispersione del rotore (in Henry).
LS	Induttanza di dispersione dello statore (in Henry).
NP	Numero di poli.
RR	Resistenza del rotore (in Ohm).
RS	Resistenza dello statore (in Ohm).

AC Voltage Source

Nome parametro	Descrizione
Amp	Ampiezza di picco della sinusoide (in Volt).
Cpar	Capacità in parallelo (in Farad).
DC	Tensione di offset DC del generatore di segnale (in Volt).
Freq	Frequenza della tensione di uscita sinusoidale (in Hertz).
Phase	Sfasamento della sinusoide al tempo zero (in gradi).
Rser	Resistenza in serie (in Ohm).

AM (Amplitude Modulator Voltage Source)

Nome parametro	Descrizione
FC	Frequenza della portante (in Hertz).
KA	Sensibilità di ampiezza.
OFFSET	Offset DC del generatore di segnale (in Volt).
VC	Ampiezza della portante (in Volt).

AtoD (AtoD Bridge)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
in_high_inst	Ingresso analogico minimo con valore 1 (in Volt).
in_low_inst	Ingresso analogico massimo con valore 0 (in Volt).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

Battery (Constant Voltage Source)

Nome parametro	Descrizione
CPAR	Capacità in parallelo (in Farad).
DC Magnitude	Valore della tensione DC (in Volt).
RSER	Resistenza in serie (in Ohm).

BJT NPN 4 GP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 MGP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 VBIC (Bipolar NPN 4 Pins Transistor VBIC Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Ngspice User’s Manual.

BJT NPN VBIC (Bipolar NPN 3 Pins Transistor VBIC Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_GP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_MGP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 GP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 MGP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 VBIC (Transistor bipolare PNP a 4 pin modello VBIC)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale dell’utente di Ngspice.

BJT PNP GP (Transistor bipolare PNP a 3 pin modello Gummel-Poon)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale dell’utente di Ngspice.

BJT PNP MGP (Transistor bipolare PNP a 3 pin versione modificata del modello Gummel-Poon)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale dell’utente di Ngspice.

BJT PNP VBIC (Transistor bipolare PNP a 3 pin modello VBIC)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale dell’utente di Ngspice.

Bridge Rectifier (Raddrizzatore a ponte a quattro diodi)

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale dell’utente di Ngspice.

Capacitor

Nome parametro	Descrizione
CPAR	Capacità equivalente in parallelo (in Farad).
LSER	Induttanza equivalente in serie (in Henry).
RLSHUNT	Resistenza di shunt ai capi di LSER (in Ohm).
RPAR	Resistenza equivalente in parallelo (in Ohm).
RSER	Resistenza equivalente in serie (in Ohm).
TEMP	Temperatura di esercizio del componente (in °C).
Value	Valore della capacità (in Farad).

Il circuito equivalente di un condensatore.

CCCS (Sorgente di corrente controllata in corrente)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Guadagno di corrente.
Voltage Source Name	Nome di una sorgente di tensione attraverso cui scorre la corrente di controllo.

CCCS_4pins (Sorgente di corrente controllata in corrente)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Guadagno di corrente.

CCCS_Expr (Sorgente di corrente controllata in corrente con espressione arbitraria)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

CCCS_Poly (Sorgente di corrente controllata in corrente con funzione SPICE POLY)

Nome parametro	Descrizione
Coefficients List	Coefficienti del polinomio.
Order	Numero di dimensioni del polinomio. Il numero di sorgenti di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.
Voltage Source Names	Sorgenti di tensione di controllo. La variabile di controllo è la corrente attraverso queste sorgenti.

CCCS_Table (Sorgente di corrente controllata in corrente con funzione Table)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che fornisce il valore x, usato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulate, mediante interpolazione lineare.
Table	Coppie di valori.

CCSW_Hysteresis (Interruttore controllato in corrente con isteresi)

Nome parametro	Descrizione
IH	Corrente di isteresi (in Ampere).
Initial Condition	Stato iniziale dell’interruttore, aperto (OFF) o chiuso (ON).
IT	Corrente di soglia (in Ampere).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).

CCSW_Smooth_Trans (Interruttore controllato in corrente con transizione graduale)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).

CCVS (Sorgente di tensione controllata in corrente)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Transresistenza (in Ohm).
Voltage Source Name	Nome di una sorgente di tensione attraverso cui scorre la corrente di controllo.

CCVS_4pins (Sorgente di tensione controllata in corrente)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Transresistenza (in Ohm).

CCVS_Expr (Sorgente di tensione controllata in corrente con espressione arbitraria)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

CCVS_Poly (Sorgente di tensione controllata in corrente con funzione SPICE POLY)

Nome parametro	Descrizione
Coefficients List	Coefficienti del polinomio.
Order	Numero di dimensioni del polinomio. Il numero di sorgenti di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.
Voltage Source Names	Sorgenti di tensione di controllo. La variabile di controllo è la corrente attraverso queste sorgenti.

CCVS_Table (Sorgente di tensione controllata in corrente con funzione Table)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che fornisce il valore x, usato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulate, mediante interpolazione lineare.
Table	Coppie di valori.

Comparator (Comparatore ideale)

Nome parametro	Descrizione
VHIGH	Limite superiore dell’uscita (in Volt).
VHYS	Ampiezza dell’isteresi (in Volt).
VLOW	Limite inferiore dell’uscita (in Volt).

Coupled Inductors (Coppia di induttori accoppiati)

Nome parametro	Descrizione
Coupling_Factor	Coefficiente di accoppiamento, deve essere maggiore di 0 e minore o uguale a 1.
L1	Induttanza del 1° induttore discreto (in Henry).
L2	Induttanza del 2° induttore discreto (in Henry).

Crystal

Nome parametro	Descrizione
F0	Frequenza di uscita nominale del cristallo (in Hertz).
Q	Fattore di qualità del modello di circuito elettrico equivalente del cristallo.
R	Resistenza presentata dal cristallo alla frequenza di risonanza serie (in Ohm).

D Flip-Flop

Nome parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo da clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore di carico di clk (in Farad).
data_load_inst	Valore di carico dei dati (in Farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo da reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da set (in secondi).
set_load	Valore di carico di set (in Farad).

D Latch (Latch D digitale)

Nome parametro	Descrizione
data_delay_inst	Ritardo da data (in secondi).
data_load_inst	Carico dei dati (in Farad).
enable_delay_inst	Ritardo da enable (in secondi).
enable_load_inst	Valore di carico di enable (in Farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo da RESET (in secondi).
reset_load_inst	Capacità di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da SET (in secondi).
set_load_inst	Valore della capacità di set (in Farad).

Darlington BJT NPN (Darlington NPN Bipolar Transistor)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

Darlington BJT PNP (Darlington PNP Bipolar Transistor)

Fare riferimento alle sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Ngspice User’s Manual.

DC Current Source

Nome parametro	Descrizione
DC	Ampiezza della corrente della sorgente (in Ampere).

DC Motor

Nome parametro	Descrizione
BM	Attrito viscoso (in N * m / (rad * s)).
JM	Momento d’inerzia (in kg * m²).
KE	Costante della forza controelettromotrice (in V * s / rad).
KT	Costante di coppia (in N * m / A).
LA	Induttanza dell’armatura (in Henry).
RA	Resistenza dell’armatura (in Ohm).
TL	Coppia di carico (in N * m).

Delay Line

Nome parametro	Descrizione
DELAY	Ritardo temporale (in secondi).

DIAC (DIAC Thyristor)

Nome parametro	Descrizione
RS	Resistenza in serie (in Ohm).
VK	Tensione di breakdown (in Volt).

Digital 0 (Digital Zero Generator)

Nome parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

Digital 1 (Digital One Generator)

Nome parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

Digital AND (Digital AND Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital Buff (Digital Buffers)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital Clock

Nome parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_in_high_inst	Ingresso analogico minimo con valore 1 (in Volt).
adc_in_low_inst	Ingresso analogico massimo con valore 0 (in Volt).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
period	Periodo (in secondi).
phase	Fase del segnale impulsivo (in gradi).
pwidth	Larghezza dell’impulso (in secondi).
tdelay	Tempo di ritardo (in secondi).
tfall	Tempo di discesa (in secondi).
trise	Tempo di salita (in secondi).
vhigh	Valore impulsivo (in Volt).
vlow	Valore iniziale (in Volt).

Digital Inverter

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital NAND (Digital NAND Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital NOR (Digital NOR Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital NOT (Digital NOT Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital OR (Digital OR Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital XNOR (Digital XNOR Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Digital XOR (Digital XOR Gate)

Nome parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).

Diode

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

DPDT Relay (Double-Pole, Double-Throw Relay)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in Henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in Ohm).

DPDT SW (Double-Pole, Double-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
nodesUP_closed	Se nodesUP_closed > 0, l’interruttore chiude i circuiti nella posizione Up. Altrimenti l’interruttore chiude i circuiti nella posizione Down.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

DPST Push Button (Double-Pole, Single-Throw Button)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude i circuiti. Altrimenti il pulsante apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

DPST Relay (Double-Pole, Single-Throw Relay)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in Henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in Ohm).

DPST SW (Double-Pole, Single-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l’interruttore chiude i circuiti. Altrimenti l’interruttore apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

DtoA (DtoA Bridge)

Nome parametro	Descrizione
input_load_inst	Carico di ingresso (in Farad).
out_high_inst	Uscita analogica con valore 1 (in Volt).
out_low_inst	Uscita analogica con valore 0 (in Volt).
out_undef_inst	Uscita analogica con valore indefinito (in Volt).
t_fall_inst	Tempo di discesa 1->0 (in secondi).
t_rise_inst	Tempo di salita 0->1 (in secondi).

Dual Diode

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

FSK (Frequency-Shift Keying Modulator)

Nome parametro	Descrizione
NC0	Numero di cicli della forma d’onda di uscita che si verificheranno durante la durata di un singolo bit zero della forma d’onda di ingresso.
NC1	Numero di cicli della forma d’onda di uscita che si verificheranno durante la durata di un singolo bit uno della forma d’onda di ingresso.
TB	Durata di un singolo bit (in secondi).
WMAG	Ampiezza della forma d’onda di uscita (in Volt).

Function Current Source (Functional Current Source)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

Functional Voltage Source

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

Fuse

Nome parametro	Descrizione
CURRENT	Corrente del fusibile (in Ampere).
RESISTANCE	Resistenza interna (in Ohm).

Gyrator

Nome parametro	Descrizione
G	Conduttanza di girazione (in mho).

Inductor

Nome parametro	Descrizione
CPAR	Capacità parallela equivalente (in Farad).
DTEMP	Differenza della temperatura operativa del componente (in °C).
Initial Current	Corrente al tempo zero che attraversa l’induttore (in Ampere).
M	Numero di unità in parallelo.
RPAR	Resistenza parallela equivalente (in Ohm).
RSER	Resistenza serie equivalente (in Ohm).
TC1	Coefficiente di temperatura di primo ordine.
TC2	Coefficiente di temperatura di secondo ordine.
TEMP	Temperatura operativa del componente (in °C).
Value	Valore dell’induttanza (in Henry).

Si noti che il parametro T_REL_LOCAL non viene utilizzato in questo componente.

Il circuito equivalente di un induttore.

ISRC (Current Source)

Fare riferimento a Verifica e preparazione di un progetto per la simulazione – aggiunta e configurazione di una sorgente di simulazione.

JFET N-ch Level1 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Fare riferimento alla sezione 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manuale utente di Ngspice.

JFET N-ch Level2 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Fare riferimento alla sezione 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manuale utente di Ngspice.

JFET P-ch Level1 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Fare riferimento alla sezione 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manuale utente di Ngspice.

JFET P-ch Level2 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Fare riferimento alla sezione 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manuale utente di Ngspice.

JK Flip-Flop

Nome parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo da clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico clk (in Farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
jk_load_inst	Valori di carico J,K (in Farad).
reset_delay_inst	Ritardo da reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico set (in Farad).

LED (diodo a emissione luminosa)

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Regolatore di tensione lineare (regolabile) (regolatore di tensione positivo regolabile)

Nessun parametro presente

Regolatore di tensione lineare (fisso) (regolatore di tensione positivo fisso)

Nome parametro	Descrizione
Av_feedback	Fattore di feedback Av* (Av_feedback = 1665 per Vout = 5V (predefinito); Av_feedback = 694 per Vout = 12V; Av_feedback = 550 per Vout = 15V).
R1_Value	Valore di R1 (in Ohm) (R1_Value = 1020 per Vout = 5V (predefinito); R1_Value = 2448 per Vout = 12V; R1_Value = 3060 per Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (MOSFET MOS1 a canale N modello Shichman e Hodges)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.1 MOS Level 1 e 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (MOSFET MOS2 a canale N modello Grove-Frohman)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.2 MOS Level 2 e 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (MOSFET a canale N modello MOS3)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.3 MOS Level 3 e 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (MOSFET a canale N modello BSIM1)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.8 BSIM1 model (level 4) e 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (MOSFET a canale N modello BSIM2)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.9 BSIM2 model (level 5) e 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (MOSFET a canale N modello MOS6)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.4 MOS Level 6 e 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (MOSFET a canale N modello BSIM3v0 v3.0)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (MOSFET a canale N modello BSIM3v1 v3.1)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (MOSFET a canale N modello BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (MOSFET a canale N modello BSIM3v3 v3.3.0)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (MOSFET a canale N modello MOS9)

Fare riferimento alla sezione 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (MOSFET a canale N modello BSIM4SOI v4.3.1)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (MOSFET a canale N modello BSIM4v5 v4.0 - 4.5)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (MOSFET a canale N modello BSIM4v6 v4.6.5)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (MOSFET a canale N modello BSIM4v7 v4.7.0)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (MOSFET a canale N modello BSIM4v7 v4.7.0)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (MOSFET a canale N modello BSIM3SOI_FD)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (MOSFET a canale N modello BSIM3SOI_DD)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (MOSFET a canale N modello BSIM3SOI_PD)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (MOSFET a canale N modello HISIM2 v2.8.0)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (MOSFET a canale N modello HISIM_HV1 v1.2.4)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (MOSFET a canale N modello HISIM_HV2 v2.2.0)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (MOSFET di potenza a canale N modello VDMOS)

Fare riferimento alla sezione 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (MOSFET MOS1 a canale P modello Shichman e Hodges)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.1 MOS Level 1 e 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (MOSFET MOS2 a canale P modello Grove-Frohman)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.2 MOS Level 2 e 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (MOSFET a canale P modello MOS3)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.3 MOS Level 3 e 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (modello BSIM1 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.8 BSIM1 model (level 4) e 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (modello BSIM2 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.9 BSIM2 model (level 5) e 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (modello MOS6 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.4 MOS Level 6 e 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (modello BSIM3v0 v3.0 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (modello BSIM3v1 v3.1 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (modello BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (modello BSIM3v3 v3.3.0 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (modello MOS9 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (modello BSIM4SOI v4.3.1 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (modello BSIM4v5 v4.0 - 4.5 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (modello BSIM4v6 v4.6.5 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (modello BSIM4v7 v4.7.0 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (modello BSIM4v8 v4.8.1 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alle sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (modello BSIM3SOI_FD di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (modello BSIM3SOI_DD di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (modello BSIM3SOI_PD di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (modello HISIM2 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (modello HISIM_HV1 v1.2.4 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (modello HISIM_HV2 v2.2.0 di MOSFET a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (modello VDMOS di MOSFET di potenza a canale P)

Fare riferimento alla sezione 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manuale utente di Ngspice.

Induttanza mutua (induttanza mutua con elenco di induttori)

Nome parametro	Descrizione
Fattore di accoppiamento	Coefficiente di accoppiamento.
Elenco induttori	Nomi degli induttori accoppiati.

OpAmp (amplificatore operazionale ideale)

Nome parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

OpAmp con terminali di alimentazione (amplificatore operazionale ideale)

Nome parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

Pentodo

Nome parametro	Descrizione
CCG	Capacità di ingresso (griglia 1 verso catodo) (in Farad).
CCP	Capacità di uscita (placca verso catodo) (in Farad).
CPG1	Capacità Miller (griglia 1 verso placca) (in Farad).
EX	Esponente.
KG1	Parametro inversamente proporzionale alla corrente complessiva di placca.
KG2	Sensibilità inversa della corrente della griglia schermo.
KP	Parametro che influenza le correnti di placca per tensioni di placca elevate e tensioni di griglia negative elevate.
KVB	Parametri di ginocchio (in Volt).
MU	Fattore di amplificazione.
RGI	Resistenza griglia-catodo (in Ohm).
VCT	Potenziale di contatto (in Volt).

Fotodiodo

Nome parametro	Descrizione
BV	Tensione di breakdown inversa (in Volt).
CJO	Capacità di giunzione a polarizzazione zero (in Farad).
IS	Corrente di saturazione (in Ampere)
N	Coefficiente di emissione.
RESP	Sensibilità (in Ampere / Watt).
Rint	Resistenza interna (in Ohm).

Controllore PID

Nome parametro	Descrizione
KD	Valore di scala derivativo.
KI	Valore di scala integrale.
KP	Valore di scala proporzionale.

Potenziometro

Nome parametro	Descrizione
position	La posizione del cursore lungo la pista dei resistori. Il valore può essere compreso nell'intervallo da 0 (completamente a sinistra/in senso antiorario) a 1 (completamente a destra/in senso orario), con 0,5 come punto intermedio, con resistenza uguale su entrambi i lati.
value	Valore massimo della resistenza (in Ohm).

PSK (Phase-Shift Keying Modulator)

Nome parametro	Descrizione
NC	Numero di cicli della forma d'onda di uscita che si verificheranno durante la durata di un bit della forma d'onda di ingresso.
TB	Durata di un singolo bit (in secondi).
WMAG	Ampiezza della forma d'onda di uscita (in Volt).

PSPICE AND (PSPICE AND logic gate)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE AND3 (PSPICE tristate AND logic gate)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE BUF (PSPICE digital buffer)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE BUF3 (PSPICE tristate digital buffer)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE INV (PSPICE digital invertor)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE INV3 (PSPICE tristate digital invertor)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NAND (PSPICE NAND logic gate)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NAND3 (PSPICE tristate NAND logic gate)

Nome parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NOR (PSPICE NOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NOR3 (PSPICE tristate NOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NXOR (PSPICE NXOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NXOR3 (PSPICE tristate NXOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE OR (PSPICE OR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE OR3 (PSPICE tristate OR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE STIM (PSPICE digital stimulus generator)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

signal

Coppie di tempo e valore. Il primo numero di ogni coppia specifica il tempo (in secondi) per il nuovo valore (0, 1, X o Z).

PSPICE XOR (PSPICE XOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE XOR3 (PSPICE tristate XOR logic gate)

Parameter Name

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce quale livello del modello di sottocircuito di interfaccia il simulatore deve usare per una parte digitale collegata a una parte analogica:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve usare per una parte digitale:

0 = predefinito dell'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

Push Button NC (Push Button Normally Closed)

Parameter Name	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude il circuito. Altrimenti il pulsante apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

Push Button NO (Push Button Normally Opened)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude il circuito. Altrimenti il pulsante apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

PUT (PUT Thyristor)

Nome parametro	Descrizione
DVDT	Tasso critico di aumento della tensione di interdizione (in Volt / secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in Ampere).
IH	Corrente di mantenimento in continua (in Ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Massima tensione di picco ripetitiva di interdizione (in Volt).
VTMIN	Tensione minima anodo-catodo nello stato di conduzione (in Volt).

PWM (Pulse Width Modulation Generator)

Nome parametro	Descrizione
MODFREQ	Frequenza della forma d’onda modulante (in Hertz).
MODHIGH	Valore di tensione alto della forma d’onda modulante (in Volt).
MODLOW	Valore di tensione basso della forma d’onda modulante (in Volt).
PWMHIGH	Valore di tensione alto dell’uscita PWM (in Volt).
PWMLOW	Valore di tensione basso dell’uscita PWM (in Volt).

PWM Generator (Pulse Width Modulation Generator)

Nome parametro	Descrizione
MODFREQ	Frequenza della forma d’onda modulante (in Hertz).
MODHIGH	Valore di tensione alto della forma d’onda modulante (in Volt).
MODLOW	Valore di tensione basso della forma d’onda modulante (in Volt).
PWMHIGH	Valore di tensione alto dell’uscita PWM (in Volt).
PWMLOW	Valore di tensione basso dell’uscita PWM (in Volt).

QAM (Quadrature Amplitude Modulation Generator)

Nome parametro	Descrizione
F0	Frequenza portante (in Hertz).

Resistor

Nome parametro	Descrizione
DTEMP	Differenza della temperatura operativa del componente (in °C).
TC	Elenco separato da virgole dei coefficienti polinomiali che definiscono la dipendenza della resistenza dalla temperatura. Ad esempio, quando vengono forniti quattro coefficienti polinomiali (`a, b, c, d`), la resistenza `R` sarà: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, dove `R0` è la resistenza alla temperatura nominale e `dt` è la differenza tra la temperatura del resistore e la temperatura nominale. Si noti che, quando definiti, i parametri `TC1` e `TC2` sostituiscono il parametro `TC`. Per usare il parametro `TC`, cancellare i valori di `TC1` e `TC2`.
TC1	Coefficiente di temperatura del primo ordine.
TC2	Coefficiente di temperatura del secondo ordine.
TEMP	Temperatura operativa del componente (in °C).
Value	Valore della resistenza (in Ohm).

Si noti che il parametro T_REL_LOCAL non è utilizzato in questo componente.

Resonator

Nome parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in Hertz).
Lin	Valore dell’induttanza (in Henry).
Q0	Fattore di qualità.

SCR (SCR Thyristor)

Nome parametro	Descrizione
DVDT	Tasso critico di aumento della tensione di interdizione (in Volt / secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in Ampere).
IH	Corrente di mantenimento in continua (in Ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Massima tensione di picco ripetitiva di interdizione (in Volt).
VTMIN	Tensione minima anodo-catodo nello stato di conduzione (in Volt).

Schottky Diode

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Ngspice User’s Manual.

Snubber

Nome parametro	Descrizione
CSNUB	Valore della capacità in parallelo (in Farad).
RSNUB	Valore della resistenza in parallelo (in Ohm).

Sparkgap (Spark Gap)

Nome parametro	Descrizione
CARC	Capacità dell’arco (in Farad).
CPAR	Capacità del traferro (in Farad).
ISUS	Corrente di mantenimento al di sotto della quale l’arco si interrompe (in Ampere).
LPL	Induttanza dei terminali (in Henry).
RNEG	Resistenza negativa dopo l’innesco (in Ohm).
RPL	Perdita di flusso associata a LPL (in Ohm).
VARC	Tensione ai capi dello spinterometro dopo l’innesco (in Volt).
VTHRES	Tensione alla quale si innesca lo spinterometro (in Volt).

SPDT Relay (Single-Pole, Double-Throw Relay)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in Henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in Ohm).

SPDT SW (Single-Pole, Double-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
nodeUP_closed	Se nodeUP_closed > 0, l’interruttore chiude il circuito nella posizione Up. Altrimenti l’ interruttore chiude il circuito nella posizione Down.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

SPST Relay NC (Single-Pole, Single-Throw Normally Closed Relay)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in Henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in Ohm).

SPST Relay NO (Single-Pole, Single-Throw Normally Opened Relay)

Nome parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in Ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in Ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in Henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in Ohm).

SPST SW (Single-Pole, Single-Throw Switch)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l’interruttore chiude il circuito. Altrimenti l’interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

Flip-Flop SR

Nome parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo da clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clk (in Farad).
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo da reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in Farad).
sr_load_inst	Carichi set/reset (in Farad).

Latch SR (Latch SR digitale)

Nome parametro	Descrizione
enable_delay_inst	Ritardo da enable (in secondi).
enable_load_inst	Valore del carico di enable (in Farad).
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo da RESET (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da SET (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in Farad).
sr_delay_inst	Ritardo dalla variazione dell’ingresso s o r (in secondi).
sr_load_inst	Carichi degli ingressi S & r (in Farad).

Motore passo-passo

Nome parametro	Descrizione
HARDNESS	Fattore adimensionale che imposta la rigidità dell’arresto.
JLOAD	Inerzia rotazionale dell’albero motore (in kg * m²).
JMOTOR	Inerzia rotazionale del carico del motore (in kg * m²).
K	Costante del motore (in V * s / rad).
KD	Coppia di smorzamento (in N * m / (rad * s)).
LIMIT	Posizione di arresto rigido (in radianti).
LS	Induttanza della bobina dello statore (in Henry).
RS	Resistenza della bobina dello statore (in Ohm).
STEP_ANGLE	Ampiezza angolare di un passo completo (in gradi).
TD	Coppia di detent (in N * m).
TLOAD	Coppia di carico (in N * m).

Suppressor Dual

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Suppressor Single

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

SW NC (Interruttore normalmente chiuso)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l’interruttore chiude il circuito. Altrimenti l’interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

SW NO (Interruttore normalmente aperto)

Nome parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l’interruttore chiude il circuito. Altrimenti l’interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).

Condensatore commutato

Nome parametro	Descrizione
CVALUE	Valore della capacità (in Farad).
FSAMPLE	Frequenza di commutazione (in Hertz).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).

Flip-Flop T (Flip-Flop T digitale)

Nome parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo da clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clk (in Farad).
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a zero digitale (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo da reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in Farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno di un modello, determinata dai suoi ingressi, e una variazione dell’uscita a uno digitale (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo da set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in Farad).
t_load_inst	Valore del carico di toggle (in Farad).

Tetrodo

Nome parametro	Descrizione
CCG	Capacità di ingresso (griglia 1-catodo) (in Farad).
CCP	Capacità di uscita (placca-catodo) (in Farad).
CPG1	Capacità Miller (griglia 1-placca) (in Farad).
EX	Esponente.
KG1	Parametro inversamente proporzionale alla corrente complessiva di placca.
KG2	Sensibilità inversa della corrente della griglia schermo.
KP	Parametro che influenza le correnti di placca per tensioni di placca elevate e tensioni di griglia molto negative.
KVB	Parametri di ginocchio (in Volt).
MU	Fattore di amplificazione.
RGI	Resistenza griglia-catodo (in Ohm).

SW controllato nel tempo (Interruttore controllato nel tempo)

Nome parametro	Descrizione
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in Ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in Ohm).
tSwitch	Istante in cui l’interruttore inizia a commutare (in secondi).
ttran	Tempo richiesto per commutare lo stato (in secondi). Questo valore deve essere realistico, non 0.

TL senza perdite (Linea di trasmissione senza perdite)

Nome parametro	Descrizione
Char. Impedance	Impedenza caratteristica (in Ohm).
Frequency	Frequenza (in Hertz).
Initial Current 1	Corrente al tempo zero alla porta 1 della linea di trasmissione (in Ampere).
Initial Current 2	Corrente al tempo zero alla porta 2 della linea di trasmissione (in Ampere).
Initial Voltage 1	Tensione al tempo zero alla porta 1 della linea di trasmissione (in Volt).
Initial Voltage 2	Tensione al tempo zero alla porta 2 della linea di trasmissione (in Volt).
Normalised Length	Lunghezza elettrica normalizzata della linea di trasmissione rispetto alla lunghezza d’onda nella linea, alla frequenza specificata.
Transmission Delay	Ritardo di trasmissione (in secondi).

Transformer Ideal (Trasformatore ideale)

Nome parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

Transformer Wideband (Trasformatore a banda larga)

Nome parametro	Descrizione
FH	Punto di interruzione ad alta frequenza (in Hertz).
FL	Punto di interruzione a bassa frequenza (in Hertz).
N	Numero di spire.
RS	Resistenza serie primaria (in Ohm).

Transformer With Central Tap Ideal (Trasformatore ideale con presa centrale)

Nome parametro	Descrizione
L1	Induttanza primaria (in Henry).
L2	Induttanza secondaria 1 (in Henry).
L3	Induttanza secondaria 2 (in Henry).

TRIAC (TRIAC Thyristor)

Nome parametro	Descrizione
DVDT	Tasso critico di variazione della tensione di blocco nello stato OFF (in Volt / secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in Ampere).
IH	Corrente di mantenimento DC (in Ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Massima tensione di picco ripetitiva di blocco nello stato OFF (in Volt).
VTMIN	Tensione minima anodo-catodo nello stato ON (in Volt).

Triode

Nome parametro	Descrizione
CGC	Capacità griglia-catodo (in Farad).
CGP	Capacità griglia-placca (in Farad).
CPC	Capacità placca-catodo (in Farad).
K	Costante del tubo k.
MU	Costante del tubo mu.

Varactor

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

VCCS (Voltage Controlled Current Source)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Transconduttanza (in mho).

VCCS_Expr (Voltage Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

VCCS_Poly (Voltage Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Nome parametro	Descrizione
Coefficients List	Coefficienti del polinomio.
Node Names	Insieme delle tensioni di controllo.
Order	Numero di dimensioni del polinomio. Il numero di coppie di nodi di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.

VCCS_Table (Voltage Controlled Current Source with Table function)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulate, usando l’interpolazione lineare.
Table	Coppie di valori.

VCO (Voltage Controlled Oscillator)

Nome parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in Hertz).
KF	Sensibilità (in Hz/V).
VP	Ampiezza (in Volt).

VCO Square (Voltage Controlled Square Wave Oscillator)

Nome parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in Hertz).
KF	Sensibilità (in Hz/V).
VH	Valore alto di picco in uscita (in Volt).
VL	Valore basso di picco in uscita (in Volt).

VCSW_Hysteresis (Voltage Controlled Switch with Hysteresis)

Nome parametro	Descrizione
Initial Condition	Punto iniziale dell’interruttore, aperto (OFF) o chiuso (ON).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
VH	Tensione di isteresi (in Volt).
VT	Tensione di soglia (in Volt).

VCSW_Smooth_Trans (Voltage Controlled Switch with Smooth Transition)

Nome parametro	Descrizione
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in Ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in Ohm).
VOFF	Tensione di controllo per lo stato OFF (in Volt).
VON	Tensione di controllo per lo stato ON (in Volt).

VCVS (Voltage Controlled Voltage Source)

Nome parametro	Descrizione
Gain	Guadagno di tensione.

VCVS_Expr (Voltage Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che definisce la forma d’onda della sorgente.

VCVS_Poly (Voltage Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Nome parametro	Descrizione
Coefficients List	Coefficienti del polinomio.
Node Names	Insieme delle tensioni di controllo.
Order	Numero di dimensioni del polinomio. Il numero di coppie di nodi di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.

VCVS_Table (Voltage Controlled Voltage Source with Table function)

Nome parametro	Descrizione
Expression	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulate, usando l’interpolazione lineare.
Table	Coppie di valori.