Componenti generici di simulazione

Updated: October 12, 2026

A colpo d'occhio

Questo articolo offre una panoramica pratica della libreria Simulation Generic Components in Altium Designer, mostrando dove trovarla nel pannello Components, come gestirne la visibilità nelle Preferences e come modificare i parametri dei componenti posizionati tramite il pannello Properties. È anche un riferimento per l'ampia gamma di componenti disponibili pronti per la simulazione, dai componenti passivi e dalle sorgenti agli interruttori, ai motori, ai ponti digitali e ai modelli di semiconduttori, con i relativi parametri di configurazione della simulazione. Se vuoi capire meglio quali componenti sono disponibili e come configurarli nel tuo schema elettrico, questa guida fa al caso tuo: continua a leggere per semplificare il tuo flusso di lavoro di simulazione.

- Scoprirai dove trovare la libreria Simulation Generic Components e come abilitarla o nasconderla in Altium Designer.
- Vedrai come configurare i componenti generici per la simulazione dopo averli posizionati, incluso dove modificarne i parametri nel pannello Properties.
- Avrai a disposizione un riferimento dettagliato, componente per componente, per i dispositivi pronti per la simulazione disponibili e per i parametri che ne definiscono il comportamento.

Approfondisci con l'IA:

La libreria Simulation Generic Components è disponibile nel pannello Components e consente di accedere a vari componenti pronti per la simulazione, dai passivi RLC ai semiconduttori discreti fino ai componenti digitali in diversi formati.

Utilizza l'opzione Enable Simulation Generic Components Library nella pagina Simulazione – Generale della finestra di dialogo Preferences per controllare la visibilità della libreria nel pannello Components.
Consulta la pagina Verifica e preparazione di un progetto per la simulazione per saperne di più sulle opzioni disponibili per posizionare componenti pronti per la simulazione in Altium Designer.

Quando un componente della libreria Simulation Generic Components viene posizionato negli schemi elettrici, selezionalo per accedere alle sue proprietà tramite il pannello Properties in modalità Simulation Generic Component. Il pannello include la sezione Parameters, in cui puoi definire i valori dei parametri del componente.

Seleziona un componente generico di simulazione già posizionato per definirne i parametri tramite il pannello Properties.

Componenti generici di simulazione

Utilizza le sezioni seguenti per trovare informazioni sui parametri dei componenti della libreria Simulation Generic Components.

.IC (Condizione iniziale)

Nome del parametro	Descrizione
Tensione iniziale	Ampiezza della tensione del nodo (in volt).

.NS (Impostazione del nodo)

Nome del parametro	Descrizione
Tensione iniziale	Ampiezza della tensione del nodo (in volt).

3 Phase Delta (Generatore di tensione trifase a triangolo)

Nome del parametro	Descrizione
FREQ	Frequenza (in hertz).
V_RMS	Valore efficace (RMS) della tensione (in volt).

3 Phase Wye (Generatore di tensione trifase a stella)

Nome del parametro	Descrizione
FREQ	Frequenza (in hertz).
V_RMS	Valore efficace (RMS) della tensione (in volt).

3PDT (Commutatore tripolare a due vie)

Nome del parametro	Descrizione
nodesUP_closed	Se nodesUP_closed > 0, il commutatore chiude i circuiti nella posizione superiore. In caso contrario, il commutatore chiude i circuiti nella posizione inferiore.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

3PST (Interruttore tripolare a una via)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l'interruttore chiude i circuiti. In caso contrario, l' interruttore apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

555 (Temporizzatore 555)

Nessun parametro presente

Generatore di corrente CA

Nome del parametro	Descrizione
Amp	Ampiezza di picco della sinusoide (in ampere).
DC	Corrente di offset CC del generatore di segnale (in ampere).
Freq	Frequenza della corrente sinusoidale in uscita (in hertz).
Phase	Sfasamento della sinusoide all'istante zero (in gradi).

Motore CA

Nome del parametro	Descrizione
J	Momento d'inerzia (in kg * m²).
K	Fattore di accoppiamento.
LR	Induttanza di dispersione del rotore (in henry).
LS	Induttanza di dispersione dello statore (in henry).
NP	Numero di poli.
RR	Resistenza del rotore (in ohm).
RS	Resistenza dello statore (in ohm).

Generatore di tensione CA

Nome del parametro	Descrizione
Amp	Ampiezza di picco della sinusoide (in volt).
Cpar	Capacità in parallelo (in farad).
DC	Tensione di offset CC del generatore di segnale (in volt).
Freq	Frequenza della tensione sinusoidale in uscita (in hertz).
Phase	Sfasamento della sinusoide all'istante zero (in gradi).
Rser	Resistenza in serie (in ohm).

AM (Generatore di tensione modulata in ampiezza)

Nome del parametro	Descrizione
FC	Frequenza della portante (in hertz).
KA	Sensibilità in ampiezza.
OFFSET	Offset CC del generatore di segnale (in volt).
VC	Ampiezza della portante (in volt).

AtoD (Ponte AtoD)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
in_high_inst	Valore minimo dell'ingresso analogico corrispondente a 1 (in volt).
in_low_inst	Valore massimo dell'ingresso analogico corrispondente a 0 (in volt).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

Batteria (Generatore di tensione costante)

Nome del parametro	Descrizione
CPAR	Capacità in parallelo (in farad).
Ampiezza CC	Valore della tensione CC (in volt).
RSER	Resistenza in serie (in ohm).

BJT NPN 4 GP (Transistor bipolare NPN a 4 pin con modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT NPN 4 MGP (Transistor bipolare NPN a 4 pin, versione modificata del modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT NPN 4 VBIC (Transistor bipolare NPN a 4 pin, modello VBIC)

Consultare le sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale utente di Ngspice.

BJT NPN VBIC (Transistor bipolare NPN a 3 pin, modello VBIC)

Consultare le sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale utente di Ngspice.

BJT NPN_GP (Transistor bipolare NPN a 3 pin, modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT NPN_MGP (Transistor bipolare NPN a 3 pin, versione modificata del modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP 4 GP (Transistor bipolare PNP a 4 pin, modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP 4 MGP (Transistor bipolare PNP a 4 pin, versione modificata del modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP 4 VBIC (Transistor bipolare PNP a 4 pin, modello VBIC)

Consultare le sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP GP (Transistor bipolare PNP a 3 pin, modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP MGP (Transistor bipolare PNP a 3 pin, versione modificata del modello Gummel-Poon)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

BJT PNP VBIC (Transistor bipolare PNP a 3 pin, modello VBIC)

Consultare le sezioni 8.2.2 VBIC Model e 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model del Manuale utente di Ngspice.

Raddrizzatore a ponte (Raddrizzatore a ponte a quattro diodi)

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Condensatore

Nome del parametro	Descrizione
CPAR	Capacità equivalente in parallelo (in farad).
LSER	Induttanza equivalente in serie (in henry).
RLSHUNT	Resistenza di shunt in parallelo a LSER (in ohm).
RPAR	Resistenza equivalente in parallelo (in ohm).
RSER	Resistenza equivalente in serie (in ohm).
TEMP	Temperatura di esercizio del componente (in °C).
Valore	Valore della capacità (in farad).

Il circuito equivalente di un condensatore.

CCCS (Generatore di corrente controllato in corrente)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Guadagno di corrente.
Nome del generatore di tensione	Nome di un generatore di tensione attraversato dalla corrente di controllo.

CCCS_4pins (Generatore di corrente controllato in corrente)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Guadagno di corrente.

CCCS_Expr (Generatore di corrente controllato in corrente con espressione arbitraria)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

CCCS_Poly (Generatore di corrente controllato in corrente con funzione SPICE POLY)

Nome del parametro	Descrizione
Elenco dei coefficienti	Coefficienti del polinomio.
Ordine	Il numero di dimensioni del polinomio. Il numero di generatori di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.
Nomi dei generatori di tensione	Generatori di tensione di controllo. La variabile di controllo è la corrente che attraversa questi generatori.

CCCS_Table (Generatore di corrente controllato in corrente con funzione Table)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulate, mediante interpolazione lineare.
Tabella	Coppie di valori.

CCSW_Hysteresis (Interruttore controllato in corrente con isteresi)

Nome del parametro	Descrizione
IH	Corrente di isteresi (in ampere).
Condizione iniziale	Lo stato iniziale dell'interruttore, aperto (OFF) o chiuso (ON).
IT	Corrente di soglia (in ampere).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).

CCSW_Smooth_Trans (Interruttore controllato in corrente con transizione graduale)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in ampere).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).

CCVS (Generatore di tensione controllato in corrente)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Transresistenza (in ohm).
Nome del generatore di tensione	Il nome di un generatore di tensione attraversato dalla corrente di controllo.

CCVS_4pins (Generatore di tensione controllato in corrente)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Transresistenza (in ohm).

CCVS_Expr (Generatore di tensione controllato in corrente con espressione arbitraria)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

CCVS_Poly (Generatore di tensione controllato in corrente con funzione POLY di SPICE)

Nome del parametro	Descrizione
Elenco dei coefficienti	Coefficienti del polinomio.
Ordine	Il numero di dimensioni del polinomio. Il numero di generatori di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.
Nomi dei generatori di tensione	Generatori di tensione di controllo. La variabile di controllo è la corrente che attraversa questi generatori.

CCVS_Table (Generatore di tensione controllato in corrente con funzione tabellare)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il valore y corrispondente in base alle coppie di valori tabulati, mediante interpolazione lineare.
Tabella	Coppie di valori.

Comparatore (Comparatore ideale)

Nome del parametro	Descrizione
VHIGH	Limite superiore dell'uscita (in volt).
VHYS	Ampiezza dell'isteresi (in volt).
VLOW	Limite inferiore dell'uscita (in volt).

Induttori accoppiati (Coppia di induttori accoppiati)

Nome del parametro	Descrizione
Coupling_Factor	Coefficiente di accoppiamento, deve essere maggiore di 0 e minore o uguale a 1.
L1	Induttanza del primo induttore discreto (in henry).
L2	Induttanza del secondo induttore discreto (in henry).

Cristallo

Nome del parametro	Descrizione
F0	Frequenza nominale di uscita del cristallo (in hertz).
Q	Fattore di qualità del modello circuitale elettrico equivalente del cristallo.
R	Resistenza presentata dal cristallo alla frequenza di risonanza serie (in ohm).

Flip-flop D

Nome del parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo rispetto a clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clock (in farad).
data_load_inst	Valore del carico dati (in farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto a reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto a set (in secondi).
set_load	Valore del carico di set (in farad).

Latch D (Latch D digitale)

Nome del parametro	Descrizione
data_delay_inst	Ritardo rispetto ai dati (in secondi).
data_load_inst	Carico dati (in farad).
enable_delay_inst	Ritardo rispetto all'abilitazione (in secondi).
enable_load_inst	Valore del carico di abilitazione (in farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto a RESET (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto a SET (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in farad).

Darlington BJT NPN (Transistor bipolare Darlington NPN)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

Darlington BJT PNP (Transistor bipolare Darlington PNP)

Consultare le sezioni 8.2.1 Gummel-Poon Models e 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor del Manuale utente di Ngspice.

Generatore di corrente continua

Nome del parametro	Descrizione
DC	Ampiezza della corrente del generatore (in ampere).

Motore in corrente continua

Nome del parametro	Descrizione
BM	Attrito viscoso (in N * m / (rad * s)).
JM	Momento d'inerzia (in kg * m²).
KE	Costante della forza controelettromotrice (in V * s / rad).
KT	Costante di coppia (in N * m / A).
LA	Induttanza di armatura (in henry).
RA	Resistenza di armatura (in ohm).
TL	Coppia di carico (in N * m).

Linea di ritardo

Nome del parametro	Descrizione
DELAY	Tempo di ritardo (in secondi).

DIAC (tiristore DIAC)

Nome del parametro	Descrizione
RS	Resistenza in serie (in ohm).
VK	Tensione di breakdown (in volt).

0 digitale (generatore di zero digitale)

Nome del parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

1 digitale (generatore di uno digitale)

Nome del parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).

AND digitale (porta AND digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

Buffer digitale (buffer digitali)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

Clock digitale

Nome del parametro	Descrizione
adc_fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
adc_in_high_inst	Valore minimo dell'ingresso analogico corrispondente a 1 (in volt).
adc_in_low_inst	Valore massimo dell'ingresso analogico corrispondente a 0 (in volt).
adc_rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
period	Periodo (in secondi).
phase	Fase del segnale impulsivo (in gradi).
pwidth	Durata dell'impulso (in secondi).
tdelay	Tempo di ritardo (in secondi).
tfall	Tempo di discesa (in secondi).
trise	Tempo di salita (in secondi).
vhigh	Valore durante l'impulso (in volt).
vlow	Valore iniziale (in volt).

Invertitore digitale

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

NAND digitale (porta NAND digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

NOR digitale (porta NOR digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

NOT digitale (porta NOT digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

OR digitale (porta OR digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	Capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a uno digitale (in secondi).

XNOR digitale (porta XNOR digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita a zero digitale (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita al livello logico uno (in secondi).

XOR digitale (porta XOR digitale)

Nome del parametro	Descrizione
fall_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita al livello logico zero (in secondi).
input_load_inst	La capacità di uno o di tutti gli ingressi digitali (in farad).
rise_delay_inst	Il tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita al livello logico uno (in secondi).

Diodo

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Relè DPDT (relè bipolare a doppia via)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in ohm).

Interruttore DPDT (interruttore bipolare a doppia via)

Nome del parametro	Descrizione
nodesUP_closed	Se nodesUP_closed > 0, l'interruttore chiude i circuiti nella posizione superiore. Altrimenti, l'interruttore chiude i circuiti nella posizione inferiore.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Pulsante DPST (pulsante bipolare a singola via)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude i circuiti. Altrimenti, il pulsante apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Relè DPST (relè bipolare a singola via)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in ohm).

Interruttore DPST (interruttore bipolare a singola via)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l'interruttore chiude i circuiti. Altrimenti, l'interruttore apre i circuiti.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

DtoA (ponte DtoA)

Nome del parametro	Descrizione
input_load_inst	Carico in ingresso (in farad).
out_high_inst	Uscita analogica corrispondente al valore logico 1 (in volt).
out_low_inst	Uscita analogica corrispondente al valore logico 0 (in volt).
out_undef_inst	Uscita analogica corrispondente a un valore logico indefinito (in volt).
t_fall_inst	Tempo di discesa 1->0 (in secondi).
t_rise_inst	Tempo di salita 0->1 (in secondi).

Doppio diodo

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

FSK (modulatore a spostamento di frequenza)

Nome del parametro	Descrizione
NC0	Numero di cicli della forma d'onda di uscita che si verificano durante un singolo bit zero della forma d'onda di ingresso.
NC1	Numero di cicli della forma d'onda di uscita che si verificano durante un singolo bit uno della forma d'onda di ingresso.
TB	Durata di un singolo bit (in secondi).
WMAG	Ampiezza della forma d'onda di uscita (in volt).

Generatore di corrente a funzione (generatore di corrente funzionale)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

Generatore di tensione funzionale

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

Fusibile

Nome del parametro	Descrizione
CURRENT	Corrente del fusibile (in ampere).
RESISTANCE	Resistenza interna (in ohm).

Giratore

Nome del parametro	Descrizione
G	Conduttanza di girazione (in mho).

Induttore

Nome del parametro	Descrizione
CPAR	Capacità equivalente in parallelo (in farad).
DTEMP	Differenza di temperatura operativa del componente (in °C).
Corrente iniziale	Corrente che attraversa l'induttore all'istante zero (in ampere).
M	Numero di unità in parallelo.
RPAR	Resistenza equivalente in parallelo (in ohm).
RSER	Resistenza equivalente in serie (in ohm).
TC1	Coefficiente di temperatura del primo ordine.
TC2	Coefficiente di temperatura del secondo ordine.
TEMP	Temperatura operativa del componente (in °C).
Value	Valore dell'induttanza (in henry).

Si noti che il parametro T_REL_LOCAL non viene utilizzato in questo componente.

Il circuito equivalente di un induttore.

ISRC (Generatore di corrente)

Consultare Verifica e preparazione di un progetto per la simulazione – Aggiunta e configurazione di una sorgente di simulazione.

JFET N-ch Level1 (Transistor a effetto di campo a giunzione a canale N, livello 1)

Consultare la sezione 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manuale utente di Ngspice.

JFET N-ch Level2 (Transistor a effetto di campo a giunzione a canale N, livello 2)

Consultare la sezione 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manuale utente di Ngspice.

JFET P-ch Level1 (Transistor a effetto di campo a giunzione a canale P, livello 1)

Consultare la sezione 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification del Manuale utente di Ngspice.

JFET P-ch Level2 (Transistor a effetto di campo a giunzione a canale P, livello 2)

Consultare la sezione 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model del Manuale utente di Ngspice.

Flip-flop JK

Nome del parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo rispetto a clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clk (in farad).
fall_delay_inst	Ritardo di discesa (in secondi).
jk_load_inst	Valori dei carichi di J e K (in farad).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto al reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in farad).
rise_delay_inst	Ritardo di salita (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto al set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in farad).

LED (Diodo a emissione luminosa)

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Regolatore di tensione lineare (regolabile) (Regolatore di tensione positiva regolabile)

Nessun parametro presente

Regolatore di tensione lineare (fisso) (Regolatore di tensione positiva fissa)

Nome del parametro	Descrizione
Av_feedback	Av*Fattore di retroazione (Av_feedback = 1665 per Vout = 5V (predefinito); Av_feedback = 694 per Vout = 12V; Av_feedback = 550 per Vout = 15V).
R1_Value	Valore di R1 (in ohm) (R1_Value = 1020 per Vout = 5V (predefinito); R1_Value = 2448 per Vout = 12V; R1_Value = 3060 per Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (MOSFET a canale N, modello MOS1 di Shichman e Hodges)

Consultare le sezioni 11.2.1 MOS Level 1 e 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (MOSFET a canale N, modello MOS2 di Grove-Frohman)

Consultare le sezioni 11.2.2 MOS Level 2 e 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (MOSFET a canale N, modello MOS3)

Consultare le sezioni 11.2.3 MOS Level 3 e 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (MOSFET a canale N, modello BSIM1)

Consultare le sezioni 11.2.8 BSIM1 model (level 4) e 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (MOSFET a canale N, modello BSIM2)

Consultare le sezioni 11.2.9 BSIM2 model (level 5) e 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (MOSFET a canale N, modello MOS6)

Consultare le sezioni 11.2.4 MOS Level 6 e 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (MOSFET a canale N, modello BSIM3v0 v3.0)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (MOSFET a canale N, modello BSIM3v1 v3.1)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (MOSFET a canale N, modello BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (modello BSIM3v3 v3.3.0 di MOSFET a canale N)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (modello MOS9 di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (modello BSIM4SOI v4.3.1 di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (modello BSIM4v5 v4.0 - 4.5 di MOSFET a canale N)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (modello BSIM4v6 v4.6.5 di MOSFET a canale N)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (modello BSIM4v7 v4.7.0 di MOSFET a canale N)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (modello BSIM4v7 v4.7.0 di MOSFET a canale N)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (modello BSIM3SOI_FD di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (modello BSIM3SOI_DD di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (modello BSIM3SOI_PD di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (modello HISIM2 v2.8.0 di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (modello HISIM_HV1 v1.2.4 di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (modello HISIM_HV2 v2.2.0 di MOSFET a canale N)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (modello VDMOS di MOSFET di potenza a canale N)

Consultare la sezione 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (modello MOS1 di Shichman e Hodges di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.1 MOS Level 1 e 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (modello MOS2 Grove-Frohman di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.2 MOS Level 2 e 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (modello MOS3 di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.3 MOS Level 3 e 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (modello BSIM1 di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.8 BSIM1 model (level 4) e 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (modello BSIM2 di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.9 BSIM2 model (level 5) e 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (modello MOS6 di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.4 MOS Level 6 e 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (modello BSIM3v0 v3.0 di MOSFET a canale P)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (Modello MOSFET a canale P BSIM3v1 v3.1)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (Modello MOSFET a canale P BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (Modello MOSFET a canale P BSIM3v3 v3.3.0)

Consultare le sezioni 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) e 31.6.8 BSIM3 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (Modello MOSFET a canale P MOS9)

Consultare la sezione 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (Modello MOSFET a canale P BSIM4SOI v4.3.1)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (Modello MOSFET a canale P BSIM4v5 v4.0 - 4.5)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (Modello MOSFET a canale P BSIM4v6 v4.6.5)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (Modello MOSFET a canale P BSIM4v7 v4.7.0)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (Modello MOSFET a canale P BSIM4v8 v4.8.1)

Consultare le sezioni 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) e 31.6.9 BSIM4 del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (Modello MOSFET a canale P BSIM3SOI_FD)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (Modello MOSFET a canale P BSIM3SOI_DD)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (Modello MOSFET a canale P BSIM3SOI_PD)

Consultare la sezione 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (Modello MOSFET a canale P HISIM2)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (Modello MOSFET a canale P HISIM_HV1 v1.2.4)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (Modello MOSFET a canale P HISIM_HV2 v2.2.0)

Consultare la sezione 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima del Manuale utente di Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (Modello MOSFET di potenza a canale P VDMOS)

Consultare la sezione 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) del Manuale utente di Ngspice.

Mutua induttanza (Mutua induttanza con elenco di induttori)

Nome del parametro	Descrizione
Fattore di accoppiamento	Coefficiente di accoppiamento.
Elenco degli induttori	Nomi degli induttori accoppiati.

OpAmp (Amplificatore operazionale ideale)

Nome del parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

OpAmp con terminali di alimentazione (Amplificatore operazionale ideale)

Nome del parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

Pentodo

Nome del parametro	Descrizione
CCG	Capacità di ingresso (tra griglia 1 e catodo) (in farad).
CCP	Capacità di uscita (tra anodo e catodo) (in farad).
CPG1	Capacità di Miller (tra griglia 1 e anodo) (in farad).
EX	Esponente.
KG1	Parametro inversamente proporzionale alla corrente anodica complessiva.
KG2	Inverso della sensibilità della corrente di griglia schermo.
KP	Parametro che influisce sulle correnti anodiche per tensioni anodiche elevate e tensioni di griglia fortemente negative.
KVB	Parametri del ginocchio (in volt).
MU	Fattore di amplificazione.
RGI	Resistenza tra griglia e catodo (in ohm).
VCT	Potenziale di contatto (in volt).

Fotodiodo

Nome del parametro	Descrizione
BV	Tensione di breakdown inverso (in volt).
CJO	Capacità di giunzione a polarizzazione nulla (in farad).
IS	Corrente di saturazione (in ampere)
N	Coefficiente di emissione.
RESP	Sensibilità (in ampere/watt).
Rint	Resistenza interna (in ohm).

Controllore PID

Nome del parametro	Descrizione
KD	Fattore di scala derivativo.
KI	Fattore di scala integrale.
KP	Fattore di scala proporzionale.

Potenziometro

Nome del parametro	Descrizione
position	La posizione del cursore lungo la pista resistiva. Il valore può variare da 0 (completamente a sinistra/in senso antiorario) a 1 (completamente a destra/in senso orario), con 0,5 che corrisponde al punto intermedio, con resistenza uguale su entrambi i lati.
value	Valore massimo della resistenza (in ohm).

PSK (modulatore a spostamento di fase)

Nome del parametro	Descrizione
NC	Numero di cicli della forma d'onda di uscita che si verificano durante un bit della forma d'onda di ingresso.
TB	Durata di un singolo bit (in secondi).
WMAG	Ampiezza della forma d'onda di uscita (in volt).

PSPICE AND (porta logica AND PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello del ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE AND3 (porta logica AND a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello del ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE BUF (buffer digitale PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello del ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE BUF3 (buffer digitale a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello del ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE INV (invertitore digitale PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE INV3 (invertitore digitale a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NAND (porta logica NAND PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NAND3 (porta logica NAND a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NOR (porta logica NOR PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NOR3 (porta logica NOR a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NXOR (porta logica NXOR PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE NXOR3 (porta logica NXOR a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE OR (porta logica OR PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE OR3 (porta logica OR a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE STIM (generatore di stimoli digitali PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

signal

Coppie di tempo e valore. Il primo numero di ogni coppia specifica l'istante (in secondi) del nuovo valore (0, 1, X o Z).

PSPICE XOR (porta logica XOR PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

PSPICE XOR3 (porta logica XOR a tre stati PSPICE)

Nome del parametro

Descrizione

IO_LEVEL

Definisce il livello del modello di sottocircuito di interfaccia che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale collegato a un componente analogico:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = AtoD1 e DtoA1
2 = AtoD2 e DtoA2
3 = AtoD3 e DtoA3
4 = AtoD4 e DtoA4

MNTYMXDLY

Definisce il livello di ritardo di propagazione digitale che il simulatore deve utilizzare per un componente digitale:

0 = valore predefinito per l'intero circuito
1 = minimo
2 = tipico
3 = massimo
4 = caso peggiore (min/max)

Pulsante NC (pulsante normalmente chiuso)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude il circuito. Altrimenti il pulsante apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Pulsante NO (pulsante normalmente aperto)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, il pulsante chiude il circuito. Altrimenti il pulsante apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

PUT (tiristore PUT)

Nome del parametro	Descrizione
DVDT	Velocità critica di salita della tensione nello stato di interdizione (in volt/secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in ampere).
IH	Corrente continua di mantenimento (in ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Tensione massima ripetitiva di picco nello stato di interdizione (in volt).
VTMIN	Tensione minima anodo-catodo nello stato di conduzione (in volt).

PWM (generatore di modulazione a larghezza di impulso)

Nome del parametro	Descrizione
MODFREQ	Frequenza della forma d'onda modulante (in hertz).
MODHIGH	Valore alto della tensione della forma d'onda modulante (in volt).
MODLOW	Valore basso della tensione della forma d'onda modulante (in volt).
PWMHIGH	Valore alto della tensione di uscita PWM (in volt).
PWMLOW	Valore basso della tensione di uscita PWM (in volt).

Generatore PWM (generatore di modulazione a larghezza di impulso)

Nome del parametro	Descrizione
MODFREQ	Frequenza della forma d'onda modulante (in hertz).
MODHIGH	Valore alto della tensione della forma d'onda modulante (in volt).
MODLOW	Valore basso della tensione della forma d'onda modulante (in volt).
PWMHIGH	Valore alto della tensione di uscita PWM (in volt).
PWMLOW	Valore basso della tensione di uscita PWM (in volt).

QAM (generatore di modulazione di ampiezza in quadratura)

Nome del parametro	Descrizione
F0	Frequenza portante (in hertz).

Resistore

Nome del parametro	Descrizione
DTEMP	Differenza di temperatura operativa del componente (in °C).
TC	Elenco di coefficienti polinomiali separati da virgole che definiscono la dipendenza della resistenza dalla temperatura. Ad esempio, quando vengono specificati quattro coefficienti polinomiali (`a, b, c, d`), la resistenza `R` sarà: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, dove `R0` è la resistenza alla temperatura nominale e `dt` è la differenza tra la temperatura del resistore e la temperatura nominale. Si noti che, se definiti, i parametri `TC1` e `TC2` hanno la precedenza sul parametro `TC`. Per utilizzare il parametro `TC`, cancellare i valori di `TC1` e `TC2`.
TC1	Coefficiente di temperatura del primo ordine.
TC2	Coefficiente di temperatura del secondo ordine.
TEMP	Temperatura operativa del componente (in °C).
Valore	Valore della resistenza (in ohm).

Si noti che il parametro T_REL_LOCAL non viene utilizzato in questo componente.

Risonatore

Nome del parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in hertz).
Lin	Valore dell'induttanza (in henry).
Q0	Fattore di qualità.

SCR (tiristore SCR)

Nome del parametro	Descrizione
DVDT	Velocità critica di salita della tensione nello stato di interdizione (in volt/secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in ampere).
IH	Corrente continua di mantenimento (in ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Tensione massima ripetitiva di picco nello stato di interdizione (in volt).
VTMIN	Tensione minima anodo-catodo nello stato di conduzione (in volt).

Diodo Schottky

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Snubber

Nome del parametro	Descrizione
CSNUB	Valore della capacità in parallelo (in farad).
RSNUB	Valore della resistenza in parallelo (in ohm).

Spinterometro (scaricatore a scintilla)

Nome del parametro	Descrizione
CARC	Capacità dell'arco (in farad).
CPAR	Capacità tra gli elettrodi (in farad).
ISUS	Corrente di mantenimento al di sotto della quale l'arco si estingue (in ampere).
LPL	Induttanza dei terminali (in henry).
RNEG	Resistenza negativa dopo l'innesco (in ohm).
RPL	Perdita di flusso associata a LPL (in ohm).
VARC	Tensione ai capi dello spinterometro dopo l'innesco (in volt).
VTHRES	Tensione di innesco dello spinterometro (in volt).

Relè SPDT (relè unipolare a due vie)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di comando per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di comando per lo stato ON (in ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in ohm).

Commutatore SPDT (commutatore unipolare a due vie)

Nome del parametro	Descrizione
nodeUP_closed	Se nodeUP_closed > 0, il commutatore chiude il circuito nella posizione superiore. Altrimenti, il commutatore chiude il circuito nella posizione inferiore.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Relè SPST NC (relè unipolare a una via normalmente chiuso)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in ohm).

Relè SPST NO (relè unipolare a una via normalmente aperto)

Nome del parametro	Descrizione
IOFF	Corrente di controllo per lo stato OFF (in ampere).
ION	Corrente di controllo per lo stato ON (in ampere).
L_C	Induttanza della bobina (in henry).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
R_C	Resistenza della bobina (in ohm).

SW SPST (interruttore unipolare a una via)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l'interruttore chiude il circuito. Altrimenti, l'interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Flip-flop SR

Nome del parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo rispetto a clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clk (in farad).
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita allo zero logico (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto a reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita all'uno logico (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto a set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in farad).
sr_load_inst	Carichi di set/reset (in farad).

Latch SR (latch SR digitale)

Nome del parametro	Descrizione
enable_delay_inst	Ritardo rispetto a enable (in secondi).
enable_load_inst	Valore del carico di enable (in farad).
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita allo zero logico (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto a RESET (in secondi).
reset_load_inst	Carico di reset (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita all'uno logico (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto a SET (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in farad).
sr_delay_inst	Ritardo rispetto alla variazione dell'ingresso s o r (in secondi).
sr_load_inst	Carichi degli ingressi s & r (in farad).

Motore passo-passo

Nome del parametro	Descrizione
HARDNESS	Fattore adimensionale che imposta la rigidità del finecorsa.
JLOAD	Momento d'inerzia dell'albero motore (in kg * m²).
JMOTOR	Momento d'inerzia del carico del motore (in kg * m²).
K	Costante del motore (in V * s / rad).
KD	Coppia di smorzamento (in N * m / (rad * s)).
LIMIT	Posizione del finecorsa meccanico (in radianti).
LS	Induttanza della bobina dello statore (in henry).
RS	Resistenza della bobina dello statore (in ohm).
STEP_ANGLE	Ampiezza angolare di un passo intero (in gradi).
TD	Coppia di detent (in N * m).
TLOAD	Coppia del carico (in N * m).

Soppressore doppio

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

Soppressore singolo

Fare riferimento alla sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

SW NC (interruttore normalmente chiuso)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l'interruttore chiude il circuito. Altrimenti, l'interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

SW NO (interruttore normalmente aperto)

Nome del parametro	Descrizione
closed	Se closed > 0, l'interruttore chiude il circuito. Altrimenti, l'interruttore apre il circuito.
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).

Condensatore commutato

Nome del parametro	Descrizione
CVALUE	Valore della capacità (in farad).
FSAMPLE	Frequenza di commutazione (in hertz).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).

Flip-flop T (Flip-flop T digitale)

Nome del parametro	Descrizione
clk_delay_inst	Ritardo rispetto a clk (in secondi).
clk_load_inst	Valore del carico di clk (in farad).
fall_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita allo zero digitale (in secondi).
reset_delay_inst	Ritardo rispetto al reset (in secondi).
reset_load_inst	Carico del reset (in farad).
rise_delay_inst	Tempo di ritardo tra una variazione dello stato interno del modello, determinata dai suoi ingressi, e il passaggio dell'uscita all'uno digitale (in secondi).
set_delay_inst	Ritardo rispetto al set (in secondi).
set_load_inst	Valore del carico di set (in farad).
t_load_inst	Valore del carico dell'ingresso toggle (in farad).

Tetrodo

Nome del parametro	Descrizione
CCG	Capacità d'ingresso (tra griglia 1 e catodo) (in farad).
CCP	Capacità d'uscita (tra anodo e catodo) (in farad).
CPG1	Capacità di Miller (tra griglia 1 e anodo) (in farad).
EX	Esponente.
KG1	Parametro inversamente proporzionale alla corrente anodica complessiva.
KG2	Inverso della sensibilità della corrente di griglia schermo.
KP	Parametro che influisce sulle correnti anodiche in presenza di tensioni anodiche elevate e tensioni di griglia fortemente negative.
KVB	Parametri del ginocchio (in volt).
MU	Fattore di amplificazione.
RGI	Resistenza tra griglia e catodo (in ohm).

SW temporizzato (Interruttore temporizzato)

Nome del parametro	Descrizione
Rclosed	Resistenza nello stato chiuso (in ohm).
Ropen	Resistenza nello stato aperto (in ohm).
tSwitch	Istante in cui l'interruttore inizia a commutare (in secondi).
ttran	Tempo necessario per cambiare stato (in secondi). Questo valore deve essere realistico, non 0.

TL senza perdite (Linea di trasmissione senza perdite)

Nome del parametro	Descrizione
Impedenza caratt.	Impedenza caratteristica (in ohm).
Frequenza	Frequenza (in hertz).
Corrente iniziale 1	Corrente all'istante zero alla porta 1 della linea di trasmissione (in ampere).
Corrente iniziale 2	Corrente all'istante zero alla porta 2 della linea di trasmissione (in ampere).
Tensione iniziale 1	Tensione all'istante zero alla porta 1 della linea di trasmissione (in volt).
Tensione iniziale 2	Tensione all'istante zero alla porta 2 della linea di trasmissione (in volt).
Lunghezza normalizzata	Lunghezza elettrica della linea di trasmissione normalizzata rispetto alla lunghezza d'onda nella linea, alla frequenza specificata.
Ritardo di trasmissione	Ritardo di trasmissione (in secondi).

Trasformatore ideale (Trasformatore ideale)

Nome del parametro	Descrizione
GAIN	Guadagno di tensione.

Trasformatore a larga banda (Trasformatore a larga banda)

Nome del parametro	Descrizione
FH	Frequenza di taglio superiore (in hertz).
FL	Frequenza di taglio inferiore (in hertz).
N	Numero di spire.
RS	Resistenza in serie del primario (in ohm).

Trasformatore ideale con presa centrale (Trasformatore ideale con presa centrale)

Nome del parametro	Descrizione
L1	Induttanza del primario (in henry).
L2	Induttanza del secondario 1 (in henry).
L3	Induttanza del secondario 2 (in henry).

TRIAC (Tiristore TRIAC)

Nome del parametro	Descrizione
DVDT	Velocità critica di crescita della tensione nello stato di interdizione (in volt/secondo).
IGT	Corrente di innesco del gate (in ampere).
IH	Corrente di mantenimento in continua (in ampere).
K1	Fattore di regolazione per DVDT.
K2	Fattore di regolazione per TQ.
TON	Tempo di accensione (in secondi).
TQ	Tempo di spegnimento (in secondi).
VDRM	Massima tensione di picco ripetitiva nello stato di interdizione (in volt).
VTMIN	Tensione minima tra anodo e catodo nello stato di conduzione (in volt).

Triodo

Nome del parametro	Descrizione
CGC	Capacità tra griglia e catodo (in farad).
CGP	Capacità tra griglia e anodo (in farad).
CPC	Capacità tra anodo e catodo (in farad).
K	Costante k della valvola.
MU	Costante mu della valvola.

Varactor

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

VCCS (Generatore di corrente controllato in tensione)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Transconduttanza (in mho).

VCCS_Expr (Generatore di corrente controllato in tensione con espressione arbitraria)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

VCCS_Poly (Generatore di corrente controllato in tensione con funzione POLY di SPICE)

Nome del parametro	Descrizione
Elenco dei coefficienti	Coefficienti del polinomio.
Nomi dei nodi	Insieme delle tensioni di controllo.
Ordine	Il numero di dimensioni del polinomio. Il numero di coppie di nodi di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.

VCCS_Table (Generatore di corrente controllato in tensione con funzione tabellare)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulati, mediante interpolazione lineare.
Tabella	Coppie di valori.

VCO (Oscillatore controllato in tensione)

Nome del parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in hertz).
KF	Sensibilità (in Hz/V).
VP	Ampiezza (in volt).

VCO Square (Oscillatore a onda quadra controllato in tensione)

Nome del parametro	Descrizione
F0	Frequenza centrale (in hertz).
KF	Sensibilità (in Hz/V).
VH	Valore di picco alto dell'uscita (in volt).
VL	Valore di picco basso dell'uscita (in volt).

VCSW_Hysteresis (Interruttore controllato in tensione con isteresi)

Nome del parametro	Descrizione
Condizione iniziale	Lo stato iniziale dell'interruttore, aperto (OFF) o chiuso (ON).
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
VH	Tensione di isteresi (in volt).
VT	Tensione di soglia (in volt).

VCSW_Smooth_Trans (Interruttore controllato in tensione con transizione graduale)

Nome del parametro	Descrizione
ROFF	Resistenza nello stato OFF (in ohm).
RON	Resistenza nello stato ON (in ohm).
VOFF	Tensione di controllo per lo stato OFF (in volt).
VON	Tensione di controllo per lo stato ON (in volt).

VCVS (Generatore di tensione controllato in tensione)

Nome del parametro	Descrizione
Guadagno	Guadagno di tensione.

VCVS_Expr (Generatore di tensione controllato in tensione con espressione arbitraria)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che definisce la forma d'onda del generatore.

VCVS_Poly (Generatore di tensione controllato in tensione con funzione SPICE POLY)

Nome del parametro	Descrizione
Elenco dei coefficienti	Coefficienti del polinomio.
Nomi dei nodi	Insieme delle tensioni di controllo.
Ordine	Il numero di dimensioni del polinomio. Il numero di coppie di nodi di controllo deve essere uguale al numero di dimensioni.

VCVS_Table (Generatore di tensione controllato in tensione con funzione tabellare)

Nome del parametro	Descrizione
Espressione	Espressione che fornisce il valore x, utilizzato per generare il corrispondente valore y in base alle coppie di valori tabulati, mediante interpolazione lineare.
Tabella	Coppie di valori.

Differenza di tensione

Nessun parametro presente

Moltiplicatore di tensione

Nessun parametro presente

Somma di tensioni (Sommatore di tensione)

Nessun parametro presente

VSRC (Generatore di tensione)

Consultare Verifica e preparazione di un progetto per la simulazione – Aggiunta e configurazione di un generatore per la simulazione.

Diodo Zener

Consultare la sezione 7.1 Junction Diodes del Manuale utente di Ngspice.

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