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시뮬레이션 구성 및 실행

Updated: April 20, 2026

그 Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel은 시뮬레이션 분석을 구성하고 실행하는 데 사용됩니다. 회로가 검증되고 시뮬레이션 준비가 완료되면, 아래 섹션에 설명된 대로 필요한 분석 유형을 구성하십시오.

이 Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel의다음 섹션에서는 일반적인 시뮬레이션 분석 및 추가 시뮬레이션 설정을 구성
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다음 섹션에서는 일반적인 시뮬레이션 분석 및 추가 시뮬레이션 설정을 구성하는 방법을 설명합니다.

Number formats

[패널]의 Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel의 영역에서 정의된 수치 필드는 일반, 공학 및 과학의 세 가지 파라미터 형식으로 입력할 수 있습니다.

일반 형식에서는 숫자를 명시적으로 입력합니다(예: '1000000'와 같이 백만이라는 수치를 명시적으로 입력합니다.

공학 형식에서는 숫자를 맨티사(임의의 실수)와 아래 표에 따라 한 자리 이상으로 입력된 지수 형태로 나타냅니다. 예를 들어, 공학 형식에서 1백만은 '1meg'.

접두사 심볼 명칭 및 값
f 펨토, 10⁻¹⁵
p 피코, 10-12
n 나노, 10⁻⁹
u 마이크로, 10⁻⁶
m 밀리, 10⁻³
k 킬로,10³
메가 메가,10⁶
g 기가,10⁹
t 테라,10¹²

과학적 표기법을 사용하면 수를 맨티사와 10의 지수인 지수 부분, 이렇게 두 부분으로 표현할 수 있습니다. 맨티사와 지수를 구분할 때는 라틴 문자 'e'를 사용해야 합니다. 예를 들어, '1e6'는 100만입니다. 맨티사와 지수는 실수로 정의됩니다.

동작점 분석

동작점 분석은 인덕터를 단락시키고 커패시터를 개방한 상태에서 회로의 직류(DC) 동작점을 결정하는 데 사용됩니다. 이 분석은 정상태 회로 동작 시 전류 및 전압 평형점의 값과 직류 모드의 전달 계수를 계산할 뿐만 아니라, 다른 유형의 계산에 필요한 교류 전달 특성의 극과 영점을 계산합니다.

동작점 분석 Configuration은 Operating Point Region of the Simulation Dashboard Panel의

버튼을 사용하여 Display on schematic 버튼을 사용하여 계산된 값을 Schematic에 직접 표시할 수 있습니다:

  • Voltage – 기준 노드를 기준으로 한 노드 전압 표시
  • Power – 순간 소비 전력(양수 값) 또는 방출 전력(음수 값) 표시
  • Current – 컴포넌트 출력 전류를 표시합니다.

분석이 실행된 후, 계산된 전압, 전력 및/또는 전류 값이 해당 노드에 레이블로 표시됩니다.

  • 라벨은 클릭 후 누른 채로 드래그하는 방식으로 Schematic에 이동할 수 있습니다.
  • 동작점 분석이 실행되면 계산된 값을 Schematic에 표시할 수도 있습니다.

시뮬레이션 결과 문서에는 회로에 배치된 프로브에 대한 계산 결과가 포함됩니다.

회로 내 모든 노드에 대한 값이 자동으로 계산됩니다. 결과 테이블에는 Sim Data Panel을 통해 결과 테이블에 추가 값을 추가할 수 있습니다. 텍스트 데이터 작업에 대해 자세히 알아보세요.

회로에 대해 구성된 동작점 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서가 아래에 표시되어 있습니다. 시뮬레이션 실행 후 나타나는 결과 값 레이블(활성화된 전압 및 전력 계산용)이 Schematic 시트에 표시된다는 점에 유의하십시오. 시뮬레이션 결과 문서에 다른 계산된 값을 추가하는 예도 함께 표시되어 있습니다.

 

노드 설정(Node Set) 장치는 동작점 분석의 예비 단계에서 회로 내 노드의 시작 전압을 지정하는 데 사용됩니다. 이 초기 단계가 끝나면 제한이 해제되고, 반복 계산이 실제 바이어스 해를 구할 때까지 계속됩니다. 노드 설정 장치를 사용하려면 .NS 컴포넌트에서 Simulation Generic Components 라이브러리에서부품을 배치한 다음, 배치된 부품의 Initial Voltage 컴포넌트의 값을 설정합니다.

대부분의 회로에서 수렴을 달성하기 위해 이 장치가 반드시 필요한 것은 아닙니다. 그러나 쌍안정 또는 비안정 회로에 대한 시뮬레이션을 수행할 때 유용한 도구가 될 수 있습니다.

전달 함수 분석

전달 함수 분석(DC 소신호 분석)은 회로의 각 전압 노드에서 DC 입력 저항, DC 출력 저항 및 DC 이득을 계산합니다.

전달 함수 분석을 수행하려면 Transfer Function 옵션을 활성화하십시오. Operating Point Region of the Simulation Dashboard Panel의 영역에서 이 옵션을 활성화하십시오. 옵션이 활성화되면 해당 분석 옵션을 사용할 수 있습니다:

  • Source Name – 계산의 입력 기준값으로 사용되는 소신호 입력 소스.
  • Reference Node – 지정된 각 전압 노드에서 계산의 기준이 되는 회로 내의 노드. '0'는 기준 노드입니다(GND 기본값).

회로에 대해 Configuration으로 수행된 전달 함수 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서가 아래에 표시되어 있습니다. 시뮬레이션 결과 문서에서 Transfer Function 디자인 공간 하단의 탭을 클릭하여 차트를 선택하면 분석 결과를 확인할 수 있습니다.

처음에는 차트에 데이터가 표시되지 않는다는 점에 유의하십시오. 계산된 값은 Sim Data Panel. 텍스트 데이터 작업에 대해 자세히 알아보세요. 결과 테이블에 추가할 수 있습니다.

 

극-영점 분석

극-영점 분석을 사용하면 회로의 소신호 AC 전달 함수에서 극 및/또는 영점을 계산하여 단일 입력, 단일 출력의 선형 시스템 안정성을 판단할 수 있습니다. 회로의 DC 동작점을 구한 후 선형화하고, 회로 내 모든 비선형 소자에 대한 소신호 모델을 결정합니다. 그런 다음 이 회로를 사용하여 지정된 전달 함수를 만족하는 극점과 영점을 구합니다.

극-영점 분석은 저항, 커패시터, 인덕터, 선형 제어 소스, 독립 소스, 다이오드, BJT, MOSFET 및 JFET에 적용할 수 있습니다. 전송선은 지원되지 않습니다.

극-영점 분석을 수행하려면 Pole-Zero Analysis 옵션을 활성화하십시오. Operating Point Region of the Simulation Dashboard Panel의 영역에서옵션을 활성화하십시오. 이 옵션이 활성화되면 해당 분석 옵션을 사용할 수 있습니다:

  • Input Node – 회로의 양의 입력 노드.

  • Input Reference Node – 회로의 입력에 대한 기준 노드.

  • Output Node – 회로의 양극 Output 노드.

  • Output Reference Node – 회로의 Output에 대한 기준 노드.

  • Analysis Type – 분석의 범위를 더욱 세밀하게 조정할 수 있습니다. 회로의 전달 함수를 만족하는 모든 극점(Poles Only), 모든 영점(Zeros Only), 또는 둘 다 Poles 와 Zeros를 모두 찾을 수 있습니다.

  • Transfer Function Type – 극점 및/또는 영점을 계산할 때 회로에 사용할 AC 소신호 전달 함수의 유형을 정의합니다. 사용 가능한 유형은 두 가지입니다:

    • V(output)/V(input) – 전압 이득 전달 함수.

    • V(output)/I(input) – 임피던스 전달 함수.

노드를 선택할 때, '0' 노드가 기준 노드(GND 기본값)임을 유의하십시오.

회로에 대해 구성된 극-영점 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서가 아래에 표시되어 있습니다. 시뮬레이션 결과 문서에서 Pole-Zero Analysis 차트를 선택하여 분석 결과를 확인하십시오.

 
극-영점 분석에 사용되는 방법은 차선적 수치 탐색법입니다. 대규모 회로의 경우, 모든 극점과 영점을 찾는 데 상당한 시간이 걸리거나 찾지 못할 수도 있습니다. 일부 회로의 경우, 이 방법이 “오류를 일으켜” 과도한 수의 극점이나 영점을 찾아내기도 합니다. 극점과 영점을 모두 찾는 과정에서 수렴되지 않는 경우, 분석을 세분화하여 극점만 또는 영점만 계산하도록 하십시오.

DC 스윕

DC 스윕 분석은 커브 트레이서와 유사한 Output을 생성합니다. 이 분석은 DC 전달 곡선을 도출하기 위해 미리 정의된 단계별로 선택된 파라미터의 값을 수정하며 일련의 동작점 분석을 수행합니다.

DC 스윕 분석의 Configuration은 DC Sweep Region of the Simulation Dashboard Panel의

' Add Parameter 컨트롤을 클릭하여 단계별로 변경할 파라미터를 추가합니다. 여기에는 전압 또는 전류 소스의 DC 값, 저항값, 또는 온도(Temp)일 수 있습니다. From, To, 및 Step 필드에는 정의된 스윕 범위 내에서 사용할 시작값, 최종값 및 증분값을 각각 지정하십시오.

소스에 여러 파라미터를 추가할 수 있지만, 목록에서 (왼쪽의 확인란을 사용하여) 활성화된 첫 두 파라미터만 계산에 사용됩니다.

[ Output Expressions 섹션을 사용하여 시뮬레이션 결과 문서에 파형으로 출력될 식을 추가할 수 있습니다(회로에 배치된 프로브의 파형 외에도). 자세한 내용은‘Output 식 추가’ 섹션을 참조하십시오.

회로에 대해 Configuration된 DC 스윕 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서는 아래와 같습니다.

 

과도

과도 분석은 일반적으로 오실로스코프에 표시되는 것과 유사한 Output을 생성하며, 사용자가 지정한 시간 간격 또는 주기 수에 걸쳐 시간의 함수로서 과도 출력 변수(전압 또는 전류)를 계산합니다. Use Initial Conditions 옵션이 활성화되어 있지 않은 한, 트랜지언트 분석 전에 회로의 DC 바이어스를 결정하기 위해 작동점 분석이 자동으로 수행됩니다.

The Transient analysis is configured in the Transient Region of the Simulation Dashboard Panel은 다음과 같이 구성됩니다.

필요한 모드를 선택하고 해당 값을 정의하여 분석에 사용할 시간 간격/주기 수를 설정하십시오:

  •  – Interval 모드. 필요한 시간 간격의 시작 및 종료 값(초 단위)과 From, To, 및 Step 필드에 입력하십시오.

  •  – Period 모드. 필요한 시간 구간의 시작 및 종료 값(초 단위), 사인파의 주기 수, 그리고 사인파 주기당 데이터 포인트 수를 From, N Periods, 및 Points / Period 필드에 지정합니다.

` Output Expressions 섹션을 사용하여 시뮬레이션 결과 문서에 파형으로 출력될 표현식을 추가할 수 있습니다(회로에 배치된 프로브의 파형 외에도). 자세한 내용은‘Output 표현식 추가’ 섹션을 참조하십시오.

이 Use Initial Conditions 이 옵션을 활성화하면 작동점 분석을 건너뛰고 초기 조건을 사용하여 과도 과정을 계산할 수 있습니다. 이 옵션은 정지 작동점이 아닌 다른 지점에서 시작하는 과도 분석을 수행하고자 할 때 사용합니다. 초기 조건은 Schematic 내의 각 해당 컴포넌트에 대해 정의할 수 있습니다(예: 인덕터의 경우 파라미터 값을 정의합니다). Initial Current 인덕터의 경우 또는 Initial B-E Voltage 또는 Initial C-E Voltage 바이폴라 트랜지스터의 경우)의 값을 정의하거나, 회로에 .IC 소자를 배치할 수 있습니다(메인 메뉴에서 Simulate » Place Initial Condition 메인 메뉴의 명령을 사용하거나 .IC 컴포넌트에서 Simulation Generic Components 라이브러리에서부품을 배치한 후 배치된 부품의 Initial Voltage 값을 설정하면 됩니다). 컴포넌트의 IC 값은 Net에 연결된 .IC 객체보다 우선합니다.

회로에 대해 Configuration된 과도 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서를 아래에 보여줍니다.

 

푸리에 분석

설계의 푸리에 분석은 과도 분석 중에 캡처된 과도 데이터의 마지막 사이클을 기반으로 합니다. 예를 들어, 기본 주파수가 1kHz인 경우, 마지막 1ms 사이클의 과도 데이터가 푸리에 분석에 사용됩니다.

푸리에 분석을 수행하려면 Fourier Analysis 옵션을 활성화하십시오. Transient Region of the Simulation Dashboard Panel의 영역에서옵션을 활성화하십시오. 이 옵션이 활성화되면 해당 분석 옵션을 사용할 수 있습니다:

  • Fourier Fundamental Frequency – 사인파의 합으로 근사되는 Signal의 주파수.
  • Fourier Number of Harmonics – 분석 시 고려할 고조파의 수. 각 고조파는 기본 주파수의 정수배입니다. 기본 주파수 사인파와 고조파들이 합쳐져 분석 대상 Signal의 실제 파형을 형성합니다. 합에 포함되는 고조파가 많을수록 Signal 파형에 대한 근사도가 높아집니다(예: 사인파를 합쳐 사각파를 형성하는 경우).

회로에 대해 Configuration으로 구성된 푸리에 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서를 아래에 보여줍니다. 처음 두 개의 플롯은 회로의 과도 분석에서 얻은 파형을 보여주는 반면, 별도의 Fourier Analysis 차트에 표시된 후속 플롯들은 푸리에 분석 결과를 보여줍니다. 기본 주파수가 1kHz인 사각파는 세 번째 플롯(1kHz, 3kHz, 5kHz, 7kHz 등)이며, 각 고조파가 이어질수록 진폭이 감소하는 것을 보여줍니다.

 

응력 해석

이 기능은 오픈 베타 단계에 있으며, Simulation.StressAnalysis고급 설정 대화 상자에서 해당 옵션이 활성화되어 있을 때 사용할 수 있습니다.

응력 분석은 최대 전압, 전류, 전력 손실 등 개별 컴포넌트의 작동 조건을 계산하고, 해당 조건이 컴포넌트의 응력 모델에 정의된 한계치 이내인지 확인하는 데 사용됩니다.

컴포넌트의 응력 모델은 Configuration에서 설정됩니다. Stress 탭에서 구성됩니다. Sim Model 에서 컴포넌트의 시뮬레이션 모델이 구성됩니다. 여기에서 필요한 사항을 선택할 수 있습니다. Device Type 을 선택하고 파라미터 값을 정의할 수 있을 뿐만 아니라, 응력 모델(핀이 미리 정의되어 있음)과 시뮬레이션 모델 간의 핀 매핑을 정의할 수도 있습니다. 응력 분석 모델 Configuration에 대한 자세한 내용은싱글 컴포넌트 편집페이지를 참조하십시오.

파라미터 한계값을 낮추는 디레이팅 계수는 응력 모델 파라미터를 기반으로 계산됩니다. 또는, 해당 값을 Stress 탭에서 Advanced Analysis Settings 탭에서 직접 설정할 수도 있습니다(이 탭은 Settings 컨트롤을 클릭하여 열 수 있는대화 상자의 Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel의컨트롤을 클릭하여 열 수 있는) 대화 상자의

응력 해석을 수행하려면 Stress Analysis 패널의 Transient Region of the Simulation Dashboard Panel의 해당 영역에서이 옵션을 활성화하십시오. 시뮬레이션 결과 문서에서 Stress 차트를 선택하여 분석 결과를 확인하십시오.

 

  • 차트 상단의 컨트롤을 사용하여 Stress 차트 상단의 컨트롤을 사용하여 관심 있는 응력 해석 결과만 표시하십시오:

    • 다음 Search 필드를 사용하여 Component 또는 Parameter 입력한 문자열이 포함된 결과만 표시할 수 있습니다.
    • 이 Hide Invalid Measurement 확인란을 사용하여 유효하지 않은 것으로 간주되는 결과(및 값이 없는 결과)를 숨기십시오.

     

  • 만약 Stress 시뮬레이션 결과 문서에 차트가 없는 경우, SimView 편집기의 메인 메뉴에서 Chart » Create/Update Stress Chart SimView Editor의 메인 메뉴에 있는 명령을 사용하여 차트를 추가하고, 과도 차트의 계산 결과와 Schematic의 컴포넌트 응력 파라미터를 기반으로 데이터를 Fill할 수 있습니다. 문서에 응력 차트가 이미 존재하는 경우, 명령을 사용하여 최신 과도 해석 결과와 Schematic의 컴포넌트 응력 파라미터의 현재 값으로 차트를 업데이트하십시오.

    명령을 사용하여 응력 차트를 생성할 경우, Default 분석 온도 값인 27°C가 사용된다는 점에 유의하십시오. 차트가 이미 존재하는 경우(응력 분석이 수행된 경우), 실제 분석 온도가 사용됩니다.

AC 스윕

AC 스윕 분석은 회로의 주파수 응답을 보여주는 Output을 생성하며, 주파수의 함수로서 소신호 AC 출력 변수를 계산합니다. 먼저 동작점 분석을 수행하여 회로의 DC 바이어스를 결정하고, Signal 소스를 고정 진폭 사인파 발생기로 대체한 다음, 지정된 주파수 범위에서 회로를 분석합니다. AC 소신호 분석에서 원하는 출력은 일반적으로 전달 함수(전압 이득, 전도 임피던스 등)입니다.

AC 스윕 분석을 수행하려면 Schematic에 최소한 하나의 Signal원이 포함되어 있어야 하며, 해당 Signal원의 AC Magnitude 파라미터(선택 사항인 AC Phase 파라미터를 사용하여 초기 위상을 정의할 수 있습니다). 시뮬레이션 중에 이 소스가 사인파 발생기로 대체됩니다.

AC 스윕 분석을 수행하려면 AC 진폭 파라미터를 설정해야 합니다.
AC 스윕 분석을 수행하려면 AC 진폭 파라미터를 설정해야 합니다.

AC 스윕 분석의 Configuration은 AC Sweep Region of the Simulation Dashboard Panel의

분석을 위해 다음 파라미터를 정의하십시오:

  • Start Frequency – 사인파 발생기의 초기 주파수(Hz 단위).
  • End Frequency – 사인파 발생기의 최종 주파수(Hz 단위).
  • No. Points / Points/Dec / Points/Oct – 선택한 값과 연동되는 스윕 범위의 증분값 Type와 연동됩니다.
  • Type – 주파수 스펙트럼 내 데이터 포인트 할당 유형. 다음 세 가지 유형을 사용할 수 있습니다:
    • Linear – 선형 척도 상에 균등한 간격으로 배치된 데이터 포인트의 총 개수.
    • Decade –log10척도의 각 데케이드당 균등하게 배분된 데이터 포인트의 수.
    • Octave –log2척도에서 옥타브당 균등하게 배치된 데이터 포인트의 수.

다음 Output Expressions 섹션을 사용하여 시뮬레이션 결과 문서에 파형으로 출력될 표현식을 추가할 수 있습니다(회로에 배치된 프로브의 파형 외에도). 자세한 내용은‘Output 표현식 추가’ 섹션을 참조하십시오.

AC 스윕 분석에 대한 Output 식을 구성할 때, 다음과 같은 범위 중에서 선택할 수 있다는 점에 유의하십시오. Complex Functions 에서 Add Output Expression 대화 상자에서 다양한값 중에서 선택할 수 있다는 점에 유의하십시오.

AC 스윕 분석에 대해 복소수 함수를 사용하여 Output 식 구성하기
AC 스윕 분석에 대해 복소수 함수를 사용하여 Output 식 구성하기

함수 설명
진폭 파형의 진폭을 반환합니다.
진폭 (dB) 파동의 진폭을 데시벨(dB) 단위로 반환합니다.
실수부 복소 파형의 실수 컴포넌트를 반환합니다.
허수 복소 파형의 허수 컴포넌트를 반환합니다.
위상 (Deg) 파형의 위상을 도(°) 단위로 반환합니다.
위상 (라디안) 파동의 위상을 라디안 단위로 반환합니다.
군 지연 파형의 그룹 지연을 반환합니다.

회로에 대해 Configuration된 AC 스윕 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서를 아래에 보여줍니다.

 

AC 분석에서는 다음 컴포넌트를 포함하여 Output 전압, 전력 및 전류를 지원합니다:

VCVS VCCS CCVS CCCS
VCVS_Table VCCS_Table CCVS_Table CCCS_Table
VCVS_Poly VCCS_Poly CCVS_Poly CCCS_Poly
VCVS_Expr VCCS_Expr CCVS_Expr CCCS_Expr

노이즈 분석

노이즈 분석은 헤르츠당 볼트 제곱(V²/Hz) 단위로 측정된 노이즈인 노이즈 스펙트럼 밀도를 그래프로 표시하여, 저항 및 반도체 소자가 노이즈에 기여하는 정도를 측정합니다. 커패시터, 인덕터 및 제어된 소스는 노이즈가 없는 것으로 간주됩니다.

노이즈 분석을 수행하려면 Noise Analysis 옵션을 활성화하십시오. AC Sweep Region of the Simulation Dashboard Panel의 해당 영역에서옵션을 활성화하십시오. 이 옵션이 활성화되면 다음과 같은 관련 분석 옵션을 사용할 수 있습니다:

  • Noise Source – 노이즈 계산의 입력 기준값으로 사용될 회로 내의 독립 전압 소스.

  • Output Node – 회로에서 총 출력 노이즈를 측정할 노드.

  • Ref Node – 원하는 Output noise Output Node. Default로 이 파라미터는 '0'로 설정되어 있습니다(기준 노드이며, GND 기본값). 다른 노드로 설정된 경우, 총 출력 노이즈는 다음과 같이 계산됩니다 V(Output Node) - V(Reference Node).

  • Points Per Summary – 어떤 노이즈 측정을 수행할지 제어할 수 있습니다. 이 옵션에서는 다음 값을 지원합니다:

    • 0 – 이 파라미터를 이 값으로 설정하면 입력 및 Output 노이즈만 측정됩니다.

    • 1 – 이 파라미터를 이 값으로 설정하면 회로 내 각 컴포넌트의 노이즈 기여도를 측정합니다.

    보다 큰 정수를 입력하면 1 보다 큰 정수를 입력하는 것은 1를 지정하는 것과 같습니다.

회로에 대해 Configuration 노이즈 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서는 아래와 같습니다.

시뮬레이션 결과 문서에서 Noise Spectral Density 차트를 선택하고, Source Data 패널의 Sim Data Panel의 목록에서 해당 항목을 선택한 후 Add Wave to Plot 버튼을 클릭하여 현재 플롯에 필요한 파형을 추가하십시오. onoise_spectrum 파형(파란색)은 지정된 Output 노드에서 측정된 총 출력 노이즈를 나타내며, 이 경우 Output입니다. inoise_spectrum 파형(빨간색)은 이 노드에서 측정된 출력 노이즈를 얻기 위해 입력에 주입해야 할 노이즈의 양을 나타냅니다.

마찬가지로, Integrated Noise 차트를 선택하고, 결과 테이블의 Source Data 패널의 Sim Data Panel의 목록에서 해당 항목을 선택한 후버튼을 클릭하여 결과 테이블에 필요한 계산값을 추가하십시오. Add Wave to Plot 버튼을 클릭하여 결과 테이블에 필요한 계산값을 추가하십시오.

 
만약 Points Per Summary 파라미터가 1 로 설정되었다면 0로 설정되었다면, 회로 내 해당되는 각 컴포넌트의 Output 노이즈 기여도가 측정되었을 것이며, 각 컴포넌트에 대한 해당 파형이 Sim Data Panel에 표시되었을 것입니다.

S-파라미터 분석

이 기능은 오픈 베타 단계에 있으며, Simulation.SParametersAnalysis고급 설정 대화 상자에서 해당 옵션이 활성화되어 있을 때 사용할 수 있습니다.

S-파라미터(산란 파라미터)는 입사 및 반사 마이크로파의 비율(테스트 대상 장치의 경우, 한 포트에서 다른 포트로 전달되는 전력의 양과 반사되는 전력의 양)을 기반으로 회로를 설명하는 방법을 제공합니다. 이러한 비율을 활용하여 입력 임피던스, 주파수 응답 및 절연도를 포함한 회로의 특성을 계산할 수 있습니다. S-파라미터 분석은 주로 RF 회로 및 컴포넌트를 대상으로 하지만, 최소 두 개의 소스(포트)를 가진 모든 회로에 동일하게 유용합니다.

S-파라미터 분석을 수행하려면 S-Parameters Analysis 옵션을 활성화하십시오. AC Sweep Region of the panel Simulation Dashboard Panel의영역에서옵션을 활성화하십시오. 옵션이 활성화되면 해당 분석 옵션을 사용할 수 있습니다. 관련된 포트(소스)를 정의하고 각 포트에 임피던스를 설정하십시오(Default값은 50옴입니다). 소자에 포트가 두 개 이상인 경우, 이를 추가( Add 컨트롤을 사용하여) 추가하고 적절히 정의할 수 있으며, 이로 인해 결과 ‘S-행렬’에 더 많은 S-파라미터가 포함됩니다.

시뮬레이션 엔진은 Y-파라미터(어드미턴스)와 Z-파라미터(임피던스)도 계산하며, 이를 차트의 플롯에 원하는 대로 추가할 수 있습니다.

다음 Output Expressions 섹션을 사용하여 시뮬레이션 결과 문서에 표현을 추가합니다. s__, y__, 또는 z__, 예를 들어 s_1_1 또는 y_1_2와 같은 형태로 파형으로 출력될 수 있는 식을 추가할 수 있습니다.

AC 스윕 분석이 실행되면, 시뮬레이션 결과 문서의 파라미터 데이터가 표시됩니다. S-parameters Analysis 시뮬레이션 결과 문서의 차트에서 확인할 수 있습니다.

회로에 대해 Configuration된 S-파라미터 분석의 예와 시뮬레이션 결과 문서는 아래와 같습니다.

 

추가 분석

여러 가지 추가 분석 유형을 사용할 수 있습니다. 추가 계산의 원리는 선택한 범위 내의 파라미터 값을 순차적으로 검토하고, 각 파라미터 값에 대해 일련의 계산을 실행하는 데 있습니다.

온도 스윕

온도 스윕 기능은 지정된 범위 내의 각 온도에서 회로를 분석하여, 각 온도 설정마다 하나의 곡선을 생성하는 데 사용됩니다.

온도 스윕 분석을 수행하려면 하단의 Temp. Sweep 옵션을 활성화하십시오. Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel의 하단에 있는옵션을 활성화하십시오. Settings 를 클릭하여 Temperature Region on the General 탭의 Advanced Analysis Settings 열리는 대화 상자의 탭 내영역에서 다음 파라미터를 사용하여 분석을 구성하려면 여기를클릭하십시오:

  • From – 필요한 스윕 범위의 초기 온도(°C).
  • To – 필요한 스윕 범위의 최종 온도(°C).
  • Step – 정의된 스윕 범위 전반에 걸쳐 스윕 값을 결정하는 데 사용될 증분 단계.

온도 스윕 기능과 연계하여 회로에 대해 Configuration된 AC 스윕 분석의 예시와 시뮬레이션 결과 문서를 아래에 보여줍니다.

 

파라미터 스윕

파라미터 스윕 기능을 사용하면 지정된 범위 내에서 소자, 소스 및/또는 온도의 값을 정의된 증분 단위로 스윕할 수 있습니다.

파라미터 스윕은 기본 컴포넌트 및 모델을 변경할 수 있지만, 분석 중에는 하위 회로 데이터는 변경되지 않습니다.

파라미터 스윕 분석을 수행하려면 하단의 Sweep 지역 하단에 있는 Analysis Setup & Run Region of the Simulation Dashboard Panel의 하단에 있는옵션을 활성화하십시오. Settings 를 클릭하여 Sweep 파라미터Region의 Configuration을 변경합니다. General 탭의 Advanced Analysis Settings 열린 대화 상자의탭에 있는 '스윕 매개변수' 영역에서 분석을 구성하려면클릭하십시오. Add Parameter 컨트롤을 클릭하여 단계별로 변경할 파라미터를 추가하고 드롭다운 메뉴에서 해당 파라미터를 선택합니다. 단계별 파라미터 분포 유형을 선택하고 아래 필드를 사용하여 분포 파라미터를 설정합니다:

  • Linear – 정의된 스윕 범위 내에서 사용할 시작값, 최종값 및 증분값을 From, To, Step 필드에 각각 지정하십시오.
  • Decade – 시작값, 종료값 및 파라미터 값이 10배씩 변화할 때의 데이터 포인트 수를 From, To, 및 Points/Dec 필드에 각각 매개변수 값이 10배씩 변화하는 순서에 따라 시작값, 최종값 및 데이터 포인트 수를 지정합니다.
  • Octave – 파라미터 값이 두 배씩 변화하는 순서에 따라 시작값, 최종값 및 데이터 포인트 수를 From, To, Points/Oct 필드에 각각 매개변수 값 변화의 이중 순서에 따라 시작값, 최종값 및 데이터 포인트 수를 지정합니다.
  • List – 파라미터 값 목록을 지정합니다(공백으로 구분). Values 필드에 필수 매개변수 값 목록(공백으로 구분)을 지정합니다.

필요한 만큼 단계별 파라미터를 추가하고 구성하십시오.

아래에는 파라미터 스윕 기능을 활용하여 회로에 대해 구성된 과도 분석의 예시와 시뮬레이션 결과 문서가 나와 있습니다.

 

몬테카를로

몬테 카를로 분석을 사용하면 지정된 허용 오차 범위 내에서 컴포넌트 값을 무작위로 변화시키면서 여러 번의 시뮬레이션을 실행할 수 있습니다.

  • 몬테카를로 분석은 기본 컴포넌트와 모델을 변화시킬 수 있지만, 분석 중에는 하위 회로 데이터는 변화하지 않습니다.
  • 각 컴포넌트는 다른 컴포넌트와 독립적으로 무작위로 변합니다. 예를 들어, 회로에 10K 저항이 두 개 있고 Default 허용 오차가 10%로 설정된 경우, 시뮬레이션의 첫 번째 실행에서 한 저항의 값은 953Ω이고 다른 저항의 값은 1022Ω이 될 수 있습니다. 이 프로그램은 각 컴포넌트의 값을 생성하기 위해 별개의 독립적인 난수를 사용합니다.

몬테카를로 분석을 수행하려면 하단의 Monte Carlo 옵션을 활성화하십시오. Analysis Setup & Run Region 하단에 있는옵션을 활성화하십시오. Simulation Dashboard Panel. Click Settings 를 클릭하여 Monte Carlo Region on the General 탭의 Advanced Analysis Settings 열리는 대화 상자의 탭 내영역에서 다음 파라미터를 사용하여 분석을 구성하려면 여기를클릭하십시오:

  • Number of Runs – 시뮬레이터가 수행할 시뮬레이션 실행 횟수입니다. 지정된 허용 오차 범위 내에서 각 실행마다 서로 다른 장치 값이 사용됩니다. (Default = 5).
  • Distribution – 이 파라미터는 난수 생성 시 얻어지는 값의 분포를 정의합니다. 세 가지 분포 유형을 사용할 수 있습니다:
    • Uniform (Default) – 이는 균일 분포입니다. 값은 지정된 허용 오차 범위 내에서 균일하게 분포됩니다. 예를 들어, 허용 오차가 10%인 1K 저항의 경우, 무작위로 생성된 값이 900Ω에서 1100Ω 사이의 어느 지점에 위치할 확률은 모두 동일합니다.
    • Gaussian – 값은 가우시안(종 모양) 곡선에 따라 분포되며, 중심은 공칭값에 있고 지정된 허용 오차는 ±3 표준편차에 위치합니다. 정격값이 1K ± 10%인 저항의 경우, 분포의 중심은 1000Ω이며, +3 표준편차는 1100Ω, -3 표준편차는 990Ω입니다. 이러한 분포 유형에서는 무작위로 생성된 값이 지정된 값에 더 가까울 확률이 높아집니다.
    • Worst Case – 이는 균일 분포와 동일하지만, 범위의 끝점(최악의 경우)만 사용됩니다. 1K ± 10% 저항기의 경우, 사용되는 값은 990Ω과 1100Ω이라는 두 가지 최악의 경우 값 중에서 무작위로 선택됩니다. 단일 시뮬레이션 실행 시, 상한 최악의 경우 값(1100Ω)과 하한 최악의 경우 값(990Ω)이 사용될 확률은 동일합니다.
  • Seed – 시뮬레이터는 이 값을 사용하여 분석의 여러 실행에 필요한 난수를 생성합니다. 다른 난수 시퀀스로 시뮬레이션을 실행하려면 이 값을 다른 숫자로 변경해야 합니다. (Default = -1).
  • Group Tolerances:
    • Resistor – 저항기에 적용할 허용 오차입니다. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%).
    • Capacitor – 커패시터에 적용할 허용오차입니다. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%).
    • Inductor – 인덕터에 적용할 허용오차. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%).
    • Transistor – 트랜지스터(베타 포워드)에 적용할 허용오차. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%).
    • DC Source – DC 전원에 적용할 허용오차. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%).
    • Digital Tp – 디지털 Tp(디지털 소자의 전파 지연)에 적용할 허용 오차입니다. 값은 백분율로 입력합니다(Default = 10%). 이 허용 오차는 난수 생성기가 해당 소자에 대해 생성할 수 있는 허용 값 범위를 결정하는 데 사용됩니다. 공칭값을 가진 소자의 경우 ValNom인 경우, 이 범위는 다음과 같이 표현할 수 있습니다. ValNom - (Tolerance * ValNom) ... ValNom + (Tolerance * ValNom)

몬테카를로 분석 기능과 연계하여 회로에 대해 Configuration된 과도 분석의 예시 및 시뮬레이션 결과 문서는 아래와 같습니다.

 

민감도 분석

민감도 분석은 회로의 Output 특성에 가장 큰 영향을 미치는 컴포넌트나 요인을 파악할 수 있는 방법을 제공합니다. 이 정보를 활용하면 부정적인 특성의 영향을 줄이거나, 반대로 긍정적인 특성을 바탕으로 회로 성능을 향상시킬 수 있습니다. 민감도 분석은 회로 컴포넌트의 컴포넌트/모델 파라미터와 관련된 주어진 측정값의 수치뿐만 아니라, 온도/전역 파라미터에 대한 민감도를 계산합니다. 분석 결과는 각 측정 유형에 대한 민감도의 범위 값을 나타내는 표로 제공됩니다.

민감도 계산을 선택하면 온도 스윕, 파라미터 스윕 및 몬테카를로 분석은 사용할 수 없습니다.

감도 분석을 수행하려면 적절한 측정 항목이 구성되어 있어야 합니다. 아래 예시에서 AC 스윕 분석에는 Output 식이 설정되어 있으며, dB(v(OUT))이 Output에는 BW(대역폭)와 MAX(최대 진폭)라는 두 가지 측정값이 구성되어 있습니다. 이 두 측정값 중 어느 하나에 대해서도 민감도를 계산할 수 있습니다.

민감도 분석을 수행하려면 하단의 Sensitivity 옵션을 활성화하십시오. Analysis Setup & Run Region 하단에 있는옵션을 활성화하십시오. Simulation Dashboard Panel. Click Settings 탭에서 Configuration Sensitivity 탭에서 Advanced Analysis Settings 탭에서 분석을 구성하려면클릭하십시오. Group Deviations Region에서 해당 유형의 컴포넌트 값에 적용될 상대 허용 오차를 정의합니다. Custom Deviations Region을 사용하여 민감도 분석 계산을 지원하는 매개변수 값을 가진 모든 객체의 민감도를 분석할 수 있습니다. 모든 민감도 설정의 Default 값은 1m이며, 1u ~ 0.1까지의 값 범위를 허용합니다.

분석을 실행한 후, Measurements 탭으로 전환한 후 Sim Data Panel로 전환한 후, 필요한 측정 결과 세트를 선택하고 Sensitivity 버튼을 클릭하여 Sensitivity 차트로 전환하십시오. 감도 결과는 표로 표시되므로, 값의 변동에 대해 가장 높은 감도를 보이는 컴포넌트를 빠르게 식별할 수 있습니다.

 

정확도와 성능 간의 균형 찾기

시뮬레이션 설정에서 중요한 부분은 시뮬레이션에 사용되는 범위에 대한 올바른 값을 설정하는 것입니다.

예를 들어, Default 값이 회로 특성에 따라 필요한 시뮬레이션 시간과 일치하지 않을 수 있습니다. 예를 들어, Configuration에서 설정된 transient 특성 값이 있습니다. From - To 0에서 1u까지의 시간 간격으로 구성된 과도 특성을 예로 들어 봅시다.

Overlay configuration for transient response time interval has been set from 0 to 1u.
Overlay configuration for transient response time interval has been set from 0 to 1u.

이 회로에서 소스는 Configuration이 되어 있습니다. Period 1uS로 설정되어 있습니다.

소스의 주기는 1u입니다.
소스의 주기는 1u입니다.

아래에서 볼 수 있듯이, 이 과도 범위에서는 회로의 작동 특성을 고려할 때 회로를 제대로 시뮬레이션할 수 없습니다.

과도 시간 범위가 소스에 설정된 주기에 비해 너무 짧습니다.

마찬가지로, 범위가 넓을 경우(예: 0~100u) 플롯을 분석하기 어려워지고 분석에 소요되는 시간도 늘어납니다.

과도 시간 범위가 너무 넓습니다.
과도 시간 범위가 너무 넓습니다.

대신, Signal 주기 값보다 큰 범위 값(예: 5주기(0 - 5u))을 선택하십시오. 이는 회로가 안정화되기에 충분하지만, 이러한 유형의 계산에 있어 과도하지 않은 범위입니다.

이 회로의 과도 분석에 적합한 시간 범위.
이 회로의 과도 분석에 적합한 시간 범위.

또한 계산에 사용할 값의 비례 단계나 플롯에 표시될 데이터 점의 수를 신중하게 선택하는 것도 중요합니다. 데이터 점의 수를 지나치게 많이 선택하면 계산 속도가 느려지고, 데이터 점의 수가 부족하면 계산 결과가 부정확해집니다.

예를 들어, 아래에 표시된 진폭-주파수 특성을 살펴보십시오. 첫 번째는 10개의 점을 사용하도록 Configuration이 설정되었고, 두 번째는 1000개의 점을 사용하도록 Configuration이 설정되었습니다. 사용된 점 수의 차이는 계산 시간에 큰 차이를 만들지는 않지만, 특성의 정확도는 크게 향상시킵니다.

계산에 사용된 데이터 포인트 수가 부족할 때의 분석 결과입니다.
계산에 사용된 데이터 포인트 수가 부족할 때의 분석 결과입니다.

계산에 적절한 수의 데이터 포인트가 사용된 경우입니다.
계산에 적절한 수의 데이터 포인트가 사용된 경우입니다.

그래프에 분석 데이터 점을 표시하려면 Show Data Points 대화 상자에서 Document Options 대화 상자에서해당 옵션을 활성화하십시오Tools » Document Options).

Output 식 추가

일부 분석을 구성할 때, 시뮬레이션 결과 문서에 파형으로 출력될 식을 추가할 수 있습니다(회로에 배치된 프로브의 파형 외에도). 식을 추가하려면 Add 해당 분석 영역의 Output Expression 패널의해당 분석 Region 섹션에서컨트롤을 클릭합니다. 현재 선택된 출력 식 행 아래에 빈 행이 나타납니다. 출력 식을 지정하고 플롯 번호와 색상을 설정합니다. 이는 패널 내의 추가된 항목을 사용하여 직접 설정하거나, Simulation Dashboard 패널에서 해당 분석 영역의 섹션에 있는컨트롤을 클릭하십시오. 현재 선택된 Output 식 행 아래에 빈 행이 나타납니다. Output 식을 지정하고 플롯 번호와 색상을 설정하십시오. 이는 Panel 내의 추가된 항목을 사용하여 직접 수행할 수 있으며, 또는 버튼을 클릭하여 사용 가능한 목록에서 Waveforms 대화 상자에서 Add Output Expression 대화 상자에서 사용할 수 있는 목록에서 선택할 수도 있습니다.

필요한 Output 식을 선택하거나 새 함수를 정의한 다음, 해당 식을 플롯하는 방식을 구성하십시오.
필요한 Output 식을 선택하거나 새 함수를 정의한 다음, 해당 식을 플롯하는 방식을 구성하십시오.

대화 상자의 Waveforms 다이얼로그의 이 Region에는 현재 사용 가능한 파형 및 상수 목록이 표시됩니다. 기본적으로, All 파형이 나열됩니다. 목록 상단의 드롭다운 메뉴를 사용하여 필터를 적용하십시오:

  • Digital – 디지털 노드의 Logical 레벨(0, 1, 미정의, 고임피던스). 노드는 디지털 시뮬레이션 모델을 가진 컴포넌트의 핀에 연결된 경우 디지털 노드로 간주됩니다.
  • Node Voltages – 회로 네트의 전압.
  • Voltages – 회로 내 컴포넌트 양단의 전압.
  • Currents – 회로 내 컴포넌트를 통과하는 전류.
  • Powers – 회로 내 컴포넌트가 소비하거나 방출하는 전력.
  • Charges\Fluxes – 회로 내 커패시터의 전하 및 인덕턴스의 자속.
  • Conductivities – 회로 내 다이오드 및 트랜지스터의 전도도.
  • Constants

아래에 나열된 함수를 사용하여 소스 데이터 파형 중 어느 것을 기반으로든 수학적 식을 생성할 수 있습니다. 사용 가능한 함수는 파형을 얻기 위해 실행한 분석 유형에 따라 달라진다는 점에 유의하십시오.

수식에는 사용 가능한 함수와 허용된 연산자의 모든 조합을 포함할 수 있습니다. 파형이나 함수 항목을 클릭하여 활성 수식 필드에 추가하십시오(Expression X 또는 Expression Y)에 추가할 수 있습니다. 또한 해당 필드에 직접 입력하여 식을 정의할 수도 있습니다.

대화 상자 하단의 옵션을 통해 시뮬레이션 데이터 파일에서 식이 어떻게 플롯될지 정의할 수 있습니다:

  • Name – Output 식의 이름.
  • Units – 표시될 측정 단위.
  • Plot Number – 파형이 그려질 플롯의 순차 번호. 현재 정의된 플롯 중 하나를 선택하거나 New Plot 파형용 새 플롯을 생성할 수 있습니다.
  • Axis Number – 파형이 사용할 Y축의 순번입니다. 현재 정의된 축 중 하나를 선택하거나 New Axis 를 선택하여 파형용 새 Y축을 생성하십시오.
  • Color – 파형의 색상입니다. 변경하지 않으면 시뮬레이션 데이터 파일에서 각 파형에 색상이 자동으로 할당됩니다.

Output 식 줄의 순서는 드래그 앤 드롭 방식으로 변경할 수 있습니다. Output 식 줄의 빈 공간을 마우스 왼쪽 버튼으로 클릭한 채로 드래그하여 목록에서 위나 아래로 이동시킬 수 있습니다.

사용 가능한 함수

시뮬레이션 측정 Configuration 및 수행

측정값은 회로의 동작 및 품질을 나타내는 물리량들의 집합입니다. 측정값은 회로 내 파형의 특성을 평가하여 지정된 Rule에 따라 계산됩니다. 측정값의 예로는 대역폭, 이득, 상승 시간, 하강 시간, 펄스 폭, 주파수 및 주기가 있습니다.

Output 파형에 대한 측정 항목은 Measurements 탭에서 설정합니다. Add Output Expression 대화 상자의 탭에서 설정합니다. Add Measurement 컨트롤을 클릭하여 새 측정 항목을 추가하고, 표시되는 입력란에서 측정 항목의 이름, 유형 및 관련 파라미터를 설정합니다. 정의할 수 있는 측정 항목의 수에는 제한이 없습니다. 추가된 측정 항목의 이름은 Simulation Dashboard Panel의 출력 식 입력란에 표시됩니다.

Output 식의 Configuration에서 필요한 측정 항목을 추가하십시오.
Output 식의 Configuration에서 필요한 측정 항목을 추가하십시오.

'Output 표현식 추가'에 대해 자세히 알아보세요.

측정 결과 데이터는 Measurements 탭에 Sim Data Panel에 표시됩니다.측정 결과 작업에 대해 자세히 알아보세요.

전역 파라미터

전역 파라미터는 전기 회로 소자의 특성에 대한 파라미터적 의존성을 정의하는 데 사용됩니다. 일반적으로, 소자 모델에서 파라미터적 의존성 사용이 허용되는 경우, 최종 구현을 선택하기 전에 소자 특성을 선정하는 데 전역 파라미터가 사용됩니다.

전역 파라미터는 Global Parameters 탭에서 정의됩니다. Advanced Analysis Settings 대화 상자( Settings 을 클릭하여 Analysis Setup & Run Region 영역에서를 클릭하여 열 수 있습니다). 전역 매개변수는 명시적으로 정의하거나 수식을 사용하여 정의할 수 있습니다. 후자의 경우, 매개 Simulation Dashboard Panel의영역에서를 클릭하여 열 수 있습니다). 전역 파라미터는 명시적으로 정의하거나 수식을 사용하여 정의할 수 있습니다. 후자의 경우, 파라미터 값과 수식이 모두 Value 열에 모두 표시됩니다.

[ Global Parameters 탭을 사용하여 Advanced Analysis Settings 시뮬레이션을 위한 전역 파라미터를 정의합니다.
[ Global Parameters 탭을 사용하여 Advanced Analysis Settings 시뮬레이션을 위한 전역 파라미터를 정의합니다.

회로 내 컴포넌트의 파라미터 값에 식이나 전역 파라미터 이름을 추가하십시오. 시뮬레이터가 이를 감지하면 먼저 전역 파라미터 목록을 확인하여 해당 값을 평가하려고 시도합니다.

컴포넌트 값은 전역 파라미터를 참조합니다.
컴포넌트 값은 전역 파라미터를 참조합니다.

시뮬레이터는 표현식에 사용된 이름에 대해 먼저 전역 파라미터 목록을 확인하므로, 사용자 정의 이름이 더 높은 우선순위를 가집니다. 예를 들어, pi 값이 4인 전역 매개변수가 있다면,  pi 는 식 내의 모든 곳에서 해당 값으로 대체되며, 이 경우 시뮬레이터의 내부 pi 값은 사용되지 않습니다.

고급 시뮬레이션 옵션

[ Advanced Analysis Settings (여기를 클릭하여 열 수 있습니다 Settings 이 Analysis Setup & Run Region의 해당 영역에서 클릭하여 열 수 있는 Simulation Dashboard 패널을 클릭하여 액세스할 수 있음)을 통해 SPICE 변수의 값, 시뮬레이터에서 사용하는 적분 방법 및 시뮬레이션 기준 Net을 포함한 고급 시뮬레이션 옵션을 정의할 수 있습니다.

이 Advanced 탭의 Advanced Analysis Settings 대화 상자의탭
이 Advanced 탭의 Advanced Analysis Settings 대화 상자의탭

이 탭의 상단 부분에는 SPICE 변수에 직접 액세스할 수 있는 옵션이 나열되어 있으며, 여기서 반복 제한, 오차 허용치 등을 변경할 수 있습니다. 다음은 목록에 포함된 각 SPICE 변수에 대한 자세한 설명입니다.

일반적으로 정확한 시뮬레이션을 위해 이 대화 상자 탭의 고급 SPICE 파라미터를 변경할 필요는 없습니다. SPICE 시뮬레이션 파라미터를 충분히 이해하고 있는 경우에만 이러한 옵션을 변경하십시오.
  • 수치 옵션을 Default 값으로 되돌리려면 현재 정의된 값을 지우십시오.
  • 과도 분석 오류 해결 시 다음 설정을 시도해 보십시오:
    • ABSTOL = RELTOL * (lowest current magnitude in the circuit)
    • VNTOL = RELTOL *  (lowest voltage magnitude in the circuit)
  • 다음 값을 높이면 GMIN 값을 높이면 수렴에 도움이 될 수 있지만, 정확도는 떨어집니다.
  • ITL1 많은 회로의 경우 이 값을 500까지 높여야 할 수도 있습니다.
  • ITL2 일부 회로의 경우 이 값을 200까지 높여야 할 수도 있습니다.
  • ITL3 SPICE3에서는 구현되지 않았습니다. SPICE2 넷리스트를 생성할 때 호환성을 위해 제공됩니다.
  • 값을 ITL4 값을 100 이상으로 높이면 “시간 단계가 너무 작음(timestep too small)” 오류를 제거하는 데 도움이 되어 수렴성과 속도를 모두 향상시킬 수 있습니다.
  • ITL5 는 SPICE3에서 구현되지 않았습니다. 이는 SPICE2 넷리스트 생성 시 호환성을 위해 제공됩니다.
  • 이 KEEPOPINFO 이 옵션을 활성화하면 회로가 크고 불필요한 동작점 분석을 실행하고 싶지 않을 때 유용합니다.

  • 수치 피보팅 알고리즘에서 허용되는 최소 피보팅 값은 다음 식으로 결정됩니다:

    EPSREL = AMAX1(PIVREL * MAXVAL, PIVTOL)

    여기서 MAXVAL 는 피벗을 찾는 열(부분 피벗)에서 최대 요소 값입니다.

  • ' RELTOL 옵션의 경우, 값이 클수록 시뮬레이션 시간은 단축되지만 정확도는 떨어집니다.

시뮬레이션에 사용될 수치 적분 방법은 Integration method 입력란에서 시뮬레이션에 사용할 수치 적분 방법을 정의할 수 있습니다. Trapezoidal 방법은 비교적 빠르고 정확하지만 특정 조건에서는 진동하는 경향이 있습니다. Gear 방법은 시뮬레이션 시간이 더 오래 걸리지만 더 안정적인 경향이 있습니다. 기어 차수를 높이면 이론적으로 더 정확한 결과를 얻을 수 있지만 시뮬레이션 시간이 늘어납니다. Default 방법은 Trapezoidal입니다.

시뮬레이션을 실행하면, 사용 가능한 모든 Signal에 대해 수집된 모든 데이터는 회로 내의 특정 Net을 기준으로 참조됩니다. 이 Net은 Spice Reference Net Name 필드에 정의되며, 기본적으로 GND Net입니다. 접지 이외의 다른 Net을 참조하는 과도 시뮬레이션을 실행하려면 이 필드에 Net 이름을 입력하십시오.

이 Digital Supply VCC 및 Digital Supply VDD 설정은 현재 버전의 Altium Designer 시뮬레이터에서 사용되지 않습니다.

분석 실행

필요한 분석 유형을 구성한 후, 해당 Run 버튼을 클릭하여 분석을 수행합니다. 분석 결과는 .sdf 라는 새 문서에 표시되며, 이 문서는 문서 탭으로 자동으로 열립니다.

모든 분석 유형을 실행하고 동일한 시뮬레이션 결과 문서에 표시하려면 메인 메뉴에서 Simulate » Run Simulation 메인 메뉴의 명령을 사용하십시오(단축키: F9)을 사용하십시오. 각 분석 유형의 결과는 별도의 차트로 표시됩니다.

  • SimData Editor에서 현재 시뮬레이션 분석 및 파형 생성을 중단하려면 도구 모음의 ‘’ 버튼을 클릭하십시오. SimView Standard 툴바의 ‘xml-ph-0000@deepl.internal’ 버튼을 클릭하여 SimData 편집기에서 진행 중인 시뮬레이션 분석 및 파형 생성을 중단할 수 있습니다. 시뮬레이션이 중지됩니다. 이미 생성된 수집 데이터의 파형은 중단 시점까지 표시됩니다. 경우에 따라 파형이 부분적으로 표시되기도 하고, 데이터가 전혀 표시되지 않을 수도 있습니다.

  • 혼합 시뮬레이션은 시뮬레이션 중 인터페이스 응답 시간을 개선하기 위해 전용 스레드를 사용하도록 Configuration에서 구성할 수 있습니다. 이 기능은 Simulation.Threads고급 설정 대화 상자에서 해당 옵션이 활성화된 경우에만 사용할 수 있습니다(Default: 켜짐).

회로 시뮬레이션이 실행되지 않는 경우, 문제가 회로에 있는지 아니면 시뮬레이션 과정에 있는지 확인하십시오. 자세한 내용은‘시뮬레이션 문제 해결 ’ 페이지를 참조하십시오.
시뮬레이션 결과 작업에 대해 자세히 알아보세요.
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만약 문제가 있으시다면, 텍스트/이미지를 선택하신 상태에서 Ctrl + Enter를 누르셔서 저희에게 피드백을 보내주세요.
기능 가용성

사용할 수 있는 기능은 보유한 Altium 솔루션(Altium Develop, Altium Agile Teams, Altium Agile Enterprise, 또는 Altium Designer(활성 기간 중))에 따라 달라집니다.

실제 소프트웨어에서 문서화된 기능이 보이지 않는 경우, Altium 영업팀에 문의하여 자세한 내용을 확인하세요.

구버전 문서

Altium Designer 문서는 더 이상 버전별로 제공되지 않습니다. 이전 버전의 Altium Designer 문서가 필요하신 경우, Other Installers 페이지의 Legacy Documentation 섹션을 방문해 주세요.

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