仿真通用元件

Updated: 十月 12, 2026

概览

本文实用地介绍了 Altium Designer 中的通用仿真元件库（Simulation Generic Components），包括如何在 Components 面板中访问该库、如何在 Preferences 中控制其显示或隐藏，以及如何通过 Properties 面板编辑已放置元件的参数。本文还可作为参考，帮助您了解丰富的可用仿真元件，涵盖无源元件、源、开关、电机、数字桥接器件及半导体模型，以及各类元件在仿真设置中使用的参数。如果您希望更清楚地了解有哪些可用元件，以及如何在原理图中配置这些元件，不妨继续阅读，让您的仿真工作流程更加顺畅。

- 您将了解在哪里可以找到通用仿真元件库，以及如何在 Altium Designer 中启用或隐藏该库。
- 您将了解如何配置已放置的通用仿真元件，包括在 Properties 面板中编辑其参数的位置。
- 您将获得一份按元件逐项介绍的参考资料，了解可用的仿真元件及用于定义其行为的参数。

使用 AI 深入了解：

Simulation Generic Components 库可通过 Components 面板访问，其中提供了各种可用于仿真的元件，涵盖 RLC 无源元件、分立半导体器件以及不同形式的数字元件。

使用 Preferences 对话框中仿真 – 常规页面上的 Enable Simulation Generic Components Library 选项，可控制该库在 Components 面板中的可见性。
请参阅验证项目并为仿真做好准备页面，了解在 Altium Designer 中放置可用于仿真的元件时有哪些可用选项。

将 Simulation Generic Components 库中的元件放置到原理图上后，选中该元件，即可通过处于 Simulation Generic Component 模式的 Properties 面板访问其属性。该面板包含 Parameters 区域，您可以在其中定义元件参数的值。

选择已放置的仿真通用元件，通过 Properties 面板定义其参数。

仿真通用元件

通过以下各节，可查找 Simulation Generic Components 库中元件的参数信息。

.IC（初始条件）

参数名称	说明
初始电压	节点电压的幅值（单位：伏特）。

.NS（节点设置）

参数名称	说明
初始电压	节点电压的幅值（单位：伏特）。

3 Phase Delta（三相三角形电压源）

参数名称	说明
FREQ	频率（单位：赫兹）。
V_RMS	电压有效值（RMS）（单位：伏特）。

3 Phase Wye（三相星形电压源）

参数名称	说明
FREQ	频率（单位：赫兹）。
V_RMS	电压有效值（RMS）（单位：伏特）。

3PDT（三刀双掷开关）

参数名称	说明
nodesUP_closed	如果 nodesUP_closed > 0，开关接通上方位置的电路。否则，开关接通下方位置的电路。
Rclosed	闭合状态下的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态下的电阻（单位：欧姆）。

3PST（三刀单掷开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，开关接通电路。否则，开关断开电路。
Rclosed	闭合状态下的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态下的电阻（单位：欧姆）。

555（555 定时器）

无参数

交流电流源

参数名称	说明
Amp	正弦波的峰值幅度（单位：安培）。
DC	信号发生器的直流偏置电流（单位：安培）。
Freq	正弦输出电流的频率（单位：赫兹）。
Phase	零时刻正弦波的相移（单位：度）。

交流电动机

参数名称	说明
J	转动惯量（单位：kg * m²）。
K	耦合系数。
LR	转子漏感（单位：亨利）。
LS	定子漏感（单位：亨利）。
NP	磁极数。
RR	转子电阻（单位：欧姆）。
RS	定子电阻（单位：欧姆）。

交流电压源

参数名称	说明
Amp	正弦波的峰值幅度（单位：伏特）。
Cpar	并联电容（单位：法拉）。
DC	信号发生器的直流偏置电压（单位：伏特）。
Freq	正弦输出电压的频率（单位：赫兹）。
Phase	零时刻正弦波的相移（单位：度）。
Rser	串联电阻（单位：欧姆）。

AM（调幅电压源）

参数名称	说明
FC	载波频率（单位：赫兹）。
KA	幅度灵敏度。
OFFSET	信号发生器的直流偏置（单位：伏特）。
VC	载波幅度（单位：伏特）。

AtoD（模数转换桥）

参数名称	说明
fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
in_high_inst	判定为逻辑 1 的最小模拟输入电压（单位：伏特）。
in_low_inst	判定为逻辑 0 的最大模拟输入电压（单位：伏特）。
rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。

电池（恒压源）

参数名称	说明
CPAR	并联电容（单位：法拉）。
直流幅值	直流电压值（单位：伏特）。
RSER	串联电阻（单位：欧姆）。

BJT NPN 4 GP（四引脚 NPN 双极型晶体管 Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT NPN 4 MGP（双极型 NPN 四引脚晶体管，改进型 Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT NPN 4 VBIC（双极型 NPN 四引脚晶体管，VBIC 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.2 VBIC Model 和 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model 章节。

BJT NPN VBIC（双极型 NPN 三引脚晶体管，VBIC 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.2 VBIC Model 和 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model 章节。

BJT NPN_GP（双极型 NPN 三引脚晶体管，Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT NPN_MGP（双极型 NPN 三引脚晶体管，改进型 Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT PNP 4 GP（双极型 PNP 四引脚晶体管，Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT PNP 4 MGP（双极型 PNP 四引脚晶体管，改进型 Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT PNP 4 VBIC（双极型 PNP 四引脚晶体管，VBIC 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.2 VBIC Model 和 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model 章节。

BJT PNP GP（双极型 PNP 三引脚晶体管，Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT PNP MGP（双极型 PNP 三引脚晶体管，改进型 Gummel-Poon 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

BJT PNP VBIC（双极型 PNP 三引脚晶体管，VBIC 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 8.2.2 VBIC Model 和 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model 章节。

桥式整流器（四二极管桥式整流器）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 7.1 Junction Diodes 章节。

电容器

参数名称	说明
CPAR	等效并联电容（单位：法拉）。
LSER	等效串联电感（单位：亨利）。
RLSHUNT	跨接在 LSER 两端的分流电阻（单位：欧姆）。
RPAR	等效并联电阻（单位：欧姆）。
RSER	等效串联电阻（单位：欧姆）。
TEMP	元件工作温度（单位：°C）。
数值	电容量（单位：法拉）。

电容器的等效电路。

CCCS（电流控制电流源）

参数名称	说明
增益	电流增益。
电压源名称	控制电流所流经的电压源的名称。

CCCS_4pins（电流控制电流源）

参数名称	说明
增益	电流增益。

CCCS_Expr（带任意表达式的电流控制电流源）

参数名称	说明
表达式	定义源波形的表达式。

CCCS_Poly（带 SPICE POLY 函数的电流控制电流源）

参数名称	说明
系数列表	多项式系数。
阶数	多项式的维数。控制源的数量必须等于维数。
电压源名称	控制电压源。控制变量为流经这些源的电流。

CCCS_Table（带 Table 函数的电流控制电流源）

参数名称	说明
表达式	提供 x 值的表达式，根据表中的数值对，使用线性插值生成相应的 y 值。
表格	数值对。

CCSW_Hysteresis（带迟滞的电流控制开关）

参数名称	说明
IH	迟滞电流（单位：安培）。
初始条件	开关的初始状态，为断开（OFF）或闭合（ON）。
IT	阈值电流（单位：安培）。
ROFF	关断状态电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态电阻（单位：欧姆）。

CCSW_Smooth_Trans（平滑过渡电流控制开关）

参数名称	描述
IOFF	关断状态控制电流（单位：安培）。
ION	导通状态控制电流（单位：安培）。
ROFF	关断状态电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态电阻（单位：欧姆）。

CCVS（电流控制电压源）

参数名称	描述
增益	跨阻（单位：欧姆）。
电压源名称	控制电流所流经的电压源的名称。

CCVS_4pins（电流控制电压源）

参数名称	描述
增益	跨阻（单位：欧姆）。

CCVS_Expr（使用任意表达式的电流控制电压源）

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

CCVS_Poly（使用 SPICE POLY 函数的电流控制电压源）

参数名称	描述
系数列表	多项式系数。
维数	多项式的维数。控制源的数量必须等于维数。
电压源名称	控制电压源。控制变量为流经这些源的电流。

CCVS_Table（使用 Table 函数的电流控制电压源）

参数名称	描述
表达式	提供 x 值的表达式，根据表中的数值对，通过线性插值生成对应的 y 值。
表格	数值对。

比较器（理想比较器）

参数名称	描述
VHIGH	输出上限（单位：伏特）。
VHYS	迟滞宽度（单位：伏特）。
VLOW	输出下限（单位：伏特）。

耦合电感（一对耦合电感）

参数名称	描述
Coupling_Factor	耦合系数，必须大于 0 且小于或等于 1。
L1	第一个分立电感器的电感值（单位：亨利）。
L2	第二个分立电感器的电感值（单位：亨利）。

晶体

参数名称	描述
F0	晶体的标称输出频率（单位：赫兹）。
Q	晶体等效电路模型的品质因数。
R	晶体在串联谐振频率下呈现的电阻（单位：欧姆）。

D 触发器

参数名称	描述
clk_delay_inst	时钟输入引起的延迟（单位：秒）。
clk_load_inst	时钟输入负载电容值（单位：法拉）。
data_load_inst	数据输入负载电容值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
reset_delay_inst	复位输入引起的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位输入负载电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。
set_delay_inst	置位输入引起的延迟（单位：秒）。
set_load	置位输入负载电容值（单位：法拉）。

D 锁存器（数字 D 锁存器）

参数名称	描述
data_delay_inst	数据输入引起的延迟（单位：秒）。
data_load_inst	数据输入负载电容（单位：法拉）。
enable_delay_inst	使能输入引起的延迟（单位：秒）。
enable_load_inst	使能输入负载电容值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
reset_delay_inst	复位输入引起的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位输入负载电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。
set_delay_inst	置位输入引起的延迟（单位：秒）。
set_load_inst	置位输入负载电容值（单位：法拉）。

达林顿 NPN BJT（达林顿 NPN 双极型晶体管）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

达林顿 PNP BJT（达林顿 PNP 双极型晶体管）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 8.2.1 Gummel-Poon Models 和 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 章节。

直流电流源

参数名称	描述
DC	源电流的幅值（单位：安培）。

直流电机

参数名称	描述
BM	黏性摩擦系数（单位：N * m / (rad * s)）。
JM	转动惯量（单位：kg * m²）。
KE	反电动势常数（单位：V * s / rad）。
KT	转矩常数（单位：N * m / A）。
LA	电枢电感（单位：亨利）。
RA	电枢电阻（单位：欧姆）。
TL	负载转矩（单位：N * m）。

延迟线

参数名称	说明
DELAY	延迟时间（单位：秒）。

DIAC（双向触发二极管）

参数名称	说明
RS	串联电阻（单位：欧姆）。
VK	击穿电压（单位：伏特）。

数字 0（数字零发生器）

参数名称	说明
adc_fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。

数字 1（数字一发生器）

参数名称	说明
adc_fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。

数字 AND（数字与门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 Buff（数字缓冲器）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字时钟

参数名称	说明
adc_fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
adc_in_high_inst	判定为逻辑 1 的最小模拟输入值（单位：伏特）。
adc_in_low_inst	判定为逻辑 0 的最大模拟输入值（单位：伏特）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。
period	周期（单位：秒）。
phase	脉冲信号的相位（单位：度）。
pwidth	脉冲宽度（单位：秒）。
tdelay	延迟时间（单位：秒）。
tfall	下降时间（单位：秒）。
trise	上升时间（单位：秒）。
vhigh	脉冲值（单位：伏特）。
vlow	初始值（单位：伏特）。

数字反相器

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 NAND（数字与非门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 NOR（数字或非门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 NOT（数字非门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 OR（数字或门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（单位：秒）。

数字 XNOR（数字同或门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	由输入驱动的模型内部状态变化与输出变为数字逻辑 1 之间的延迟时间（单位：秒）。

数字异或（数字异或门）

参数名称	说明
fall_delay_inst	由输入驱动的模型内部状态变化与输出变为数字逻辑 0 之间的延迟时间（单位：秒）。
input_load_inst	一个或所有数字输入端的电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	由输入驱动的模型内部状态变化与输出变为数字逻辑 1 之间的延迟时间（单位：秒）。

二极管

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 7.1 Junction Diodes 章节。

DPDT 继电器（双刀双掷继电器）

参数名称	说明
IOFF	断开状态的控制电流（单位：安培）。
ION	导通状态的控制电流（单位：安培）。
L_C	线圈电感（单位：亨利）。
ROFF	断开状态的电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态的电阻（单位：欧姆）。
R_C	线圈电阻（单位：欧姆）。

DPDT 开关（双刀双掷开关）

参数名称	说明
nodesUP_closed	如果 nodesUP_closed > 0，开关接通上方位置的电路。否则，开关接通下方位置的电路。
Rclosed	闭合状态的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态的电阻（单位：欧姆）。

DPST 按钮（双刀单掷按钮）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，按钮接通电路。否则，按钮断开电路。
Rclosed	闭合状态的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态的电阻（单位：欧姆）。

DPST 继电器（双刀单掷继电器）

参数名称	说明
IOFF	断开状态的控制电流（单位：安培）。
ION	导通状态的控制电流（单位：安培）。
L_C	线圈电感（单位：亨利）。
ROFF	断开状态的电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态的电阻（单位：欧姆）。
R_C	线圈电阻（单位：欧姆）。

DPST 开关（双刀单掷开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，开关接通电路。否则，开关断开电路。
Rclosed	闭合状态的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态的电阻（单位：欧姆）。

DtoA（数模桥）

参数名称	说明
input_load_inst	输入负载（单位：法拉）。
out_high_inst	逻辑值为 1 时的模拟输出（单位：伏特）。
out_low_inst	逻辑值为 0 时的模拟输出（单位：伏特）。
out_undef_inst	逻辑值未定义时的模拟输出（单位：伏特）。
t_fall_inst	1->0 的下降时间（单位：秒）。
t_rise_inst	0->1 的上升时间（单位：秒）。

双二极管

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 7.1 Junction Diodes 章节。

FSK（频移键控调制器）

参数名称	说明
NC0	在输入波形的单个 0 比特持续时间内，输出波形的周期数。
NC1	在输入波形的单个 1 比特持续时间内，输出波形的周期数。
TB	单个比特的持续时间（单位：秒）。
WMAG	输出波形的幅度（单位：伏特）。

函数电流源（函数型电流源）

参数名称	说明
表达式	定义源波形的表达式。

函数型电压源

参数名称	说明
表达式	定义源波形的表达式。

熔断器

参数名称	说明
CURRENT	熔断器电流（单位：安培）。
RESISTANCE	内部电阻（单位：欧姆）。

回转器

参数名称	说明
G	回转电导（单位：姆欧）。

电感器

参数名称	说明
CPAR	等效并联电容（单位：法拉）。
DTEMP	元件工作温差（单位：°C）。
初始电流	零时刻流过电感器的电流（单位：安培）。
M	并联单元数量。
RPAR	等效并联电阻（单位：欧姆）。
RSER	等效串联电阻（单位：欧姆）。
TC1	一阶温度系数。
TC2	二阶温度系数。
TEMP	元件工作温度（单位：°C）。
Value	电感值（单位：亨利）。

请注意，此元件不使用 T_REL_LOCAL 参数。

电感器的等效电路。

ISRC（电流源）

请参阅验证和准备仿真项目 – 添加和配置仿真源。

JFET N-ch Level1（N 沟道结型场效应晶体管，1 级）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification 章节。

JFET N-ch Level2（N 沟道结型场效应晶体管，2 级）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model 章节。

JFET P-ch Level1（P 沟道结型场效应晶体管，1 级）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification 章节。

JFET P-ch Level2（P 沟道结型场效应晶体管，2 级）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model 章节。

JK 触发器

参数名称	说明
clk_delay_inst	时钟信号引起的延迟（单位：秒）。
clk_load_inst	时钟端负载值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（单位：秒）。
jk_load_inst	J、K 端负载值（单位：法拉）。
reset_delay_inst	复位信号引起的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位端负载（单位：法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（单位：秒）。
set_delay_inst	置位信号引起的延迟（单位：秒）。
set_load_inst	置位端负载值（单位：法拉）。

LED（发光二极管）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 7.1 Junction Diodes 章节。

线性稳压器（可调）（正电压可调稳压器）

无参数

线性稳压器（固定）（正电压固定稳压器）

参数名称	说明
Av_feedback	Av*反馈系数（Vout = 5V 时，Av_feedback = 1665（默认值）；Vout = 12V 时，Av_feedback = 694；Vout = 15V 时，Av_feedback = 550）。
R1_Value	R1 的阻值（单位：欧姆）（Vout = 5V 时，R1_Value = 1020（默认值）；Vout = 12V 时，R1_Value = 2448；Vout = 15V 时，R1_Value = 3060）。

MOSFET N-ch Lev1（N 沟道 MOS1 MOSFET Shichman 和 Hodges 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.1 MOS Level 1 和 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET N-ch Lev2（N 沟道 MOSFET MOS2 Grove-Frohman 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.2 MOS Level 2 和 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET N-ch Lev3（N 沟道 MOSFET MOS3 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.3 MOS Level 3 和 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET N-ch Lev4（N 沟道 MOSFET BSIM1 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.8 BSIM1 model (level 4) 和 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model 章节。

MOSFET N-ch Lev5（N 沟道 MOSFET BSIM2 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.9 BSIM2 model (level 5) 和 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model 章节。

MOSFET N-ch Lev6（N 沟道 MOSFET MOS6 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.4 MOS Level 6 和 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET N-ch Lev8（N 沟道 MOSFET BSIM3v0 v3.0 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET N-ch Lev8_1（N 沟道 MOSFET BSIM3v1 v3.1 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET N-ch Lev8_2（N 沟道 MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 模型）

请参阅《Ngspice 用户手册》中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET N-ch Lev8_3（N 沟道 MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET N-ch Lev9（N 沟道 MOSFET MOS9 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model 章节。

MOSFET N-ch Lev10（N 沟道 MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET N-ch Lev14（N 沟道 MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET N-ch Lev14_1（N 沟道 MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET N-ch Lev14_2（N 沟道 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET N-ch Lev14_3（N 沟道 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET N-ch Lev55（N 沟道 MOSFET BSIM3SOI_FD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET N-ch Lev56（N 沟道 MOSFET BSIM3SOI_DD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET N-ch Lev57（N 沟道 MOSFET BSIM3SOI_PD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET N-ch Lev68（N 沟道 MOSFET HISIM2 v2.8.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET N-ch Lev73（N 沟道 MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET N-ch Lev73_1（N 沟道 MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET N-ch VDMOS（N 沟道功率 MOSFET VDMOS 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) 章节。

MOSFET P-ch Lev1（P 沟道 MOS1 MOSFET Shichman 和 Hodges 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.1 MOS Level 1 和 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET P-ch Lev2（P 沟道 MOSFET MOS2 Grove-Frohman 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.2 MOS Level 2 和 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET P-ch Lev3（P 沟道 MOSFET MOS3 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.3 MOS Level 3 和 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET P-ch Lev4（P 沟道 MOSFET BSIM1 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.8 BSIM1 model (level 4) 和 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model 章节。

MOSFET P-ch Lev5（P 沟道 MOSFET BSIM2 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.9 BSIM2 model (level 5) 和 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model 章节。

MOSFET P-ch Lev6（P 沟道 MOSFET MOS6 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.4 MOS Level 6 和 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model 章节。

MOSFET P-ch Lev8（P 沟道 MOSFET BSIM3v0 v3.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET P-ch Lev8_1（P 沟道 MOSFET BSIM3v1 v3.1 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET P-ch Lev8_2（P 沟道 MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET P-ch Lev8_3（P 沟道 MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) 和 31.6.8 BSIM3 章节。

MOSFET P-ch Lev9（P 沟道 MOSFET MOS9 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model 章节。

MOSFET P-ch Lev10（P 沟道 MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET P-ch Lev14（P 沟道 MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET P-ch Lev14_1（P 沟道 MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET P-ch Lev14_2（P 沟道 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET P-ch Lev14_3（P 沟道 MOSFET BSIM4v8 v4.8.1 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) 和 31.6.9 BSIM4 章节。

MOSFET P-ch Lev55（P 沟道 MOSFET BSIM3SOI_FD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET P-ch Lev56（P 沟道 MOSFET BSIM3SOI_DD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET P-ch Lev57（P 沟道 MOSFET BSIM3SOI_PD 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) 章节。

MOSFET P-ch Lev68（P 沟道 MOSFET HISIM2 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET P-ch Lev73（P 沟道 MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET P-ch Lev73_1（P 沟道 MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima 章节。

MOSFET P-ch VDMOS（P 沟道功率 MOSFET VDMOS 模型）

请参阅 Ngspice 用户手册中的 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) 章节。

互感（带电感器列表的互感）

参数名称	说明
耦合系数	耦合系数。
电感器列表	相互耦合的电感器名称。

运算放大器（理想运算放大器）

参数名称	说明
GAIN	电压增益。

带电源端子的运算放大器（理想运算放大器）

参数名称	说明
GAIN	电压增益。

五极管

参数名称	说明
CCG	输入（第一栅极与阴极之间）电容（单位：法拉）。
CCP	输出（阳极与阴极之间）电容（单位：法拉）。
CPG1	米勒（第一栅极与阳极之间）电容（单位：法拉）。
EX	指数。
KG1	与总阳极电流成反比的参数。
KG2	帘栅极电流灵敏度的倒数。
KP	影响高阳极电压和较大负栅极电压下阳极电流的参数。
KVB	拐点参数（单位：伏特）。
MU	放大系数。
RGI	栅极与阴极之间的电阻（单位：欧姆）。
VCT	接触电势（单位：伏特）。

光电二极管

参数名称	说明
BV	反向击穿电压（单位：伏）。
CJO	零偏置结电容（单位：法拉）。
IS	饱和电流（单位：安培）
N	发射系数。
RESP	灵敏度（单位：安培/瓦）。
Rint	内部电阻（单位：欧姆）。

PID 控制器

参数名称	说明
KD	微分系数。
KI	积分系数。
KP	比例系数。

电位器

参数名称	说明
position	滑动触点在电阻轨道上的位置。取值范围为 0（最左端/逆时针到底）至 1（最右端/顺时针到底），其中 0.5 表示中点，此时两侧电阻相等。
value	最大电阻值（单位：欧姆）。

PSK（相移键控调制器）

参数名称	说明
NC	输入波形的一个比特持续时间内，输出波形的周期数。
TB	单个比特的持续时间（单位：秒）。
WMAG	输出波形的幅值（单位：伏）。

PSPICE AND（PSPICE 与逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器对于连接到模拟器件的数字器件必须使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器对于数字器件必须使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE AND3（PSPICE 三态与逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器对于连接到模拟器件的数字器件必须使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器对于数字器件必须使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE BUF（PSPICE 数字缓冲器）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器对于连接到模拟器件的数字器件必须使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器对于数字器件必须使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE BUF3（PSPICE 三态数字缓冲器）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器对于连接到模拟器件的数字器件必须使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器对于数字器件必须使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE INV（PSPICE 数字反相器）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器对于连接到模拟器件的数字器件必须使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE INV3（PSPICE 三态反相器）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NAND（PSPICE 与非逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NAND3（PSPICE 三态与非逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NOR（PSPICE 或非逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NOR3（PSPICE 三态或非逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NXOR（PSPICE 同或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为连接到模拟器件的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE NXOR3（PSPICE 三态同或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE OR（PSPICE 或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE OR3（PSPICE 三态或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE STIM（PSPICE 数字激励发生器）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

signal

时间和值的配对。每对中的第一个数字指定新值（0、1、X 或 Z）生效的时间（以秒为单位）。

PSPICE XOR（PSPICE 异或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

PSPICE XOR3（PSPICE 三态异或逻辑门）

参数名称

说明

IO_LEVEL

定义仿真器必须为与模拟器件相连的数字器件使用的接口子电路模型级别：

0 = 全电路默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义仿真器必须为数字器件使用的数字传播延迟级别：

0 = 全电路默认值
1 = 最小值
2 = 典型值
3 = 最大值
4 = 最坏情况（最小值/最大值）

常闭按钮（常闭式按钮开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，则按钮使电路闭合。否则，按钮使电路断开。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

常开按钮（常开式按钮开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，则按钮使电路闭合。否则，按钮使电路断开。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

PUT（PUT 晶闸管）

参数名称	说明
DVDT	断态电压临界上升率（单位：伏/秒）。
IGT	门极触发电流（单位：安）。
IH	直流维持电流（单位：安）。
K1	DVDT 的微调系数。
K2	TQ 的微调系数。
TON	开通时间（单位：秒）。
TQ	关断时间（单位：秒）。
VDRM	最大重复峰值断态电压（单位：伏）。
VTMIN	阳极与阴极之间的最小通态电压（单位：伏）。

PWM（脉宽调制发生器）

参数名称	说明
MODFREQ	调制波形的频率（单位：赫兹）。
MODHIGH	调制波形的高电平电压值（单位：伏）。
MODLOW	调制波形的低电平电压值（单位：伏）。
PWMHIGH	PWM 输出的高电平电压值（单位：伏）。
PWMLOW	PWM 输出的低电平电压值（单位：伏）。

PWM 发生器（脉宽调制发生器）

参数名称	说明
MODFREQ	调制波形的频率（单位：赫兹）。
MODHIGH	调制波形的高电平电压值（单位：伏）。
MODLOW	调制波形的低电平电压值（单位：伏）。
PWMHIGH	PWM 输出的高电平电压值（单位：伏）。
PWMLOW	PWM 输出的低电平电压值（单位：伏）。

QAM（正交幅度调制发生器）

参数名称	说明
F0	载波频率（单位：赫兹）。

电阻器

参数名称	说明
DTEMP	元件工作温差（单位：°C）。
TC	以逗号分隔的多项式系数列表，用于定义电阻值与温度的关系。例如，给定四个多项式系数（`a, b, c, d`）时，电阻值 `R` 为： `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`，其中， `R0` 为标称温度下的电阻值，`dt` 为电阻器温度与标称温度之差。请注意，定义 `TC1` 和 `TC2` 参数后，它们将覆盖 `TC` 参数。要使用 `TC` 参数，请清除 `TC1` 和 `TC2` 的值。
TC1	一阶温度系数。
TC2	二阶温度系数。
TEMP	元件工作温度（单位：°C）。
Value	电阻值（单位：欧姆）。

请注意，此元件不使用 T_REL_LOCAL 参数。

谐振器

参数名称	说明
F0	中心频率（单位：赫兹）。
Lin	电感值（单位：亨利）。
Q0	品质因数。

SCR（可控硅晶闸管）

参数名称	说明
DVDT	断态电压临界上升率（单位：伏/秒）。
IGT	门极触发电流（单位：安）。
IH	直流维持电流（单位：安）。
K1	DVDT 的微调系数。
K2	TQ 的微调系数。
TON	开通时间（单位：秒）。
TQ	关断时间（单位：秒）。
VDRM	最大重复峰值断态电压（单位：伏）。
VTMIN	阳极与阴极之间的最小通态电压（单位：伏）。

肖特基二极管

请参阅 Ngspice 用户手册中的 7.1 Junction Diodes 章节。

缓冲电路

参数名称	说明
CSNUB	并联电容值（单位：法拉）。
RSNUB	并联电阻值（单位：欧姆）。

Sparkgap（火花间隙）

参数名称	说明
CARC	电弧电容（单位：法拉）。
CPAR	间隙电容（单位：法拉）。
ISUS	维持电流，电流低于此值时电弧熄灭（单位：安）。
LPL	引线电感（单位：亨利）。
RNEG	击穿后的负电阻（单位：欧姆）。
RPL	与 LPL 相关的磁通损耗（单位：欧姆）。
VARC	击穿后火花间隙两端的电压（单位：伏）。
VTHRES	火花间隙的击穿电压（单位：伏）。

SPDT 继电器（单刀双掷继电器）

参数名称	说明
IOFF	关断状态的控制电流（单位：安）。
ION	导通状态的控制电流（单位：安）。
L_C	线圈电感（单位：亨利）。
ROFF	关断状态的电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态的电阻（单位：欧姆）。
R_C	线圈电阻（单位：欧姆）。

SPDT SW（单刀双掷开关）

参数名称	说明
nodeUP_closed	如果 nodeUP_closed > 0，开关在上方位置接通电路。否则，开关在下方位置接通电路。
Rclosed	闭合状态的电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态的电阻（单位：欧姆）。

SPST 常闭继电器（单刀单掷常闭继电器）

参数名称	说明
IOFF	关断状态的控制电流（单位：安培）。
ION	导通状态的控制电流（单位：安培）。
L_C	线圈电感（单位：亨利）。
ROFF	关断状态电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态电阻（单位：欧姆）。
R_C	线圈电阻（单位：欧姆）。

SPST 常开继电器（单刀单掷常开继电器）

参数名称	说明
IOFF	关断状态的控制电流（单位：安培）。
ION	导通状态的控制电流（单位：安培）。
L_C	线圈电感（单位：亨利）。
ROFF	关断状态电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态电阻（单位：欧姆）。
R_C	线圈电阻（单位：欧姆）。

SPST 开关（单刀单掷开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，开关闭合，使电路接通。否则，开关断开，使电路断路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

SR 触发器

参数名称	说明
clk_delay_inst	相对于 clk 信号的延迟（单位：秒）。
clk_load_inst	时钟负载值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字 0 之间的延迟时间（单位：秒）。
reset_delay_inst	相对于复位信号的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位负载（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字 1 之间的延迟时间（单位：秒）。
set_delay_inst	相对于置位信号的延迟（单位：秒）。
set_load_inst	置位负载值（单位：法拉）。
sr_load_inst	置位/复位负载（单位：法拉）。

SR 锁存器（数字 SR 锁存器）

参数名称	说明
enable_delay_inst	相对于使能信号的延迟（单位：秒）。
enable_load_inst	使能负载值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字 0 之间的延迟时间（单位：秒）。
reset_delay_inst	相对于 RESET 信号的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位负载（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字 1 之间的延迟时间（单位：秒）。
set_delay_inst	相对于 SET 信号的延迟（单位：秒）。
set_load_inst	置位负载值（单位：法拉）。
sr_delay_inst	相对于 s 或 r 输入变化的延迟（单位：秒）。
sr_load_inst	s 和 r 输入负载（单位：法拉）。

步进电机

参数名称	说明
HARDNESS	用于设置限位硬度的无量纲系数。
JLOAD	电机轴的转动惯量（单位：kg * m²）。
JMOTOR	电机负载的转动惯量（单位：kg * m²）。
K	电机常数（单位：V * s / rad）。
KD	阻尼转矩（单位：N * m / (rad * s)）。
LIMIT	硬限位位置（单位：弧度）。
LS	定子线圈电感（单位：亨利）。
RS	定子线圈电阻（单位：欧姆）。
STEP_ANGLE	一个完整步距的角度（单位：度）。
TD	定位转矩（单位：N * m）。
TLOAD	负载转矩（单位：N * m）。

双向抑制器

请参阅 Ngspice 用户手册中的 7.1 Junction Diodes 章节。

单向抑制器

请参阅 Ngspice 用户手册中的 7.1 Junction Diodes 章节。

SW NC（常闭开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，开关闭合，使电路接通。否则，开关断开，使电路断路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

SW NO（常开开关）

参数名称	说明
closed	如果 closed > 0，开关闭合，使电路接通。否则，开关断开，使电路断路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

开关电容

参数名称	说明
CVALUE	电容值（单位：法拉）。
FSAMPLE	开关频率（单位：赫兹）。
ROFF	关断状态电阻（单位：欧姆）。
RON	导通状态电阻（单位：欧姆）。

T 触发器（数字 T 触发器）

参数名称	说明
clk_delay_inst	相对于 clk 的延迟（单位：秒）。
clk_load_inst	时钟端负载电容值（单位：法拉）。
fall_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字逻辑 0 之间的延迟时间（单位：秒）。
reset_delay_inst	相对于 reset 的延迟（单位：秒）。
reset_load_inst	复位端负载电容（单位：法拉）。
rise_delay_inst	从输入驱动模型内部状态发生变化，到输出变为数字逻辑 1 之间的延迟时间（单位：秒）。
set_delay_inst	相对于 set 的延迟（单位：秒）。
set_load_inst	置位端负载电容值（单位：法拉）。
t_load_inst	翻转端负载电容值（单位：法拉）。

四极管

参数名称	说明
CCG	输入（第一栅极与阴极之间）电容（单位：法拉）。
CCP	输出（阳极与阴极之间）电容（单位：法拉）。
CPG1	米勒（第一栅极与阳极之间）电容（单位：法拉）。
EX	指数。
KG1	与总阳极电流成反比的参数。
KG2	帘栅极电流灵敏度的倒数。
KP	影响高阳极电压和较大负栅极电压下阳极电流的参数。
KVB	拐点参数（单位：伏特）。
MU	放大系数。
RGI	栅极与阴极之间的电阻（单位：欧姆）。

时间控制开关（时间控制型开关）

参数名称	说明
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。
tSwitch	开关开始切换的时刻（单位：秒）。
ttran	切换状态所需的时间（单位：秒）。此值必须符合实际，不能为 0。

无损传输线（无损耗传输线）

参数名称	说明
特性阻抗	特性阻抗（单位：欧姆）。
频率	频率（单位：赫兹）。
初始电流 1	零时刻传输线端口 1 的电流（单位：安培）。
初始电流 2	零时刻传输线端口 2 的电流（单位：安培）。
初始电压 1	零时刻传输线端口 1 的电压（单位：伏特）。
初始电压 2	零时刻传输线端口 2 的电压（单位：伏特）。
归一化长度	在指定频率下，相对于传输线内波长归一化的传输线电气长度。
传输延迟	传输延迟（单位：秒）。

理想变压器（理想型变压器）

参数名称	说明
GAIN	电压增益。

宽带变压器（宽频带变压器）

参数名称	说明
FH	高频转折频率（单位：赫兹）。
FL	低频转折频率（单位：赫兹）。
N	匝数。
RS	初级串联电阻（单位：欧姆）。

带中心抽头的理想变压器（理想型中心抽头变压器）

参数名称	说明
L1	初级电感（单位：亨利）。
L2	次级电感 1（单位：亨利）。
L3	次级电感 2（单位：亨利）。

TRIAC（双向晶闸管）

参数名称	说明
DVDT	断态电压临界上升率（单位：伏特/秒）。
IGT	门极触发电流（单位：安培）。
IH	直流维持电流（单位：安培）。
K1	DVDT 的微调系数。
K2	TQ 的微调系数。
TON	开通时间（单位：秒）。
TQ	关断时间（单位：秒）。
VDRM	最大重复峰值断态电压（单位：伏特）。
VTMIN	阳极与阴极之间的最小通态电压（单位：伏特）。

三极管

参数名称	说明
CGC	栅极与阴极之间的电容（单位：法拉）。
CGP	栅极与阳极之间的电容（单位：法拉）。
CPC	阳极与阴极之间的电容（单位：法拉）。
K	电子管常数 k。
MU	电子管常数 mu。

变容二极管

请参阅 Ngspice 用户手册中的 7.1 Junction Diodes 章节。

VCCS（压控电流源）

参数名称	说明
增益	跨导（单位：姆欧）。

VCCS_Expr（使用任意表达式的压控电流源）

参数名称	说明
表达式	定义源波形的表达式。

VCCS_Poly（使用 SPICE POLY 函数的压控电流源）

参数名称	说明
系数列表	多项式系数。
节点名称	控制电压集合。
阶数	多项式的维数。控制节点对的数量必须等于维数。

VCCS_Table（带表格函数的压控电流源）

参数名称	说明
表达式	用于提供 x 值的表达式，根据表格中的数值对，使用线性插值生成相应的 y 值。
表格	数值对。

VCO（压控振荡器）

参数名称	说明
F0	中心频率（单位：Hz）。
KF	灵敏度（单位：Hz/V）。
VP	幅度（单位：V）。

VCO Square（压控方波振荡器）

参数名称	说明
F0	中心频率（单位：Hz）。
KF	灵敏度（单位：Hz/V）。
VH	输出高电平峰值（单位：V）。
VL	输出低电平峰值（单位：V）。

VCSW_Hysteresis（带迟滞的压控开关）

参数名称	说明
初始条件	开关的初始状态，可以为断开（OFF）或闭合（ON）。
ROFF	关断状态电阻（单位：Ω）。
RON	导通状态电阻（单位：Ω）。
VH	迟滞电压（单位：V）。
VT	阈值电压（单位：V）。

VCSW_Smooth_Trans（带平滑过渡的压控开关）

参数名称	说明
ROFF	关断状态电阻（单位：Ω）。
RON	导通状态电阻（单位：Ω）。
VOFF	关断状态控制电压（单位：V）。
VON	导通状态控制电压（单位：V）。