Simulation Generic Components

Created: February 21, 2024 | Updated: August 28, 2024

Simulation Generic Components 라이브러리는 Components 패널에서 사용할 수 있으며 RLC 패시브부터 이산 반도체, 다양한 형식의 디지털 구성 요소에 이르기까지 다양한 시뮬레이션 준비 구성 요소에 대한 접근을 제공합니다.

Components 패널 내에서 라이브러리의 가시성을 제어하려면 Enable Simulation Generic Components Library 옵션을 Preferences 대화 상자의 Simulation – General 페이지에서 사용하세요.
Altium Designer에서 시뮬레이션 준비 구성 요소를 배치하는 데 사용할 수 있는 옵션에 대해 자세히 알아보려면 프로젝트 검증 및 시뮬레이션 준비 페이지를 참조하세요.

`Simulation Generic Components` 라이브러리에서 컴포넌트를 회로도에 배치하면, 해당 컴포넌트를 선택하여 속성 패널을 사용해 시뮬레이션 일반 컴포넌트 모드에서 그 속성에 접근할 수 있습니다. 이 패널에는 컴포넌트 매개변수의 값을 정의할 수 있는 매개변수 영역이 포함되어 있습니다.

배치된 시뮬레이션 일반 컴포넌트를 선택하여 속성 패널을 사용해 그 매개변수를 정의하세요.

아래 섹션을 사용하여 Simulation Generic Components 라이브러리의 구성 요소 매개변수에 대한 정보를 찾으십시오.

.IC (초기 조건)

파라미터 이름	설명
초기 전압	노드 전압의 진폭(볼트 단위).

.NS (노드 세트)

파라미터 이름	설명
초기 전압	노드 전압의 진폭(볼트 단위).

3상 델타 (3상 델타 전압원)

파라미터 이름	설명
FREQ	주파수(헤르츠 단위).
V_RMS	실효값(RMS) 전압(볼트 단위).

3상 와이 (3상 와이 전압원)

파라미터 이름	설명
FREQ	주파수 (헤르츠 단위).
V_RMS	실효값(RMS) 전압 (볼트 단위).

3PDT (3극 2투 스위치)

파라미터 이름	설명
nodesUP_closed	nodesUP_closed > 0이면, 스위치는 상단 위치에서 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치는 하단 위치에서 회로를 닫습니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴 단위).
Ropen	열린 상태의 저항(옴 단위).

3PST (3극 단투 스위치)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 스위치가 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

555 (타이머 555)

파라미터 없음

AC 전류원

파라미터 이름	설명
Amp	사인파의 최대 진폭(암페어 단위).
DC	신호 발생기의 DC 오프셋 전류(암페어 단위).
Freq	사인파 출력 전류의 주파수(헤르츠 단위).
Phase	시간 제로에서의 사인파의 위상 이동(도 단위).

AC 모터

파라미터 이름	설명
J	관성 모멘트 (kg * m² 단위).
K	결합 계수.
LR	로터의 누설 인덕턴스 (헨리 단위).
LS	스테이터의 누설 인덕턴스 (헨리 단위).
NP	극의 수.
RR	로터의 저항 (옴 단위).
RS	스테이터의 저항 (옴 단위).

AC 전압원

파라미터 이름	설명
Amp	사인파의 최대 진폭(볼트 단위).
Cpar	병렬 용량(패럿 단위).
DC	신호 발생기의 DC 오프셋 전압(볼트 단위).
Freq	사인파 출력 전압의 주파수(헤르츠 단위).
Phase	시간 제로에서의 사인파의 위상 이동(도 단위).
Rser	직렬 저항(옴 단위).

AM (진폭 변조 전압원)

파라미터 이름	설명
FC	반송 주파수 (헤르츠 단위).
KA	진폭 감도.
OFFSET	신호 발생기의 DC 오프셋 (볼트 단위).
VC	반송 진폭 (볼트 단위).

AtoD (AtoD 브릿지)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
in_high_inst	최소 1값 아날로그 입력(볼트 단위).
in_low_inst	최대 0값 아날로그 입력(볼트 단위).
rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).

배터리 (정전압 소스)

파라미터 이름	설명
CPAR	병렬 용량 (패럿).
DC Magnitude	DC 전압 값 (볼트).
RSER	직렬 저항 (옴).

BJT NPN 4 GP (바이폴라 NPN 4핀 트랜지스터 거멜-푼 모델)

8.2.1 거멜-푼 모델 및 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT NPN 4 MGP (검멜-푼 모델의 수정된 버전인 바이폴라 NPN 4핀 트랜지스터)

8.2.1 검멜-푼 모델 및 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

BJT NPN 4 VBIC (수직 양극성 NPN 4핀 트랜지스터 VBIC 모델)

8.2.2 VBIC 모델과 31.5.2 VBIC - 수직 양극성 인터컴퍼니 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT NPN VBIC (수직형 NPN 3핀 트랜지스터 VBIC 모델)

8.2.2 VBIC 모델과 31.5.2 VBIC - 수직형 바이폴라 인터-컴퍼니 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT NPN_GP (바이폴라 NPN 3핀 트랜지스터 굼멜-푼 모델)

8.2.1 굼멜-푼 모델 및 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT NPN_MGP (바이폴라 NPN 3핀 트랜지스터 개선된 구멜-푼 모델)

8.2.1 구멜-푼 모델과 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP 4 GP (양극성 PNP 4핀 트랜지스터 거멀-푼 모델)

8.2.1 거멀-푼 모델 및 31.5.1 BJT - 양극성 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP 4 MGP (Gummel-Poon 모델의 수정된 버전인 Bipolar PNP 4핀 트랜지스터)

8.2.1 Gummel-Poon 모델과 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP 4 VBIC (수직 양극성 PNP 4핀 트랜지스터 VBIC 모델)

8.2.2 VBIC 모델과 31.5.2 VBIC - 수직 양극성 인터컴퍼니 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP GP (양극성 PNP 3핀 트랜지스터 Gummel-Poon 모델)

8.2.1 Gummel-Poon 모델과 31.5.1 BJT - 양극성 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP MGP (바이폴라 PNP 3핀 트랜지스터 구멜-푼 모델의 수정 버전)

8.2.1 구멜-푼 모델과 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

BJT PNP VBIC (수직형 PNP 3핀 트랜지스터 VBIC 모델)

8.2.2 VBIC 모델과 31.5.2 VBIC - 수직형 바이폴라 인터-컴퍼니 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

브리지 정류기 (4개 다이오드 브리지 정류기)

7.1 접합 다이오드 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

커패시터

파라미터 이름	설명
CPAR	등가 병렬 커패시턴스(패럿).
LSER	등가 직렬 인덕턴스(헨리).
RLSHUNT	LSER에 걸친 쇼트 저항(옴).
RPAR	등가 병렬 저항(옴).
RSER	등가 직렬 저항(옴).
TEMP	구성 요소 작동 온도(°C).
Value	커패시턴스 값(패럿).

커패시터의 등가 회로.

CCCS (전류 제어 전류 소스)

매개변수 이름	설명
이득	전류 이득.
전압 소스 이름	제어 전류가 흐르는 전압 소스의 이름.

CCCS_4pins (전류 제어 전류원)

파라미터 이름	설명
이득	전류 이득.

CCCS_Expr (임의의 표현식을 가진 전류 제어 전류 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

CCCS_Poly (SPICE POLY 함수를 사용한 전류 제어 전류 소스)

파라미터 이름	설명
계수 목록	다항식 계수.
차수	다항식의 차원 수. 제어 소스의 수는 차원의 수와 같아야 합니다.
전압 소스 이름	제어 전압 소스. 제어 변수는 이 소스들을 통한 전류입니다.

CCCS_Table (테이블 기능이 있는 전류 제어 전류 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	선형 보간을 사용하여 표에 나열된 값 쌍에 따라 해당하는 y값을 생성하는 데 사용되는 x값을 전달하는 표현식.
테이블	값 쌍.

CCSW_Hysteresis (전류 제어 스위치 히스테리시스)

파라미터 이름	설명
IH	히스테리시스 전류(암페어 단위).
초기 조건	스위치의 시작점, 열림(OFF) 또는 닫힘(ON).
IT	임계 전류(암페어 단위).
ROFF	OFF 상태 저항(옴 단위).
RON	ON 상태 저항(옴 단위).

CCSW_Smooth_Trans (전류 제어 스위치, 부드러운 전환)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태를 위한 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태를 위한 제어 전류 (암페어 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).

CCVS (전류 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
이득	전이저항(옴 단위).
전압 소스 이름	제어 전류가 흐르는 전압 소스의 이름.

CCVS_4핀 (전류 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
이득	전달 저항(옴 단위).

CCVS_Expr (임의의 표현식을 가진 전류 제어 전압 소스)

매개변수 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

CCVS_Poly (SPICE POLY 함수를 사용한 전류 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
계수 목록	다항식 계수.
차수	다항식의 차원 수. 제어 소스의 수는 차원의 수와 같아야 합니다.
전압 소스 이름	제어 전압 소스. 제어 변수는 이 소스들을 통한 전류입니다.

CCVS_Table (테이블 기능이 있는 전류 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	선형 보간을 사용하여 표에 나열된 값 쌍에 따라 해당하는 y값을 생성하는 데 사용되는 x값을 제공하는 표현식.
테이블	값 쌍.

비교기 (이상적인 비교기)

파라미터 이름	설명
VHIGH	출력 상한 (볼트 단위).
VHYS	히스테리시스 폭 (볼트 단위).
VLOW	출력 하한 (볼트 단위).

결합 인덕터 (결합 인덕터 쌍)

파라미터 이름	설명
Coupling_Factor	결합 계수, 0보다 커야 하며 1 이하이어야 합니다.
L1	첫 번째 이산 인덕터의 인덕턴스(헨리 단위).
L2	두 번째 이산 인덕터의 인덕턴스(헨리 단위).

[크리스탈]

파라미터 이름	설명
F0	크리스탈의 명목 출력 주파수(헤르츠 단위).
Q	크리스탈에 대한 등가 전기 회로 모델의 품질 계수.
R	연속 공진 주파수에서 크리스탈이 나타내는 저항(옴 단위).

D 플립플롭

파라미터 이름	설명
clk_delay_inst	클록 지연 시간(초 단위).
clk_load_inst	클록 부하 값(패럿 단위).
data_load_inst	데이터 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
reset_delay_inst	리셋으로부터의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트로부터의 지연 시간(초 단위).
set_load	세트 부하 값(패럿 단위).

D 래치 (디지털 D 래치)

파라미터 이름	설명
data_delay_inst	데이터 지연 시간(초 단위).
data_load_inst	데이터 부하(패럿 단위).
enable_delay_inst	활성화 지연 시간(초 단위).
enable_load_inst	활성화 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
reset_delay_inst	리셋으로부터의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트로부터의 지연 시간(초 단위).
set_load_inst	세트 부하 값(패럿 단위).

달링턴 BJT NPN (달링턴 NPN 바이폴라 트랜지스터)

8.2.1 구멜-푼 모델과 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

달링턴 BJT PNP (달링턴 PNP 바이폴라 트랜지스터)

8.2.1 구멜-푼 모델과 31.5.1 BJT - 바이폴라 접합 트랜지스터 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

DC 전류 소스

파라미터 이름	설명
DC	소스 전류의 진폭(암페어 단위).

직류 모터

파라미터 이름	설명
BM	점성 마찰 (단위: N * m / (rad * s)).
JM	관성 모멘트 (단위: kg * m²).
KE	역기전력 상수 (단위: V * s / rad).
KT	토크 상수 (단위: N * m / A).
LA	암자 유도성 (단위: Henrys).
RA	암자 저항 (단위: Ohms).
TL	부하 토크 (단위: N * m).

지연선

파라미터 이름	설명
DELAY	시간 지연(초 단위).

DIAC (DIAC Thyristor)

파라미터 이름	설명
RS	직렬 저항 (옴 단위).
VK	파괴 전압 (볼트 단위).

디지털 0 (디지털 제로 생성기)

파라미터 이름	설명
adc_fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
adc_rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).

디지털 1 (디지털 원 생성기)

파라미터 이름	설명
adc_fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
adc_rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).

디지털 AND (디지털 AND 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 버퍼 (Digital Buffers)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태 변화와 디지털 0으로의 출력 변화 사이의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태 변화와 디지털 1로의 출력 변화 사이의 지연 시간(초 단위).

디지털 시계

파라미터 이름	설명
adc_fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
adc_in_high_inst	최소 1값 아날로그 입력(볼트 단위).
adc_in_low_inst	최대 0값 아날로그 입력(볼트 단위).
adc_rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).
period	주기(초 단위).
phase	펄스 신호의 위상(도 단위).
pwidth	펄스 폭(초 단위).
tdelay	지연 시간(초 단위).
tfall	하강 시간(초 단위).
trise	상승 시간(초 단위).
vhigh	펄스 값(볼트 단위).
vlow	초기 값(볼트 단위).

디지털 인버터

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 NAND (디지털 NAND 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변화하고 출력이 디지털 0으로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변화하고 출력이 디지털 1로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 NOR (디지털 NOR 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 NOT (디지털 NOT 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 OR (디지털 OR 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 XNOR (디지털 XNOR 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

디지털 XOR (디지털 XOR 게이트)

파라미터 이름	설명
fall_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 0으로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).
input_load_inst	하나 또는 모든 디지털 입력의 용량(패럿 단위).
rise_delay_inst	입력에 의해 구동되는 모델의 내부 상태가 변경되고 출력이 디지털 1로 변경되는 데까지의 지연 시간(초 단위).

다이오드

7.1 접합 다이오드 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

DPDT 릴레이 (이중극, 이중투척 릴레이)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태 제어 전류 (암페어 단위).
L_C	코일 인덕턴스 (헨리 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).
R_C	코일 저항 (옴 단위).

DPDT SW (양극 양투 스위치)

파라미터 이름	설명
nodesUP_closed	nodesUP_closed > 0이면, 스위치가 상위 위치에서 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 하위 위치에서 회로를 닫습니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

DPST 푸시 버튼 (이중극 단동 버튼)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 버튼이 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 버튼이 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

DPST 릴레이 (Double-Pole, Single-Throw Relay)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태 제어 전류 (암페어 단위).
L_C	코일 인덕턴스 (헨리 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).
R_C	코일 저항 (옴 단위).

DPST SW (이중극 단방향 스위치)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 스위치가 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

DtoA (DtoA 브리지)

파라미터 이름	설명
input_load_inst	입력 부하(패럿).
out_high_inst	1값 아날로그 출력(볼트).
out_low_inst	0값 아날로그 출력(볼트).
out_undef_inst	정의되지 않은 값의 아날로그 출력(볼트).
t_fall_inst	하강 시간 1->0(초).
t_rise_inst	상승 시간 0->1(초).

이중 다이오드

7.1 접합 다이오드 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

FSK (주파수 이동 변조기)

파라미터 이름	설명
NC0	입력 파형의 단일 0 비트 지속 시간 동안 발생할 출력 파형의 사이클 수입니다.
NC1	입력 파형의 단일 1 비트 지속 시간 동안 발생할 출력 파형의 사이클 수입니다.
TB	단일 비트의 지속 시간(초 단위).
WMAG	출력 파형의 크기(볼트 단위).

기능 전류 소스 (Functional Current Source)

파라미터 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

기능적 전압 소스

파라미터 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

퓨즈

파라미터 이름	설명
전류	퓨즈 전류(암페어 단위).
저항	내부 저항(옴 단위).

자이레이터

파라미터 이름	설명
G	자이레이션 전도도 (mhos 단위).

인덕터

파라미터 이름	설명
CPAR	등가 병렬 용량(패럿).
DTEMP	부품 작동 온도 차이(°C).
초기 전류	인덕터를 통해 흐르는 시간-제로 전류(암페어).
M	병렬 단위의 수.
RPAR	등가 병렬 저항(옴).
RSER	등가 직렬 저항(옴).
TC1	1차 온도 계수.
TC2	2차 온도 계수.
TEMP	부품 작동 온도(°C).
값	인덕턴스 값(헨리).

이 부품에서는 T_REL_LOCAL 파라미터가 사용되지 않는다는 점에 유의하세요.

인덕터의 등가 회로.

ISRC (전류 소스)

시뮬레이션 소스 추가 및 구성하기 - 프로젝트 검증 및 시뮬레이션 준비에 관한 내용은 여기를 참조하세요.

JFET N-ch Level1 (N-채널 접합 게이트 필드-이펙트 트랜지스터 레벨1)

9.2.2 파커 스켈런 수정이 포함된 JFET 레벨 1 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

JFET N-채널 레벨2 (N-채널 접합 게이트 필드-이펙트 트랜지스터 레벨2)

9.2.3 JFET 레벨 2 파커 스켈런 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

JFET P-ch Level1 (P-채널 접합 게이트 필드-이펙트 트랜지스터 레벨1)

9.2.2 파커 스켈런 수정이 포함된 JFET 레벨 1 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

JFET P-ch Level2 (P-채널 접합 게이트 필드-이펙트 트랜지스터 레벨2)

9.2.3 JFET 레벨 2 파커 스켈런 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

JK 플립플롭

파라미터 이름	설명
clk_delay_inst	클록 지연 시간(초 단위).
clk_load_inst	클록 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	하강 지연 시간(초 단위).
jk_load_inst	J,K 부하 값(패럿 단위).
reset_delay_inst	리셋으로부터의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	상승 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트로부터의 지연 시간(초 단위).
set_load_inst	세트 부하 값(패럿 단위).

LED (발광 다이오드)

7.1 접합 다이오드 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

선형 전압 조정기 (조절 가능) (양의 조절 가능한 전압 조정기)

파라미터 없음

선형 전압 조정기 (고정) (양의 고정 전압 조정기)

파라미터 이름	설명
Av_feedback	Av*피드백 계수 (Vout = 5V일 때 Av_feedback = 1665 (기본값); Vout = 12V일 때 Av_feedback = 694; Vout = 15V일 때 Av_feedback = 550).
R1_Value	R1의 값 (옴 단위) (Vout = 5V일 때 R1_Value = 1020 (기본값); Vout = 12V일 때 R1_Value = 2448; Vout = 15V일 때 R1_Value = 3060).

MOSFET N-채널 Lev1 (N-채널 MOS1 MOSFET Shichman과 Hodges 모델)

11.2.1 MOS 레벨 1 및 31.6.1 MOS1 - Meyer 커패시턴스 모델을 사용한 레벨 1 MOSFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-채널 Lev2 (N-채널 MOSFET MOS2 Grove-Frohman 모델)

11.2.2 MOS 레벨 2 및 31.6.2 MOS2 - Meyer 커패시턴스 모델을 사용한 레벨 2 MOSFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-채널 Lev3 (N-채널 MOSFET MOS3 모델)

11.2.3 MOS 레벨 3 및 31.6.3 MOS3 - 마이어 커패시턴스 모델을 포함한 레벨 3 MOSFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET N-채널 Lev4 (N-채널 MOSFET BSIM1 모델)

11.2.8 BSIM1 모델 (레벨 4) 및 31.6.6 BSIM1 - 버클리 단채널 IGFET 모델 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET N-채널 Lev5 (N-채널 MOSFET BSIM2 모델)

11.2.9 BSIM2 모델 (레벨 5) 및 31.6.7 BSIM2 - 버클리 단채널 IGFET 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET N-채널 Lev6 (N-채널 MOSFET MOS6 모델)

11.2.4 MOS 레벨 6 및 31.6.4 MOS6 - 마이어 커패시턴스 모델을 포함한 레벨 6 MOSFET 모델 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET N-ch Lev8 (N-채널 MOSFET BSIM3v0 v3.0 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET N-채널 Lev8_1 (N-채널 MOSFET BSIM3v1 v3.1 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET N-채널 Lev8_2 (N-채널 MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev8_3 (N-채널 MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev9 (N-채널 MOSFET MOS9 모델)

31.6.5 MOS9 - 수정된 레벨 3 MOSFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-채널 Lev10 (N-채널 MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-채널 Lev14 (N-채널 MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev14_1 (N-채널 MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev14_2 (N-채널 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev14_3 (N-채널 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET N-ch Lev55 (N-채널 MOSFET BSIM3SOI_FD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-ch Lev56 (N-채널 MOSFET BSIM3SOI_DD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET N-ch Lev57 (N-채널 MOSFET BSIM3SOI_PD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET N-ch Lev68 (N-채널 MOSFET HISIM2 v2.8.0 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-ch Lev73 (N-채널 MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-ch Lev73_1 (N-채널 MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET N-채널 VDMOS (N-채널 파워 MOSFET VDMOS 모델)

11.3 파워 MOSFET 모델 (VDMOS) 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET P-ch Lev1 (P-채널 MOS1 MOSFET Shichman과 Hodges 모델)

11.2.1 MOS 레벨 1 및 31.6.1 MOS1 - Meyer 용량 모델이 있는 레벨 1 MOSFET 모델 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET P-ch Lev2 (P-채널 MOSFET MOS2 Grove-Frohman 모델)

11.2.2 MOS 레벨 2 및 31.6.2 MOS2 - Meyer 커패시턴스 모델을 포함한 레벨 2 MOSFET 모델 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET P-ch Lev3 (P-채널 MOSFET MOS3 모델)

11.2.3 MOS 레벨 3 및 31.6.3 MOS3 - Meyer 커패시턴스 모델이 있는 레벨 3 MOSFET 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev4 (P-채널 MOSFET BSIM1 모델)

11.2.8 BSIM1 모델 (레벨 4) 및 31.6.6 BSIM1 - 버클리 단채널 IGFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev5 (P-채널 MOSFET BSIM2 모델)

11.2.9 BSIM2 모델 (레벨 5) 및 31.6.7 BSIM2 - 버클리 단채널 IGFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev6 (P-채널 MOSFET MOS6 모델)

11.2.4 MOS 레벨 6 및 31.6.4 MOS6 - 마이어 커패시턴스 모델을 포함한 레벨 6 MOSFET 모델 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev8 (P-채널 MOSFET BSIM3v0 v3.0 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev8_1 (P-채널 MOSFET BSIM3v1 v3.1 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev8_2 (P-채널 MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev8_3 (P-채널 MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 모델)

11.2.10 BSIM3 모델 (레벨 8, 49) 및 31.6.8 BSIM3 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev9 (P-채널 MOSFET MOS9 모델)

31.6.5 MOS9 - 수정된 레벨 3 MOSFET 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET P-ch Lev10 (P-채널 MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET P-ch Lev14 (P-채널 MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev14_1 (P-채널 MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

MOSFET P-ch Lev14_2 (P-채널 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET P-ch Lev14_3 (P-채널 MOSFET BSIM4v8 v4.8.1 모델)

11.2.11 BSIM4 모델 (레벨 14, 54) 및 31.6.9 BSIM4 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

MOSFET P-ch Lev55 (P-채널 MOSFET BSIM3SOI_FD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET P-ch Lev56 (P-채널 MOSFET BSIM3SOI_DD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET P-ch Lev57 (P-채널 MOSFET BSIM3SOI_PD 모델)

11.2.14 BSIMSOI 모델 (레벨 10, 58, 55, 56, 57) 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인하세요.

MOSFET P-ch Lev68 (P-채널 MOSFET HISIM2 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET P-ch Lev73 (P-채널 MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET P-ch Lev73_1 (P-채널 MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 모델)

11.2.16 히로시마 대학의 HiSIM 모델 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

MOSFET P-ch VDMOS (P-채널 파워 MOSFET VDMOS 모델)

11.3 파워 MOSFET 모델 (VDMOS) 섹션을 참조하십시오. Ngspice 사용자 매뉴얼.

상호 인덕턴스 (상호 인덕턴스와 인덕터 목록)

파라미터 이름	설명
결합 계수	결합 계수.
인덕터 목록	결합된 인덕터의 이름들.

OpAmp (이상적인 연산 증폭기)

파라미터 이름	설명
GAIN	전압 이득.

전원 단자가 있는 OpAmp (이상적인 연산 증폭기)

파라미터 이름	설명
GAIN	전압 이득.

펜토드

파라미터 이름	설명
CCG	입력(그리드 1에서 캐소드까지) 용량(패럿).
CCP	출력(플레이트에서 캐소드까지) 용량(패럿).
CPG1	밀러(그리드 1에서 플레이트까지) 용량(패럿).
EX	지수.
KG1	전체 플레이트 전류에 반비례하는 파라미터.
KG2	스크린 그리드 전류 감도의 역수.
KP	큰 플레이트 전압과 큰 음의 그리드 전압에 대한 플레이트 전류에 영향을 주는 파라미터.
KVB	무릎 파라미터(볼트).
MU	증폭 계수.
RGI	그리드에서 캐소드까지의 저항(옴).
VCT	접촉 전위(볼트).

포토다이오드

파라미터 이름	설명
BV	역방향 내압 (볼트 단위).
CJO	제로 바이어스 접합 용량 (패럿 단위).
IS	포화 전류 (암페어 단위)
N	방출 계수.
RESP	감도 (암페어 / 와트 단위).
Rint	내부 저항 (옴 단위).

PID 컨트롤러

파라미터 이름	설명
KD	미분 스케일 값.
KI	적분 스케일 값.
KP	비례 스케일 값.

가변 저항

파라미터 이름	설명
position	저항기 트랙을 따라 와이퍼의 위치입니다. 값은 0(완전히 왼쪽/반시계 방향)에서 1(완전히 오른쪽/시계 방향)까지의 범위를 가질 수 있으며, 0.5는 양쪽에 동일한 저항이 있는 중간 지점입니다.
value	최대 저항 값(옴).

PSK (위상 변조 변조기)

파라미터 이름	설명
NC	입력 파형의 한 비트 기간 동안 발생할 출력 파형의 주기 수.
TB	단일 비트의 지속 시간(초 단위).
WMAG	출력 파형의 크기(볼트 단위).

PSPICE AND (PSPICE AND 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 레벨을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 레벨을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE AND3 (PSPICE 삼상태 AND 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE BUF (PSPICE 디지털 버퍼)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 레벨을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 레벨을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 일반적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE BUF3 (PSPICE 삼상 디지털 버퍼)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 일반적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE INV (PSPICE 디지털 인버터)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE INV3 (PSPICE 삼상 디지털 인버터)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NAND (PSPICE NAND 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NAND3 (PSPICE 삼중 상태 NAND 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 하위 회로 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NOR (PSPICE NOR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NOR3 (PSPICE 삼상태 NOR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부품에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NXOR (PSPICE NXOR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE NXOR3 (PSPICE 3입력 비동기 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE OR (PSPICE OR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE OR3 (PSPICE 삼상태 OR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 전형적인
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE STIM (PSPICE 디지털 자극 생성기)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

signal

시간과 값의 쌍입니다. 각 쌍의 첫 번째 숫자는 새 값(0, 1, X, 또는 Z)에 대한 시간(초 단위)을 지정합니다.

PSPICE XOR (PSPICE XOR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 서브서킷 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 일반적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

PSPICE XOR3 (PSPICE 3상태 XOR 논리 게이트)

파라미터 이름

설명

IO_LEVEL

아날로그 부분에 연결된 디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 인터페이스 하위 회로 모델의 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = AtoD1 및 DtoA1
2 = AtoD2 및 DtoA2
3 = AtoD3 및 DtoA3
4 = AtoD4 및 DtoA4

MNTYMXDLY

디지털 부분에 대해 시뮬레이터가 사용해야 하는 디지털 전파 지연 수준을 정의합니다:

0 = 회로 전체 기본값
1 = 최소
2 = 일반적
3 = 최대
4 = 최악의 경우 (최소/최대)

푸시 버튼 NC (푸시 버튼 정상 닫힘)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 버튼이 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 버튼이 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

푸시 버튼 NO (푸시 버튼 정상 개방)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 버튼이 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 버튼이 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

PUT (PUT Thyristor)

파라미터 이름	설명
DVDT	꺼짐 상태 전압의 급격한 상승률 (볼트/초 단위).
IGT	게이트 트리거 전류 (암페어 단위).
IH	DC 유지 전류 (암페어 단위).
K1	DVDT에 대한 조정 인자.
K2	TQ에 대한 조정 인자.
TON	켜짐 시간 (초 단위).
TQ	꺼짐 시간 (초 단위).
VDRM	최대 반복 피크 꺼짐 상태 전압 (볼트 단위).
VTMIN	최소 아노드 대 캐소드 켜짐 상태 전압 (볼트 단위).

PWM (펄스 폭 변조 발생기)

파라미터 이름	설명
MODFREQ	변조 파형의 주파수(헤르츠 단위).
MODHIGH	변조 파형의 고전압 값(볼트 단위).
MODLOW	변조 파형의 저전압 값(볼트 단위).
PWMHIGH	PWM 출력의 고전압 값(볼트 단위).
PWMLOW	PWM 출력의 저전압 값(볼트 단위).

PWM 발생기 (펄스 폭 변조 발생기)

파라미터 이름	설명
MODFREQ	변조 파형의 주파수(헤르츠 단위).
MODHIGH	변조 파형의 고전압 값(볼트 단위).
MODLOW	변조 파형의 저전압 값(볼트 단위).
PWMHIGH	PWM 출력의 고전압 값(볼트 단위).
PWMLOW	PWM 출력의 저전압 값(볼트 단위).

QAM (Quadrature Amplitude Modulation Generator)

파라미터 이름	설명
F0	반송 주파수 (헤르츠 단위).

저항

파라미터 이름	설명
DTEMP	구성 요소의 작동 온도 차이(°C 단위).
TC	저항의 온도 의존성을 정의하는 다항식 계수의 쉼표로 구분된 목록입니다. 예를 들어, 네 개의 다항식 계수(`a, b, c, d`)가 주어진 경우, 저항 `R`은 다음과 같습니다: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴),` 여기서 `R0`은 명목 온도에서의 저항이고, `dt`는 저항기의 온도와 명목 온도 사이의 차이입니다. 정의된 경우, `TC1` 및 `TC2` 파라미터가 `TC` 파라미터를 덮어쓴다는 점에 유의하세요. `TC` 파라미터를 사용하려면 `TC1` 및 `TC2`의 값을 지워야 합니다.
TC1	1차 온도 계수.
TC2	2차 온도 계수.
TEMP	구성 요소의 작동 온도(°C 단위).
Value	저항 값(옴 단위).

T_REL_LOCAL 파라미터는 이 구성 요소에서 사용되지 않습니다.

공진기

파라미터 이름	설명
F0	중심 주파수(헤르츠 단위).
Lin	인덕턴스 값(헨리 단위).
Q0	품질 계수.

SCR (SCR Thyristor)

매개변수 이름	설명
DVDT	꺼짐 상태 전압의 급격한 상승률 (볼트/초 단위).
IGT	게이트 트리거 전류 (암페어 단위).
IH	DC 유지 전류 (암페어 단위).
K1	DVDT에 대한 조정 인자.
K2	TQ에 대한 조정 인자.
TON	켜짐 시간 (초 단위).
TQ	꺼짐 시간 (초 단위).
VDRM	최대 반복 피크 꺼짐 상태 전압 (볼트 단위).
VTMIN	최소 양극 대 음극 켜짐 상태 전압 (볼트 단위).

쇼트키 다이오드

7.1 접합 다이오드 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 참조하세요.

스너버

파라미터 이름	설명
CSNUB	병렬 커패시턴스 값 (패럿).
RSNUB	병렬 저항 값 (옴).

스파크 갭 (Spark Gap)

파라미터 이름	설명
CARC	아크 용량 (패럿).
CPAR	갭 용량 (패럿).
ISUS	아크가 멈추는 유지 전류 (암페어).
LPL	리드 인덕턴스 (헨리).
RNEG	발생 후 음의 저항 (옴).
RPL	LPL과 관련된 플럭스 손실 (옴).
VARC	발생 후 스파크 갭에 걸리는 전압 (볼트).
VTHRES	스파크 갭이 발생하는 전압 (볼트).

SPDT 릴레이 (단극 이중투척 릴레이)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태 제어 전류 (암페어 단위).
L_C	코일 인덕턴스 (헨리 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).
R_C	코일 저항 (옴 단위).

SPDT SW (단극 이중 투구 스위치)

파라미터 이름	설명
nodeUP_closed	nodeUP_closed > 0인 경우, 스위치는 상위 위치에서 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치는 하위 위치에서 회로를 닫습니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴 단위).
Ropen	열린 상태의 저항(옴 단위).

SPST 릴레이 NC (단극 단투 노멀리 클로즈드 릴레이)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태 제어 전류 (암페어 단위).
L_C	코일 인덕턴스 (헨리 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).
R_C	코일 저항 (옴 단위).

SPST 릴레이 NO (단극 단투 노멀리 오픈 릴레이)

파라미터 이름	설명
IOFF	OFF 상태 제어 전류 (암페어 단위).
ION	ON 상태 제어 전류 (암페어 단위).
L_C	코일 인덕턴스 (헨리 단위).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴 단위).
RON	ON 상태 저항 (옴 단위).
R_C	코일 저항 (옴 단위).

SPST SW (단극 단투 스위치)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 스위치가 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

SR 플립플롭

파라미터 이름	설명
clk_delay_inst	클록 지연 시간(초 단위).
clk_load_inst	클록 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화되고 출력이 디지털 0으로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).
reset_delay_inst	리셋으로부터의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화되고 출력이 디지털 1로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트로부터의 지연 시간(초 단위).
set_load_inst	세트 부하 값(패럿 단위).
sr_load_inst	세트/리셋 부하(패럿 단위).

SR 래치 (디지털 SR 래치)

파라미터 이름	설명
enable_delay_inst	활성화까지의 지연 시간(초 단위).
enable_load_inst	활성화 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화하고 출력이 디지털 0으로 변하는 사이의 지연 시간(초 단위).
reset_delay_inst	리셋까지의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화하고 출력이 디지털 1로 변하는 사이의 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트까지의 지연 시간(초 단위).
set_load_inst	세트 부하 값(패럿 단위).
sr_delay_inst	s 또는 r 입력 변경까지의 지연 시간(초 단위).
sr_load_inst	S & r 입력 부하(패럿 단위).

스테퍼 모터

파라미터 이름	설명
HARDNESS	정지 강도를 설정하는 무단위 인자.
JLOAD	모터 축의 회전 관성 (kg * m² 단위).
JMOTOR	모터 부하의 회전 관성 (kg * m² 단위).
K	모터 상수 (V * s / rad 단위).
KD	감쇠 토크 (N * m / (rad * s) 단위).
LIMIT	하드 스톱 위치 (라디안 단위).
LS	스테이터 코일 인덕턴스 (헨리 단위).
RS	스테이터 코일 저항 (옴 단위).
STEP_ANGLE	한 풀 스텝의 각도 폭 (도 단위).
TD	디텐트 토크 (N * m 단위).
TLOAD	부하 토크 (N * m 단위).

서프레서 듀얼

7.1 접합 다이오드 섹션을 참조하세요. Ngspice 사용자 매뉴얼을 확인해 주세요.

서프레서 싱글

7.1 접합 다이오드 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

SW NC (스위치 정상 폐쇄)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 스위치가 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

SW NO (스위치 정상 개방)

파라미터 이름	설명
closed	closed > 0이면, 스위치가 회로를 닫습니다. 그렇지 않으면 스위치가 회로를 엽니다.
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).

스위칭 커패시터

파라미터 이름	설명
CVALUE	커패시턴스 값 (패럿).
FSAMPLE	스위칭 주파수 (헤르츠).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴).
RON	ON 상태 저항 (옴).

T 플립플롭 (디지털 T 플립플롭)

파라미터 이름	설명
clk_delay_inst	클록 지연 시간(초 단위).
clk_load_inst	클록 부하 값(패럿 단위).
fall_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화하고 출력이 디지털 0으로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).
reset_delay_inst	리셋으로부터의 지연 시간(초 단위).
reset_load_inst	리셋 부하(패럿 단위).
rise_delay_inst	모델의 내부 상태가 입력에 의해 변화하고 출력이 디지털 1로 변하는 데까지의 지연 시간(초 단위).
set_delay_inst	세트로부터의 지연 시간(초 단위).
set_load_inst	세트 부하 값(패럿 단위).
t_load_inst	토글 부하 값(패럿 단위).

테트로드

파라미터 이름	설명
CCG	입력(그리드 1에서 캐소드까지) 용량(패럿).
CCP	출력(플레이트에서 캐소드까지) 용량(패럿).
CPG1	밀러(그리드 1에서 플레이트까지) 용량(패럿).
EX	지수.
KG1	전체 플레이트 전류에 반비례하는 파라미터.
KG2	스크린 그리드 전류 감도의 역수.
KP	큰 플레이트 전압과 큰 음의 그리드 전압에 대한 플레이트 전류에 영향을 주는 파라미터.
KVB	무릎 파라미터(볼트).
MU	증폭 계수.
RGI	그리드에서 캐소드까지의 저항(옴).

시간 제어 스위치(Time Controlled Switch)

파라미터 이름	설명
Rclosed	닫힌 상태의 저항(옴).
Ropen	열린 상태의 저항(옴).
tSwitch	스위치가 전환하기 시작하는 시간(초).
ttran	상태를 전환하는 데 필요한 시간(초). 이 값은 실제적이어야 하며, 0이어서는 안 됩니다.

TL 손실 없는 (손실 없는 전송선)

파라미터 이름	설명
특성 임피던스	특성 임피던스(옴 단위).
주파수	주파수(헤르츠 단위).
초기 전류 1	전송선의 포트 1에서의 시간 제로 전류(암페어 단위).
초기 전류 2	전송선의 포트 2에서의 시간 제로 전류(암페어 단위).
초기 전압 1	전송선의 포트 1에서의 시간 제로 전압(볼트 단위).
초기 전압 2	전송선의 포트 2에서의 시간 제로 전압(볼트 단위).
정규화된 길이	지정된 주파수에서 선 내의 파장에 대해 정규화된 전송선의 전기적 길이.
전송 지연	전송 지연(초 단위).

이상 변압기 (Ideal Transformer)

파라미터 이름	설명
GAIN	전압 이득.

광대역 변압기 (Wideband Transformer)

파라미터 이름	설명
FH	고주파수 분기점 (헤르츠 단위).
FL	저주파수 분기점 (헤르츠 단위).
N	권선수.
RS	1차 직렬 저항 (옴 단위).

중앙 탭이 있는 이상적인 변압기 (Ideal Transformer With Central Tap)

파라미터 이름	설명
L1	1차 인덕턴스(헨리 단위).
L2	2차 인덕턴스 1(헨리 단위).
L3	2차 인덕턴스 2(헨리 단위).

TRIAC (TRIAC 쓰라이스터)

파라미터 이름	설명
DVDT	꺼짐 상태 전압의 급격한 상승률 (볼트/초 단위).
IGT	게이트 트리거 전류 (암페어 단위).
IH	DC 유지 전류 (암페어 단위).
K1	DVDT에 대한 조정 인자.
K2	TQ에 대한 조정 인자.
TON	켜짐 시간 (초 단위).
TQ	꺼짐 시간 (초 단위).
VDRM	최대 반복 피크 꺼짐 상태 전압 (볼트 단위).
VTMIN	최소 양극 대 음극 켜짐 상태 전압 (볼트 단위).

트라이오드

파라미터 이름	설명
CGC	그리드에서 캐소드까지의 용량(패럿 단위).
CGP	그리드에서 플레이트까지의 용량(패럿 단위).
CPC	플레이트에서 캐소드까지의 용량(패럿 단위).
K	튜브 상수 k.
MU	튜브 상수 mu.

바랙터

7.1 접합 다이오드 섹션을 Ngspice 사용자 매뉴얼에서 참조하세요.

VCCS (전압 제어 전류원)

파라미터 이름	설명
이득	전도도 (mhos 단위).

VCCS_Expr (임의 표현식을 가진 전압 제어 전류 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

VCCS_Poly (SPICE POLY 함수를 사용한 전압 제어 전류원)

파라미터 이름	설명
계수 목록	다항식 계수.
노드 이름	제어 전압 세트.
차수	다항식의 차원 수. 제어 노드 쌍의 수는 차원 수와 같아야 합니다.

VCCS_Table (테이블 기능이 있는 전압 제어 전류 소스)

매개변수 이름	설명
표현식	선형 보간을 사용하여 표에 나열된 값 쌍에 따라 해당하는 y값을 생성하는 데 사용되는 x값을 제공하는 표현식.
테이블	값 쌍.

VCO (전압 제어 발진기)

파라미터 이름	설명
F0	중심 주파수 (헤르츠 단위).
KF	민감도 (Hz/V 단위).
VP	진폭 (볼트 단위).

VCO 스퀘어 (전압 제어 스퀘어파 발진기)

파라미터 이름	설명
F0	중심 주파수 (헤르츠 단위).
KF	민감도 (Hz/V 단위).
VH	피크 출력 고전압 값 (볼트 단위).
VL	피크 출력 저전압 값 (볼트 단위).

VCSW_Hysteresis (전압 제어 스위치 히스테리시스)

파라미터 이름	설명
초기 조건	스위치의 시작점, 열림 (OFF) 또는 닫힘 (ON).
ROFF	OFF 상태 저항 (옴).
RON	ON 상태 저항 (옴).
VH	히스테리시스 전압 (볼트).
VT	임계 전압 (볼트).

VCSW_Smooth_Trans (부드러운 전환을 가진 전압 제어 스위치)

파라미터 이름	설명
ROFF	OFF 상태 저항(옴 단위).
RON	ON 상태 저항(옴 단위).
VOFF	OFF 상태를 위한 제어 전압(볼트 단위).
VON	ON 상태를 위한 제어 전압(볼트 단위).

VCVS (전압 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
이득	전압 이득.

VCVS_Expr (임의의 표현식을 가진 전압 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	소스 파형을 정의하는 표현식.

VCVS_Poly (SPICE POLY 함수를 사용한 전압 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
계수 목록	다항식 계수.
노드 이름	제어 전압 세트.
차수	다항식의 차원 수. 제어 노드 쌍의 수는 차원 수와 같아야 합니다.

VCVS_Table (테이블 기능이 있는 전압 제어 전압 소스)

파라미터 이름	설명
표현식	선형 보간을 사용하여 표에 나열된 값 쌍에 따라 해당하는 y값을 생성하는 데 사용되는 x값을 전달하는 표현식.
테이블	값 쌍.

파라미터 없음

파라미터 없음

파라미터 없음

시뮬레이션 소스 추가 및 구성하기 - 프로젝트 검증 및 시뮬레이션 준비에 관한 내용은 여기를 참조하세요.

제너 다이오드

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기능 제공 여부

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