Simulation Generic Components

.IC (Initial Condition)

Имя параметра	Описание
Начальное напряжение	Амплитуда напряжения узла (в вольтах).

.NS (Node Set)

Имя параметра	Описание
Начальное напряжение	Амплитуда напряжения узла (в вольтах).

3 Phase Delta (3-Phase Delta Voltage Source)

Имя параметра	Описание
FREQ	Частота (в герцах).
V_RMS	Действующее (RMS) напряжение (в вольтах).

3 Phase Wye (3-Phase Wye Voltage Source)

Имя параметра	Описание
FREQ	Частота (в герцах).
V_RMS	Действующее (RMS) напряжение (в вольтах).

3PDT (Triple-Pole, Double-Throw Switch)

Имя параметра	Описание
nodesUP_closed	Если nodesUP_closed > 0, переключатель замыкает цепи в положении Up. Иначе переключатель замыкает цепи в положении Down.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

3PST (Triple-Pole, Single-Throw Switch)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, переключатель замыкает цепи. Иначе переключатель размыкает цепи.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

555 (Timer 555)

Параметры отсутствуют

AC Current Source

Имя параметра	Описание
Amp	Пиковая амплитуда синусоиды (в амперах).
DC	Постоянная составляющая тока генератора сигнала (в амперах).
Freq	Частота выходного синусоидального тока (в герцах).
Phase	Фазовый сдвиг синусоиды в момент времени ноль (в градусах).

AC Motor

Имя параметра	Описание
J	Момент инерции (в кг * м²).
K	Коэффициент связи.
LR	Индуктивность рассеяния ротора (в генри).
LS	Индуктивность рассеяния статора (в генри).
NP	Число полюсов.
RR	Сопротивление ротора (в омах).
RS	Сопротивление статора (в омах).

AC Voltage Source

Имя параметра	Описание
Amp	Пиковая амплитуда синусоиды (в вольтах).
Cpar	Параллельная ёмкость (в фарадах).
DC	Постоянная составляющая напряжения генератора сигнала (в вольтах).
Freq	Частота выходного синусоидального напряжения (в герцах).
Phase	Фазовый сдвиг синусоиды в момент времени ноль (в градусах).
Rser	Последовательное сопротивление (в омах).

AM (Amplitude Modulator Voltage Source)

Имя параметра	Описание
FC	Частота несущей (в герцах).
KA	Чувствительность по амплитуде.
OFFSET	Постоянная составляющая генератора сигнала (в вольтах).
VC	Амплитуда несущей (в вольтах).

AtoD (AtoD Bridge)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
in_high_inst	Минимальное значение аналогового входа, соответствующее логической 1 (в вольтах).
in_low_inst	Максимальное значение аналогового входа, соответствующее логическому 0 (в вольтах).
rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).

Battery (Constant Voltage Source)

Имя параметра	Описание
CPAR	Параллельная ёмкость (в фарадах).
DC Magnitude	Значение постоянного напряжения (в вольтах).
RSER	Последовательное сопротивление (в омах).

BJT NPN 4 GP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 MGP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 VBIC (Bipolar NPN 4 Pins Transistor VBIC Model)

См. разделы 8.2.2 VBIC Model и 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model в Ngspice User’s Manual.

BJT NPN VBIC (Bipolar NPN 3 Pins Transistor VBIC Model)

См. разделы 8.2.2 VBIC Model и 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model в Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_GP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_MGP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 GP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 MGP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 VBIC (Bipolar PNP 4 Pins Transistor VBIC Model)

См. разделы 8.2.2 VBIC Model и 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model в Руководстве пользователя Ngspice.

BJT PNP GP (Bipolar PNP 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Руководстве пользователя Ngspice.

BJT PNP MGP (Bipolar PNP 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Руководстве пользователя Ngspice.

BJT PNP VBIC (Bipolar PNP 3 Pins Transistor VBIC Model)

См. разделы 8.2.2 VBIC Model и 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model в Руководстве пользователя Ngspice.

Bridge Rectifier (Four Diodes Bridge Rectifier)

См. раздел 7.1 Junction Diodes в Руководстве пользователя Ngspice.

Capacitor

Имя параметра	Описание
CPAR	Эквивалентная параллельная ёмкость (в фарадах).
LSER	Эквивалентная последовательная индуктивность (в генри).
RLSHUNT	Шунтирующее сопротивление параллельно LSER (в омах).
RPAR	Эквивалентное параллельное сопротивление (в омах).
RSER	Эквивалентное последовательное сопротивление (в омах).
TEMP	Рабочая температура компонента (в °C).
Value	Значение ёмкости (в фарадах).

Эквивалентная схема конденсатора.

CCCS (Current Controlled Current Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Коэффициент усиления по току.
Voltage Source Name	Имя источника напряжения, через который протекает управляющий ток.

CCCS_4pins (Current Controlled Current Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Коэффициент усиления по току.

CCCS_Expr (Current Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

CCCS_Poly (Current Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Имя параметра	Описание
Coefficients List	Коэффициенты полинома.
Order	Число измерений полинома. Количество управляющих источников должно быть равно числу измерений.
Voltage Source Names	Управляющие источники напряжения. Управляющая переменная — ток через эти источники.

CCCS_Table (Current Controlled Current Source with Table function)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, формирующее x-значение, по которому генерируется соответствующее y-значение согласно табличным парам значений с использованием линейной интерполяции.
Table	Пары значений.

CCSW_Hysteresis (Current Controlled Switch with Hysteresis)

Имя параметра	Описание
IH	Ток гистерезиса (в амперах).
Initial Condition	Начальное состояние ключа: разомкнут (OFF) или замкнут (ON).
IT	Пороговый ток (в амперах).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).

CCSW_Smooth_Trans (Current Controlled Switch with Smooth Transition)

Имя параметра	Описание
IOFF	Управляющий ток для состояния OFF (в амперах).
ION	Управляющий ток для состояния ON (в амперах).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).

CCVS (Current Controlled Voltage Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Транcсопротивление (в омах).
Voltage Source Name	Имя источника напряжения, через который протекает управляющий ток.

CCVS_4pins (Current Controlled Voltage Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Транcсопротивление (в омах).

CCVS_Expr (Current Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

CCVS_Poly (Current Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Имя параметра	Описание
Coefficients List	Коэффициенты полинома.
Order	Число измерений полинома. Количество управляющих источников должно быть равно числу измерений.
Voltage Source Names	Управляющие источники напряжения. Управляющая переменная — ток через эти источники.

CCVS_Table (Current Controlled Voltage Source with Table function)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, формирующее x-значение, по которому генерируется соответствующее y-значение согласно табличным парам значений с использованием линейной интерполяции.
Table	Пары значений.

Comparator (Ideal Comparator)

Имя параметра	Описание
VHIGH	Верхний предел выходного сигнала (в вольтах).
VHYS	Ширина гистерезиса (в вольтах).
VLOW	Нижний предел выходного сигнала (в вольтах).

Coupled Inductors (Pair of Coupled Inductors)

Имя параметра	Описание
Coupling_Factor	Коэффициент связи; должен быть больше 0 и меньше либо равен 1.
L1	Индуктивность 1-го дискретного дросселя (в генри).
L2	Индуктивность 2-го дискретного дросселя (в генри).

Crystal

Имя параметра	Описание
F0	Номинальная выходная частота кварца (в герцах).
Q	Добротность эквивалентной электрической схемы кварца.
R	Сопротивление кварца на частоте последовательного резонанса (в омах).

D Flip-Flop

Имя параметра	Описание
clk_delay_inst	Задержка от clk (в секундах).
clk_load_inst	Нагрузка clk (в фарадах).
data_load_inst	Нагрузка data (в фарадах).
fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
reset_delay_inst	Задержка от reset (в секундах).
reset_load_inst	Нагрузка reset (в фарадах).
rise_delay_inst	Задержка фронта (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от set (в секундах).
set_load	Нагрузка set (в фарадах).

D Latch (Digital D Latch)

Имя параметра	Описание
data_delay_inst	Задержка от data (в секундах).
data_load_inst	Нагрузка data (в фарадах).
enable_delay_inst	Задержка от enable (в секундах).
enable_load_inst	Нагрузка enable (в фарадах).
fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
reset_delay_inst	Задержка от RESET (в секундах).
reset_load_inst	Сброс нагрузки (в фарадах).
rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от сигнала SET (в секундах).
set_load_inst	Значение нагрузки установки (в фарадах).

Darlington BJT NPN (Darlington NPN Bipolar Transistor)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Руководстве пользователя Ngspice.

Darlington BJT PNP (Darlington PNP Bipolar Transistor)

См. разделы 8.2.1 Gummel-Poon Models и 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor в Руководстве пользователя Ngspice.

DC Current Source

Имя параметра	Описание
DC	Амплитуда тока источника (в амперах).

DC Motor

Имя параметра	Описание
BM	Вязкое трение (в Н * м / (рад * с)).
JM	Момент инерции (в кг * м²).
KE	Постоянная противо-ЭДС (в В * с / рад).
KT	Постоянная крутящего момента (в Н * м / А).
LA	Индуктивность якоря (в генри).
RA	Сопротивление якоря (в омах).
TL	Момент нагрузки (в Н * м).

Delay Line

Имя параметра	Описание
DELAY	Временная задержка (в секундах).

DIAC (DIAC Thyristor)

Имя параметра	Описание
RS	Последовательное сопротивление (в омах).
VK	Напряжение пробоя (в вольтах).

Digital 0 (Digital Zero Generator)

Имя параметра	Описание
adc_fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
adc_rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).

Digital 1 (Digital One Generator)

Имя параметра	Описание
adc_fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
adc_rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).

Digital AND (Digital AND Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital Buff (Digital Buffers)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital Clock

Имя параметра	Описание
adc_fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
adc_in_high_inst	Минимальное значение аналогового входа, соответствующее 1 (в вольтах).
adc_in_low_inst	Максимальное значение аналогового входа, соответствующее 0 (в вольтах).
adc_rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).
period	Период (в секундах).
phase	Фаза импульсного сигнала (в градусах).
pwidth	Длительность импульса (в секундах).
tdelay	Время задержки (в секундах).
tfall	Время спада (в секундах).
trise	Время нарастания (в секундах).
vhigh	Импульсное значение (в вольтах).
vlow	Начальное значение (в вольтах).

Digital Inverter

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital NAND (Digital NAND Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital NOR (Digital NOR Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital NOT (Digital NOT Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital OR (Digital OR Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital XNOR (Digital XNOR Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, определяемым её входами, и изменением выхода на цифровую единицу (в секундах).

Digital XOR (Digital XOR Gate)

Имя параметра	Описание
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровой ноль (в секундах).
input_load_inst	Ёмкость одного или всех цифровых входов (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровую единицу (в секундах).

Диод

См. раздел 7.1 Junction Diodes руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

Реле DPDT (двухполюсное, двухпозиционное реле)

Имя параметра	Описание
IOFF	Ток управления для состояния OFF (в амперах).
ION	Ток управления для состояния ON (в амперах).
L_C	Индуктивность катушки (в генри).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).
R_C	Сопротивление катушки (в омах).

Переключатель DPDT SW (двухполюсный, двухпозиционный переключатель)

Имя параметра	Описание
nodesUP_closed	Если nodesUP_closed > 0, переключатель замыкает цепи в верхнем положении. Иначе переключатель замыкает цепи в нижнем положении.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

Кнопка DPST (двухполюсная, однопозиционная кнопка)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, кнопка замыкает цепи. Иначе кнопка размыкает цепи.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

Реле DPST (двухполюсное, однопозиционное реле)

Имя параметра	Описание
IOFF	Ток управления для состояния OFF (в амперах).
ION	Ток управления для состояния ON (в амперах).
L_C	Индуктивность катушки (в генри).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).
R_C	Сопротивление катушки (в омах).

Переключатель DPST SW (двухполюсный, однопозиционный переключатель)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, переключатель замыкает цепи. Иначе переключатель размыкает цепи.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

DtoA (мост DtoA)

Имя параметра	Описание
input_load_inst	Входная нагрузка (в фарадах).
out_high_inst	Аналоговый выход для значения 1 (в вольтах).
out_low_inst	Аналоговый выход для значения 0 (в вольтах).
out_undef_inst	Аналоговый выход для неопределённого значения (в вольтах).
t_fall_inst	Время спада 1->0 (в секундах).
t_rise_inst	Время нарастания 0->1 (в секундах).

Сдвоенный диод

См. раздел 7.1 Junction Diodes руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

FSK (модулятор с частотной манипуляцией)

Имя параметра	Описание
NC0	Количество циклов выходного сигнала, которое произойдёт за длительность одного нулевого бита входного сигнала.
NC1	Количество циклов выходного сигнала, которое произойдёт за длительность одного единичного бита входного сигнала.
TB	Длительность одного бита (в секундах).
WMAG	Амплитуда выходного сигнала (в вольтах).

Функциональный источник тока (Functional Current Source)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

Функциональный источник напряжения

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

Предохранитель

Имя параметра	Описание
CURRENT	Ток предохранителя (в амперах).
RESISTANCE	Внутреннее сопротивление (в омах).

Гиратор

Имя параметра	Описание
G	Гирационная проводимость (в сименсах).

Индуктивность

Имя параметра	Описание
CPAR	Эквивалентная параллельная ёмкость (в фарадах).
DTEMP	Разница рабочей температуры компонента (в °C).
Initial Current	Ток через индуктивность в момент времени t=0 (в амперах).
M	Количество параллельных единиц.
RPAR	Эквивалентное параллельное сопротивление (в омах).
RSER	Эквивалентное последовательное сопротивление (в омах).
TC1	Температурный коэффициент первого порядка.
TC2	Температурный коэффициент второго порядка.
TEMP	Рабочая температура компонента (в °C).
Value	Значение индуктивности (в генри).

Обратите внимание, что параметр T_REL_LOCAL в этом компоненте не используется.

Эквивалентная схема индуктивности.

ISRC (источник тока)

См. Проверка и подготовка проекта к моделированию – добавление и настройка источника моделирования.

JFET N-ch Level1 (полевой транзистор с p-n-переходом, N-канальный, Level1)

См. раздел 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

JFET N-ch Level2 (полевой транзистор с p-n-переходом, N-канальный, Level2)

См. раздел 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

JFET P-ch Level1 (полевой транзистор с p-n-переходом, P-канальный, Level1)

См. раздел 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

JFET P-ch Level2 (полевой транзистор с p-n-переходом, P-канальный, Level2)

См. раздел 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

JK-триггер

Имя параметра	Описание
clk_delay_inst	Задержка от clk (в секундах).
clk_load_inst	Значение нагрузки clk (в фарадах).
fall_delay_inst	Задержка спада (в секундах).
jk_load_inst	Значения нагрузки J,K (в фарадах).
reset_delay_inst	Задержка от reset (в секундах).
reset_load_inst	Нагрузка reset (в фарадах).
rise_delay_inst	Задержка нарастания (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от set (в секундах).
set_load_inst	Значение нагрузки set (в фарадах).

LED (Light-Emitting Diode)

См. раздел 7.1 Junction Diodes руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

Linear Voltage Regulator (Adjustable) (Positive Adjustable Voltage Regulator)

Параметры отсутствуют

Linear Voltage Regulator (Fixed) (Positive Fixed Voltage regulator)

Имя параметра	Описание
Av_feedback	Av*коэффициент обратной связи (Av_feedback = 1665 для Vout = 5V (по умолчанию); Av_feedback = 694 для Vout = 12V; Av_feedback = 550 для Vout = 15V).
R1_Value	Значение R1 (в Омах) (R1_Value = 1020 для Vout = 5V (по умолчанию); R1_Value = 2448 для Vout = 12V; R1_Value = 3060 для Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (N-channel MOS1 MOSFET Shichman and Hodges Model)

См. разделы 11.2.1 MOS Level 1 и 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev2 (N-channel MOSFET MOS2 Grove-Frohman Model)

См. разделы 11.2.2 MOS Level 2 и 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev3 (N-channel MOSFET MOS3 Model)

См. разделы 11.2.3 MOS Level 3 и 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev4 (N-channel MOSFET BSIM1 Model)

См. разделы 11.2.8 BSIM1 model (level 4) и 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev5 (N-channel MOSFET BSIM2 Model)

См. разделы 11.2.9 BSIM2 model (level 5) и 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev6 (N-channel MOSFET MOS6 Model)

См. разделы 11.2.4 MOS Level 6 и 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev8 (N-channel MOSFET BSIM3v0 v3.0 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev8_1 (N-channel MOSFET BSIM3v1 v3.1 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev8_2 (N-channel MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev8_3 (N-channel MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev9 (N-channel MOSFET MOS9 Model)

См. раздел 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev10 (N-channel MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev14 (N-channel MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev14_1 (N-channel MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev14_2 (N-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev14_3 (N-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev55 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_FD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev56 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_DD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev57 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_PD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev68 (N-channel MOSFET HISIM2 v2.8.0 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev73 (N-channel MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch Lev73_1 (N-channel MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET N-ch VDMOS (N-channel Power MOSFET VDMOS Model)

См. раздел 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev1 (P-channel MOS1 MOSFET Shichman and Hodges Model)

См. разделы 11.2.1 MOS Level 1 и 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev2 (P-channel MOSFET MOS2 Grove-Frohman Model)

См. разделы 11.2.2 MOS Level 2 и 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev3 (P-channel MOSFET MOS3 Model)

См. разделы 11.2.3 MOS Level 3 и 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (P-channel MOSFET BSIM1 Model)

См. разделы 11.2.8 BSIM1 model (level 4) и 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (P-channel MOSFET BSIM2 Model)

См. разделы 11.2.9 BSIM2 model (level 5) и 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (P-channel MOSFET MOS6 Model)

См. разделы 11.2.4 MOS Level 6 и 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (P-channel MOSFET BSIM3v0 v3.0 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (P-channel MOSFET BSIM3v1 v3.1 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (P-channel MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (P-channel MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 Model)

См. разделы 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) и 31.6.8 BSIM3 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (P-channel MOSFET MOS9 Model)

См. раздел 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (P-channel MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (P-channel MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (P-channel MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (P-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (P-channel MOSFET BSIM4v8 v4.8.1 Model)

См. разделы 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) и 31.6.9 BSIM4 в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_FD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_DD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_PD Model)

См. раздел 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (P-channel MOSFET HISIM2 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (P-channel MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (P-channel MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 Model)

См. раздел 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima в руководстве пользователя Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (P-channel Power MOSFET VDMOS Model)

См. раздел 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) в руководстве пользователя Ngspice.

Mutual Inductance (Mutual Inductance with List of inductors)

Имя параметра	Описание
Коэффициент связи	Коэффициент магнитной связи.
Список индуктивностей	Имена связанных индуктивностей.

OpAmp (Ideal Operational Amplifier)

Имя параметра	Описание
GAIN	Коэффициент усиления по напряжению.

OpAmp with power terminals (Ideal Operational Amplifier)

Имя параметра	Описание
GAIN	Коэффициент усиления по напряжению.

Pentode

Имя параметра	Описание
CCG	Входная ёмкость (сетка 1 — катод) (в фарадах).
CCP	Выходная ёмкость (анод — катод) (в фарадах).
CPG1	Ёмкость Миллера (сетка 1 — анод) (в фарадах).
EX	Показатель степени.
KG1	Параметр, обратно пропорциональный общему анодному току.
KG2	Обратная чувствительность тока экранной сетки.
KP	Параметр, влияющий на анодные токи при больших анодных напряжениях и больших отрицательных напряжениях на сетке.
KVB	Параметры «колена» (в вольтах).
MU	Коэффициент усиления.
RGI	Сопротивление сетка—катод (в омах).
VCT	Контактный потенциал (в вольтах).

Photodiode

Имя параметра	Описание
BV	Обратное напряжение пробоя (в вольтах).
CJO	Ёмкость p-n-перехода при нулевом смещении (в фарадах).
IS	Ток насыщения (в амперах)
N	Коэффициент эмиссии.
RESP	Чувствительность (в амперах/ватт).
Rint	Внутреннее сопротивление (в омах).

PID Controller

Имя параметра	Описание
KD	Масштабный коэффициент дифференциальной составляющей.
KI	Масштабный коэффициент интегральной составляющей.
KP	Масштабный коэффициент пропорциональной составляющей.

Potentiometer

Имя параметра

Описание

position

Положение движка вдоль резистивной дорожки. Значение может находиться в диапазоне от 0 (полностью влево/против часовой стрелки) до 1 (полностью вправо/по часовой стрелке); 0,5 соответствует середине, при этом сопротивление с обеих сторон одинаковое.

value

Максимальное значение сопротивления (в Омах).

PSK (Phase-Shift Keying Modulator)

Имя параметра	Описание
NC	Количество циклов выходной формы сигнала, которое произойдёт за время одного бита входной формы сигнала.
TB	Длительность одного бита (в секундах).
WMAG	Амплитуда выходной формы сигнала (в Вольтах).

PSPICE AND (PSPICE AND logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE AND3 (PSPICE tristate AND logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE BUF (PSPICE digital buffer)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE BUF3 (PSPICE tristate digital buffer)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE INV (PSPICE digital invertor)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE INV3 (PSPICE tristate digital invertor)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NAND (PSPICE NAND logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NAND3 (PSPICE tristate NAND logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключённого к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет, какой уровень задержки распространения цифрового сигнала должен использовать симулятор для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NOR (PSPICE NOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NOR3 (PSPICE tristate NOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NXOR (PSPICE NXOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE NXOR3 (PSPICE tristate NXOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE OR (PSPICE OR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE OR3 (PSPICE tristate OR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE STIM (PSPICE digital stimulus generator)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

signal

Пары «время-значение». Первое число в каждой паре задаёт время (в секундах) для нового значения (0, 1, X или Z).

PSPICE XOR (PSPICE XOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

PSPICE XOR3 (PSPICE tristate XOR logic gate)

Имя параметра

Описание

IO_LEVEL

Определяет, какой уровень модели интерфейсной подсхемы должен использовать симулятор для цифрового компонента, подключенного к аналоговому компоненту:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = AtoD1 и DtoA1
2 = AtoD2 и DtoA2
3 = AtoD3 и DtoA3
4 = AtoD4 и DtoA4

MNTYMXDLY

Определяет уровень задержки распространения цифрового сигнала, который симулятор должен использовать для цифрового компонента:

0 = значение по умолчанию для всей схемы
1 = минимальная
2 = типовая
3 = максимальная
4 = наихудший случай (min/max)

Push Button NC (Push Button Normally Closed)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, кнопка замыкает цепь. Иначе кнопка размыкает цепь.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в Омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в Омах).

Кнопка NO (кнопка с нормально разомкнутыми контактами)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, кнопка замыкает цепь. Иначе кнопка размыкает цепь.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в Омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в Омах).

PUT (тиристор PUT)

Имя параметра	Описание
DVDT	Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в Вольт/секунду).
IGT	Ток срабатывания по управляющему электроду (в Амперах).
IH	Ток удержания по постоянному току (в Амперах).
K1	Коэффициент подстройки для DVDT.
K2	Коэффициент подстройки для TQ.
TON	Время включения (в секундах).
TQ	Время выключения (в секундах).
VDRM	Максимальное повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии (в Вольтах).
VTMIN	Минимальное напряжение анод-катод в открытом состоянии (в Вольтах).

PWM (генератор ШИМ — широтно-импульсной модуляции)

Имя параметра	Описание
MODFREQ	Частота модулирующего сигнала (в Герцах).
MODHIGH	Верхний уровень напряжения модулирующего сигнала (в Вольтах).
MODLOW	Нижний уровень напряжения модулирующего сигнала (в Вольтах).
PWMHIGH	Верхний уровень напряжения выхода ШИМ (в Вольтах).
PWMLOW	Нижний уровень напряжения выхода ШИМ (в Вольтах).

PWM Generator (генератор ШИМ — широтно-импульсной модуляции)

Имя параметра	Описание
MODFREQ	Частота модулирующего сигнала (в Герцах).
MODHIGH	Верхний уровень напряжения модулирующего сигнала (в Вольтах).
MODLOW	Нижний уровень напряжения модулирующего сигнала (в Вольтах).
PWMHIGH	Верхний уровень напряжения выхода ШИМ (в Вольтах).
PWMLOW	Нижний уровень напряжения выхода ШИМ (в Вольтах).

QAM (генератор квадратурной амплитудной модуляции)

Имя параметра	Описание
F0	Несущая частота (в Герцах).

Резистор

Имя параметра	Описание
DTEMP	Разница рабочей температуры компонента (в °C).
TC	Список (через запятую) коэффициентов полинома, задающих температурную зависимость сопротивления. Например, когда заданы четыре коэффициента полинома (`a, b, c, d`), сопротивление `R` будет: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, где `R0` — сопротивление при номинальной температуре, а `dt` — разница между температурой резистора и номинальной температурой. Обратите внимание: если параметры `TC1` и `TC2` заданы, они переопределяют параметр `TC`. Чтобы использовать параметр `TC`, очистите значения `TC1` и `TC2`.
TC1	Температурный коэффициент первого порядка.
TC2	Температурный коэффициент второго порядка.
TEMP	Рабочая температура компонента (в °C).
Value	Значение сопротивления (в Омах).

Обратите внимание: параметр T_REL_LOCAL в этом компоненте не используется.

Резонатор

Имя параметра	Описание
F0	Центральная частота (в Герцах).
Lin	Значение индуктивности (в Генри).
Q0	Добротность.

SCR (тиристор SCR)

Имя параметра	Описание
DVDT	Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в Вольт/секунду).
IGT	Ток срабатывания по управляющему электроду (в Амперах).
IH	Ток удержания по постоянному току (в Амперах).
K1	Коэффициент подстройки для DVDT.
K2	Коэффициент подстройки для TQ.
TON	Время включения (в секундах).
TQ	Время выключения (в секундах).
VDRM	Максимальное повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии (в Вольтах).
VTMIN	Минимальное напряжение анод-катод в открытом состоянии (в Вольтах).

Диод Шоттки

См. раздел 7.1 Junction Diodes в Руководстве пользователя Ngspice.

Снаббер

Имя параметра	Описание
CSNUB	Значение параллельной ёмкости (в Фарадах).
RSNUB	Значение параллельного сопротивления (в Омах).

Sparkgap (искровой промежуток)

Имя параметра	Описание
CARC	Ёмкость дуги (в Фарадах).
CPAR	Ёмкость промежутка (в Фарадах).
ISUS	Ток поддержания, ниже которого дуга гаснет (в Амперах).
LPL	Индуктивность выводов (в Генри).
RNEG	Отрицательное сопротивление после пробоя (в Омах).
RPL	Потери, связанные с LPL (в Омах).
VARC	Напряжение на искровом промежутке после пробоя (в Вольтах).
VTHRES	Напряжение пробоя искрового промежутка (в Вольтах).

Реле SPDT (однополюсное, на два направления)

Имя параметра	Описание
IOFF	Ток управления для состояния OFF (в Амперах).
ION	Ток управления для состояния ON (в Амперах).
L_C	Индуктивность катушки (в Генри).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в Омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в Омах).
R_C	Сопротивление катушки (в Омах).

Переключатель SPDT (однополюсный, на два направления)

Имя параметра	Описание
nodeUP_closed	Если nodeUP_closed > 0, переключатель замыкает цепь в положении Up. Иначе переключатель замыкает цепь в положении Down.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в Омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в Омах).

Реле SPST NC (однополюсное, однопозиционное, нормально замкнутое)

Имя параметра	Описание
IOFF	Ток управления для состояния OFF (в Амперах).
ION	Ток управления для состояния ON (в Амперах).
L_C	Индуктивность катушки (в Генри).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в Омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в Омах).
R_C	Сопротивление катушки (в Омах).

Реле SPST NO (однополюсное, однопозиционное, нормально разомкнутое)

Имя параметра	Описание
IOFF	Ток управления для состояния OFF (в Амперах).
ION	Ток управления для состояния ON (в Амперах).
L_C	Индуктивность катушки (в Генри).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в Омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в Омах).
R_C	Сопротивление катушки (в Омах).

Выключатель SPST (однополюсный, однопозиционный)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, выключатель замыкает цепь. Иначе выключатель размыкает цепь.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в Омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в Омах).

SR Flip-Flop

Имя параметра	Описание
clk_delay_inst	Задержка от clk (в секундах).
clk_load_inst	Значение нагрузки clk (в фарадах).
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровой ноль (в секундах).
reset_delay_inst	Задержка от reset (в секундах).
reset_load_inst	Нагрузка reset (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровую единицу (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от set (в секундах).
set_load_inst	Значение нагрузки set (в фарадах).
sr_load_inst	Нагрузки set/reset (в фарадах).

SR Latch (Digital SR Latch)

Имя параметра	Описание
enable_delay_inst	Задержка от enable (в секундах).
enable_load_inst	Значение нагрузки enable (в фарадах).
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровой ноль (в секундах).
reset_delay_inst	Задержка от RESET (в секундах).
reset_load_inst	Нагрузка reset (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровую единицу (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от SET (в секундах).
set_load_inst	Значение нагрузки set (в фарадах).
sr_delay_inst	Задержка при изменении входа s или r (в секундах).
sr_load_inst	Нагрузки входов S и r (в фарадах).

Stepper Motor

Имя параметра	Описание
HARDNESS	Безразмерный коэффициент, задающий жёсткость упора.
JLOAD	Момент инерции вращения вала двигателя (в кг * м²).
JMOTOR	Момент инерции вращения нагрузки двигателя (в кг * м²).
K	Постоянная двигателя (в В * с / рад).
KD	Демпфирующий момент (в Н * м / (рад * с)).
LIMIT	Положение жёсткого упора (в радианах).
LS	Индуктивность обмотки статора (в генри).
RS	Сопротивление обмотки статора (в омах).
STEP_ANGLE	Угловая величина одного полного шага (в градусах).
TD	Момент фиксации (detent) (в Н * м).
TLOAD	Момент нагрузки (в Н * м).

Suppressor Dual

См. раздел 7.1 Junction Diodes руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

Suppressor Single

См. раздел 7.1 Junction Diodes руководства пользователя Ngspice User’s Manual.

SW NC (Switch Normally Closed)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, переключатель замыкает цепь. Иначе переключатель размыкает цепь.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

SW NO (Switch Normally Opened)

Имя параметра	Описание
closed	Если closed > 0, переключатель замыкает цепь. Иначе переключатель размыкает цепь.
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).

Switching Capacitor

Имя параметра	Описание
CVALUE	Значение ёмкости (в фарадах).
FSAMPLE	Частота переключения (в герцах).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).

T Flip-Flop (Digital T Flip-Flop)

Имя параметра	Описание
clk_delay_inst	Задержка от clk (в секундах).
clk_load_inst	Значение нагрузки clk (в фарадах).
fall_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровой ноль (в секундах).
reset_delay_inst	Задержка от reset (в секундах).
reset_load_inst	Нагрузка reset (в фарадах).
rise_delay_inst	Время задержки между изменением внутреннего состояния модели, вызванным её входами, и изменением выхода в цифровую единицу (в секундах).
set_delay_inst	Задержка от set (в секундах).
set_load_inst	Значение нагрузки set (в фарадах).
t_load_inst	Значение нагрузки toggle (в фарадах).

Tetrode

Имя параметра	Описание
CCG	Входная ёмкость (сетка 1 — катод) (в фарадах).
CCP	Выходная ёмкость (анод — катод) (в фарадах).
CPG1	Ёмкость Миллера (сетка 1 — анод) (в фарадах).
EX	Показатель степени.
KG1	Параметр, обратно пропорциональный общему анодному току.
KG2	Обратная чувствительность тока экранной сетки.
KP	Параметр, влияющий на анодные токи при больших анодных напряжениях и больших отрицательных напряжениях на сетке.
KVB	Параметры «колена» (в вольтах).
MU	Коэффициент усиления.
RGI	Сопротивление сетка—катод (в омах).

Time Controlled SW (Time Controlled Switch)

Имя параметра	Описание
Rclosed	Сопротивление в замкнутом состоянии (в омах).
Ropen	Сопротивление в разомкнутом состоянии (в омах).
tSwitch	Время, в которое переключатель начинает переключение (в секундах).
ttran	Время, необходимое для переключения состояния (в секундах). Это значение должно быть реалистичным, не 0.

TL Lossless (Lossless Transmission Line)

Имя параметра	Описание
Char. Impedance	Характеристическое сопротивление (в омах).
Frequency	Частота (в герцах).
Initial Current 1	Ток в момент времени t=0 на порту 1 линии передачи (в амперах).
Initial Current 2	Ток в момент времени t=0 на порту 2 линии передачи (в амперах).
Initial Voltage 1	Напряжение в момент времени t=0 на порту 1 линии передачи (в вольтах).
Initial Voltage 2	Напряжение в момент времени t=0 на порту 2 линии передачи (в вольтах).
Normalised Length	Нормированная электрическая длина линии передачи относительно длины волны в линии на заданной частоте.
Transmission Delay	Задержка распространения (в секундах).

Transformer Ideal (Ideal Transformer)

Имя параметра	Описание
GAIN	Коэффициент усиления по напряжению.

Transformer Wideband (Wideband Transformer)

Имя параметра	Описание
FH	Частота верхней точки излома (в герцах).
FL	Частота нижней точки излома (в герцах).
N	Число витков.
RS	Последовательное сопротивление первичной обмотки (в омах).

Transformer With Central Tap Ideal (Ideal Transformer With Central Tap)

Имя параметра	Описание
L1	Индуктивность первичной обмотки (в генри).
L2	Вторичная индуктивность 1 (в генри).
L3	Вторичная индуктивность 2 (в генри).

TRIAC (TRIAC Thyristor)

Имя параметра	Описание
DVDT	Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в вольтах/секунду).
IGT	Ток срабатывания по управляющему электроду (в амперах).
IH	Ток удержания по постоянному току (в амперах).
K1	Коэффициент подстройки для DVDT.
K2	Коэффициент подстройки для TQ.
TON	Время включения (в секундах).
TQ	Время выключения (в секундах).
VDRM	Максимальное повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии (в вольтах).
VTMIN	Минимальное напряжение анод–катод в открытом состоянии (в вольтах).

Triode

Имя параметра	Описание
CGC	Ёмкость сетка–катод (в фарадах).
CGP	Ёмкость сетка–анод (в фарадах).
CPC	Ёмкость анод–катод (в фарадах).
K	Постоянная лампы k.
MU	Постоянная лампы mu.

Varactor

См. раздел 7.1 Junction Diodes в Руководстве пользователя Ngspice.

VCCS (Voltage Controlled Current Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Крутизна (в сименсах).

VCCS_Expr (Voltage Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

VCCS_Poly (Voltage Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Имя параметра	Описание
Coefficients List	Коэффициенты полинома.
Node Names	Набор управляющих напряжений.
Order	Число измерений полинома. Количество пар управляющих узлов должно быть равно числу измерений.

VCCS_Table (Voltage Controlled Current Source with Table function)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, выдающее значение x, по которому формируется соответствующее значение y согласно табличным парам значений с использованием линейной интерполяции.
Table	Пары значений.

VCO (Voltage Controlled Oscillator)

Имя параметра	Описание
F0	Центральная частота (в герцах).
KF	Чувствительность (в Гц/В).
VP	Амплитуда (в вольтах).

VCO Square (Voltage Controlled Square Wave Oscillator)

Имя параметра	Описание
F0	Центральная частота (в герцах).
KF	Чувствительность (в Гц/В).
VH	Пиковое значение высокого уровня на выходе (в вольтах).
VL	Пиковое значение низкого уровня на выходе (в вольтах).

VCSW_Hysteresis (Voltage Controlled Switch with Hysteresis)

Имя параметра	Описание
Initial Condition	Начальное состояние ключа: разомкнут (OFF) или замкнут (ON).
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).
VH	Напряжение гистерезиса (в вольтах).
VT	Пороговое напряжение (в вольтах).

VCSW_Smooth_Trans (Voltage Controlled Switch with Smooth Transition)

Имя параметра	Описание
ROFF	Сопротивление в состоянии OFF (в омах).
RON	Сопротивление в состоянии ON (в омах).
VOFF	Управляющее напряжение для состояния OFF (в вольтах).
VON	Управляющее напряжение для состояния ON (в вольтах).

VCVS (Voltage Controlled Voltage Source)

Имя параметра	Описание
Gain	Коэффициент усиления по напряжению.

VCVS_Expr (Voltage Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, задающее форму сигнала источника.

VCVS_Poly (Voltage Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Имя параметра	Описание
Coefficients List	Коэффициенты полинома.
Node Names	Набор управляющих напряжений.
Order	Число измерений полинома. Количество пар управляющих узлов должно быть равно числу измерений.

VCVS_Table (Voltage Controlled Voltage Source with Table function)

Имя параметра	Описание
Expression	Выражение, выдающее значение x, по которому формируется соответствующее значение y согласно табличным парам значений с использованием линейной интерполяции.
Table	Пары значений.