Simulation Generic Components

Created: 二月 21, 2024 | Updated: 八月 28, 2024

仿真通用组件库可从组件面板获取，提供了从RLC无源元件到离散半导体再到不同格式的数字组件等各种准备就绪的仿真组件。

在首选项对话框的仿真 - 常规页面中使用启用仿真通用组件库选项，以控制库在组件面板内的可见性。
参考验证 & 准备项目以进行仿真页面，了解在Altium Designer中放置准备就绪的仿真组件的可用选项。

当从“仿真通用组件”库中放置一个组件到您的原理图上时，选择它以通过其仿真通用组件模式下的属性面板访问其属性。该面板包括参数区域，您可以在此定义组件参数的值。

选择一个放置的仿真通用组件，使用属性面板定义其参数。

请使用下面的部分来查找来自Simulation Generic Components库的组件参数信息。

参数名称	描述
初始电压	节点电压的幅度（以伏特为单位）。

.NS (节点集)

参数名称	描述
初始电压	节点电压的幅度（以伏特为单位）。

三相三角形（三相三角形电压源）

参数名称	描述
FREQ	频率（赫兹）。
V_RMS	均方根（RMS）电压（伏特）。

[折叠 collapsed class="" title="三相星形（三相星形电压源）" id="3_phase_wye"]

参数名称	描述
FREQ	频率（赫兹）。
V_RMS	均方根（RMS）电压（伏特）。

3PDT（三极双投开关）

参数名称	描述
nodesUP_closed	如果 nodesUP_closed > 0，则开关在上位置闭合电路。否则，开关在下位置闭合电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开放状态电阻（单位：欧姆）。

3PST（三极单投开关）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则开关闭合电路。否则，开关打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开放状态电阻（单位：欧姆）。

555（555定时器）

没有参数

交流电流源

参数名称	描述
Amp	正弦波的峰值幅度（单位为安培）。
DC	信号发生器的直流偏移电流（单位为安培）。
Freq	正弦输出电流的频率（单位为赫兹）。
Phase	时间零点处正弦波的相位偏移（单位为度）。

交流电机

参数名称	描述
J	转动惯量（单位为kg * m²）。
K	耦合因子。
LR	转子漏感（单位为亨利）。
LS	定子漏感（单位为亨利）。
NP	极数。
RR	转子电阻（单位为欧姆）。
RS	定子电阻（单位为欧姆）。

交流电压源

参数名称	描述
Amp	正弦波的峰值幅度（单位为伏特）。
Cpar	并联电容（单位为法拉）。
DC	信号发生器的直流偏置电压（单位为伏特）。
Freq	正弦输出电压的频率（单位为赫兹）。
Phase	零时刻的正弦波相位偏移（单位为度）。
Rser	串联电阻（单位为欧姆）。

AM (振幅调制电压源)

参数名称	描述
FC	载波频率（赫兹）。
KA	振幅灵敏度。
OFFSET	信号发生器的直流偏移（伏特）。
VC	载波幅度（伏特）。

AtoD (模拟到数字转换桥)

参数名称	描述
fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
in_high_inst	最小1值模拟输入（伏特）。
in_low_inst	最大0值模拟输入（伏特）。
rise_delay_inst	上升延迟（秒）。

电池（恒压源）

参数名称	描述
CPAR	并联电容（单位：法拉）。
DC Magnitude	直流电压值（单位：伏特）。
RSER	串联电阻（单位：欧姆）。

[折叠 collapsed class="" title="BJT NPN 4 GP（双极型NPN 4脚晶体管 Gummel-Poon模型）" id="bjt_npn_4_gp"]

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

[折叠 collapsed class="" title="BJT NPN 4 MGP（双极型NPN 4脚晶体管古梅尔-普恩模型的改进版本）" id="bjt_npn_4_mgp"]

请参阅Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT NPN 4 VBIC（双极型NPN 4脚晶体管VBIC模型）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.2 VBIC模型和31.5.2 VBIC - 垂直双极互联公司模型章节。

[折叠 class="" title="BJT NPN VBIC（双极NPN 3脚晶体管VBIC模型）" id="bjt_npn_vbic"]

请参考Ngspice用户手册中的8.2.2 VBIC模型和31.5.2 VBIC - 垂直双极公司间模型章节。

[折叠 class="" title="BJT NPN_GP（双极型NPN 3脚晶体管 Gummel-Poon模型）" id="bjt_npn_gp"]

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

[折叠 class="" title="BJT NPN_MGP（双极型NPN 3脚晶体管的Gummel-Poon模型修改版）" id="bjt_npn_mgp"]

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT PNP 4 GP（双极PNP型4脚晶体管 Gummel-Poon模型）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT PNP 4 MGP（双极PNP 4脚晶体管古梅尔-普恩模型的改进版本）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT PNP 4 VBIC (四脚PNP型双极晶体管VBIC模型)

请参考Ngspice用户手册中的8.2.2 VBIC模型和31.5.2 VBIC - 垂直双极互联公司模型章节。

[折叠 collapsed class="" title="BJT PNP GP（双极PNP 3脚晶体管 Gummel-Poon模型）" id="bjt_pnp_gp"]

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT PNP MGP（双极PNP 3脚晶体管古梅尔-普恩模型的改进版本）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

BJT PNP VBIC (双极PNP型3脚晶体管VBIC模型)

请参考Ngspice用户手册中的8.2.2 VBIC模型和31.5.2 VBIC - 垂直双极互公司模型章节。

桥式整流器（四二极管桥式整流器）

请参阅Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

电容器

参数名称	描述
CPAR	等效并联电容（单位为法拉）。
LSER	等效串联电感（单位为亨利）。
RLSHUNT	LSER上的并联电阻（单位为欧姆）。
RPAR	等效并联电阻（单位为欧姆）。
RSER	等效串联电阻（单位为欧姆）。
TEMP	元件工作温度（单位为°C）。
Value	电容的值（单位为法拉）。

电容器的等效电路。

CCCS（电流控制电流源）

参数名称	描述
增益	电流增益。
电压源名称	控制电流流过的电压源的名称。

CCCS_4pins（电流控制电流源）

参数名称	描述
增益	电流增益。

CCCS_Expr（具有任意表达式的电流控制电流源）

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

CCCS_Poly（带SPICE POLY函数的电流控制电流源）

参数名称	描述
系数列表	多项式系数。
阶数	多项式的维数。控制源的数量必须等于维数的数量。
电压源名称	控制电压源。控制变量是这些源的电流。

CCCS_Table（表格功能的电流控制电流源）

参数名称	描述
表达式	提供x值的表达式，该x值用于根据表格中的值对生成相应的y值，使用线性插值法。
表格	值对。

CCSW_Hysteresis（带迟滞的电流控制开关）

参数名称	描述
IH	迟滞电流（安培）。
初始条件	开关的起始状态，开（OFF）或闭（ON）。
IT	阈值电流（安培）。
ROFF	断开状态电阻（欧姆）。
RON	闭合状态电阻（欧姆）。

CCSW_Smooth_Trans（具有平滑过渡的电流控制开关）

参数名称	描述
IOFF	关闭状态的控制电流（单位为安培）。
ION	开启状态的控制电流（单位为安培）。
ROFF	关闭状态的电阻（单位为欧姆）。
RON	开启状态的电阻（单位为欧姆）。

CCVS（电流控制电压源）

参数名称	描述
增益	跨阻抗（单位为欧姆）。
电压源名称	控制电流流过的电压源的名称。

CCVS_4pins（电流控制电压源）

参数名称	描述
增益	跨阻抗（单位为欧姆）。

CCVS_Expr（具有任意表达式的电流控制电压源）

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

CCVS_Poly（带SPICE POLY函数的电流控制电压源）

参数名称	描述
系数列表	多项式系数。
阶数	多项式的维数。控制源的数量必须等于维数的数量。
电压源名称	控制电压源。控制变量是这些源的电流。

[折叠 collapsed class="" title="CCVS_Table（带表格功能的电流控制电压源）" id="ccvs_table"]

参数名称	描述
表达式	提供x值的表达式，该x值用于根据表格中的值对生成相应的y值，使用线性插值法。
表格	值对。

比较器（理想比较器）

参数名称	描述
VHIGH	输出上限（伏特）。
VHYS	迟滞宽度（伏特）。
VLOW	输出下限（伏特）。

耦合电感器（一对耦合电感器）

参数名称	描述
Coupling_Factor	耦合系数，必须大于0且小于或等于1。
L1	第一个离散电感的电感量（单位为亨利）。
L2	第二个离散电感的电感量（单位为亨利）。

晶体

参数名称	描述
F0	晶体的名义输出频率（单位为赫兹）。
Q	晶体等效电路模型的品质因数。
R	晶体在串联谐振频率下表现出的电阻（单位为欧姆）。

D触发器

参数名称	描述
clk_delay_inst	时钟延迟（秒）。
clk_load_inst	时钟负载值（法拉）。
data_load_inst	数据负载值（法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
reset_delay_inst	复位延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（秒）。
set_delay_inst	设置延迟（秒）。
set_load	设置负载值（法拉）。

D锁存器（数字D锁存器）

参数名称	描述
data_delay_inst	数据延迟（秒）。
data_load_inst	数据负载（法拉）。
enable_delay_inst	使能延迟（秒）。
enable_load_inst	使能负载值（法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
reset_delay_inst	复位延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（秒）。
set_delay_inst	设置延迟（秒）。
set_load_inst	设置负载值（法拉）。

达林顿BJT NPN（达林顿NPN双极晶体管）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

达林顿BJT PNP（达林顿PNP双极晶体管）

请参考Ngspice用户手册中的8.2.1 Gummel-Poon模型和31.5.1 BJT - 双极结晶体管章节。

直流电流源

参数名称	描述
DC	源电流的幅度（单位为安培）。

直流电机

参数名称	描述
BM	粘滞摩擦（单位：N * m / (rad * s)）。
JM	转动惯量（单位：kg * m²）。
KE	反电动势常数（单位：V * s / rad）。
KT	转矩常数（单位：N * m / A）。
LA	电枢电感（单位：亨利）。
RA	电枢电阻（单位：欧姆）。
TL	负载转矩（单位：N * m）。

延迟线

参数名称	描述
DELAY	时间延迟（以秒为单位）。

DIAC（DIAC晶闸管）

参数名称	描述
RS	串联电阻（单位为欧姆）。
VK	击穿电压（单位为伏特）。

数字0（数字零发生器）

参数名称	描述
adc_fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（秒）。

数字1（数字一号发生器）

参数名称	描述
adc_fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（秒）。

数字与门 (Digital AND Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字缓冲器 (Digital Buffers)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字时钟

参数名称	描述
adc_fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
adc_in_high_inst	最小1值模拟输入（伏特）。
adc_in_low_inst	最大0值模拟输入（伏特）。
adc_rise_delay_inst	上升延迟（秒）。
period	周期（秒）。
phase	脉冲信号的相位（度）。
pwidth	脉冲宽度（秒）。
tdelay	延迟时间（秒）。
tfall	下降时间（秒）。
trise	上升时间（秒）。
vhigh	脉冲值（伏特）。
vlow	初始值（伏特）。

数字反相器

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（以秒为单位）。

数字非门 (Digital NAND Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字NOR门 (Digital NOR Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字非门 (Digital NOT Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字或门 (Digital OR Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字零的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字一的延迟时间（以秒为单位）。

数字XNOR（数字XNOR门）

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字零之间的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由于输入变化而变化到输出变为数字一之间的延迟时间（以秒为单位）。

数字异或门 (Digital XOR Gate)

参数名称	描述
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（以秒为单位）。
input_load_inst	一个或所有数字输入的电容（以法拉为单位）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（以秒为单位）。

二极管

请参阅Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

DPDT 继电器（双刀双掷继电器）

参数名称	描述
IOFF	关闭状态的控制电流（安培）。
ION	开启状态的控制电流（安培）。
L_C	线圈电感（亨利）。
ROFF	关闭状态电阻（欧姆）。
RON	开启状态电阻（欧姆）。
R_C	线圈电阻（欧姆）。

DPDT开关（双刀双掷开关）

参数名称	描述
nodesUP_closed	如果 nodesUP_closed > 0，则开关在上位置闭合电路。否则，开关在下位置闭合电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开放状态电阻（单位：欧姆）。

DPST按钮（双极单掷按钮）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则按钮闭合电路。否则按钮打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位为欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位为欧姆）。

DPST 继电器（双刀单掷继电器）

参数名称	描述
IOFF	关闭状态下的控制电流（安培）。
ION	开启状态下的控制电流（安培）。
L_C	线圈电感（亨利）。
ROFF	关闭状态下的电阻（欧姆）。
RON	开启状态下的电阻（欧姆）。
R_C	线圈电阻（欧姆）。

DPST 开关（双极单掷开关）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则开关闭合电路。否则，开关打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位为欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位为欧姆）。

DtoA (DtoA 桥)

参数名称	描述
input_load_inst	输入负载（以法拉为单位）。
out_high_inst	1值模拟输出（以伏特为单位）。
out_low_inst	0值模拟输出（以伏特为单位）。
out_undef_inst	未定义值模拟输出（以伏特为单位）。
t_fall_inst	下降时间 1->0（以秒为单位）。
t_rise_inst	上升时间 0->1（以秒为单位）。

[折叠 collapsed class="" title="双二极管" id="dual_diode"]

请参考Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

FSK（频移键控调制器）

参数名称	描述
NC0	输入波形为单个零比特时，输出波形将发生的周期数。
NC1	输入波形为单个一比特时，输出波形将发生的周期数。
TB	单个比特的持续时间（以秒为单位）。
WMAG	输出波形的幅度（以伏特为单位）。

功能电流源

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

功能电压源

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

保险丝

参数名称	描述
电流	保险丝电流（单位：安培）。
电阻	内部电阻（单位：欧姆）。

回旋器

参数名称	描述
G	回旋电导（单位为摩）。

电感器

参数名称	描述
CPAR	等效并联电容（以法拉为单位）。
DTEMP	元件工作温度差（以°C为单位）。
初始电流	通过电感器的零时刻电流（以安培为单位）。
M	并联单元数。
RPAR	等效并联电阻（以欧姆为单位）。
RSER	等效串联电阻（以欧姆为单位）。
TC1	一阶温度系数。
TC2	二阶温度系数。
TEMP	元件工作温度（以°C为单位）。
值	电感值（以亨利为单位）。

请注意，此元件中不使用T_REL_LOCAL参数。

电感器的等效电路。

ISRC (电流源)

请参考验证和准备项目以进行仿真 - 添加和配置仿真源。

[折叠 class="" title="JFET N沟道第1级（N沟道结型栅场效应晶体管第1级）" id="jfet_n_ch_level1"]

请参考Ngspice用户手册中的9.2.2 JFET第1级模型与Parker Skellern修改部分。

JFET N沟道第二级 (N沟道结型栅场效应晶体管第二级)

请参考Ngspice用户手册中的9.2.3 JFET第二级Parker Skellern模型部分。

[折叠 class="" title="JFET P型第一级（P沟道结型场效应晶体管第一级）" id="jfet_p_ch_level1"]

请参考Ngspice用户手册中的9.2.2 JFET第一级模型与Parker Skellern修改部分。

[折叠 class="" title="JFET P型第二级（P沟道结型场效应晶体管第二级）" id="jfet_p_ch_level2"]

请参考Ngspice用户手册中的9.2.3 JFET第二级Parker Skellern模型部分。

JK触发器

参数名称	描述
clk_delay_inst	时钟延迟（秒）。
clk_load_inst	时钟负载值（法拉）。
fall_delay_inst	下降延迟（秒）。
jk_load_inst	J,K 负载值（法拉）。
reset_delay_inst	复位延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	上升延迟（秒）。
set_delay_inst	设置延迟（秒）。
set_load_inst	设置负载值（法拉）。

LED（发光二极管）

请参考Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

线性电压调节器（可调）（正向可调电压调节器）

没有参数

线性电压调节器（固定）（正固定电压调节器）

参数名称	描述
Av_feedback	Av*反馈因子（对于Vout = 5V（默认）时，Av_feedback = 1665；对于Vout = 12V时，Av_feedback = 694；对于Vout = 15V时，Av_feedback = 550）。
R1_Value	R1的值（欧姆）（对于Vout = 5V（默认）时，R1_Value = 1020；对于Vout = 12V时，R1_Value = 2448；对于Vout = 15V时，R1_Value = 3060）。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET N沟道 Lev1 (N沟道 MOS1 MOSFET Shichman和Hodges模型)" id="mosfet_n_ch_lev1"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.1 MOS Level 1和31.6.1 MOS1 - 带有Meyer电容模型的Level 1 MOSFET模型章节。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 Lev2 (N沟道 MOSFET MOS2 Grove-Frohman 模型)" id="mosfet_n_ch_lev2"]

请参考 Ngspice 用户手册中的11.2.2 MOS 第2级和31.6.2 MOS2 - 带有Meyer电容模型的第2级MOSFET模型章节。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 Lev3 (N沟道 MOSFET MOS3模型)" id="mosfet_n_ch_lev3"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.3 MOS Level 3和31.6.3 MOS3 - 带有Meyer电容模型的Level 3 MOSFET模型章节。

MOSFET N沟道 Lev4 (N沟道 MOSFET BSIM1模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.8 BSIM1模型（第4级）和31.6.6 BSIM1 - 伯克利短沟道IGFET模型章节。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET N沟道 Lev5 (N沟道 MOSFET BSIM2模型)" id="mosfet_n_ch_lev5"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.9 BSIM2模型（第5级）和31.6.7 BSIM2 - 伯克利短沟道IGFET模型章节。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET N沟道 Lev6 (N沟道 MOSFET MOS6模型)" id="mosfet_n_ch_lev6"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.4 MOS Level 6和31.6.4 MOS6 - 带有Meyer电容模型的6级MOSFET模型章节。

MOSFET N沟道 Lev8 (N沟道MOSFET BSIM3v0 v3.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET N沟道 Lev8_1 (N沟道 MOSFET BSIM3v1 v3.1 模型)" id="mosfet_n_ch_lev8_1"]

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET N沟道 Lev8_2 (N沟道MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET N沟道 Lev8_3 (N沟道 MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET N沟道 Lev9 (N沟道 MOSFET MOS9模型)

请参考Ngspice用户手册的31.6.5 MOS9 - 修改的3级MOSFET模型部分。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 Lev10 (N沟道 MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 模型)" id="mosfet_n_ch_lev10"]

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.14 BSIMSOI 模型（等级 10, 58, 55, 56, 57）部分。

MOSFET N沟道 Lev14 (N沟道 MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级 14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET N沟道 Lev14_1 (N沟道 MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级 14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET N沟道 Lev14_2 (N沟道MOSFET BSIM4v7 v4.7.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET N沟道 Lev14_3 (N沟道 MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 模型)

id="mosfet_n_ch_lev14_3"]

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 Lev55 (N沟道 MOSFET BSIM3SOI_FD 模型)" id="mosfet_n_ch_lev55"]

请参考 Ngspice 用户手册中的11.2.14 BSIMSOI 模型（等级 10, 58, 55, 56, 57）部分。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET N沟道 Lev56 (N沟道 MOSFET BSIM3SOI_DD 模型)" id="mosfet_n_ch_lev56"]

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.14 BSIMSOI 模型（等级 10, 58, 55, 56, 57）部分。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 Lev57 (N沟道 MOSFET BSIM3SOI_PD 模型)" id="mosfet_n_ch_lev57"]

请参考 Ngspice 用户手册中的11.2.14 BSIMSOI 模型（等级 10, 58, 55, 56, 57）部分。

MOSFET N沟道 Lev68 (N沟道 MOSFET HISIM2 v2.8.0 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

MOSFET N沟道 Lev73 (N沟道 MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

MOSFET N沟道 Lev73_1 (N沟道 MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 模型)

请参考Ngspice 用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

[折叠 class="" title="MOSFET N沟道 VDMOS（N沟道功率MOSFET VDMOS模型）" id="mosfet_n_ch_vdmos"]

请参考Ngspice用户手册的11.3功率MOSFET模型（VDMOS）部分。

[折叠 class="" title="MOSFET P-ch Lev1 (P型通道 MOS1 MOSFET Shichman和Hodges模型)" id="mosfet_p_ch_lev1"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.1 MOS Level 1和31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET模型与Meyer电容模型章节。

[折叠 class="" title="MOSFET P-ch Lev2 (P沟道MOSFET MOS2 Grove-Frohman模型)" id="mosfet_p_ch_lev2"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.2 MOS Level 2和31.6.2 MOS2 - 带Meyer电容模型的Level 2 MOSFET模型章节。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET P-ch Lev3 (P型通道MOSFET MOS3模型)" id="mosfet_p_ch_lev3"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.3 MOS Level 3和31.6.3 MOS3 - 带有Meyer电容模型的Level 3 MOSFET模型章节。

MOSFET P-ch Lev4 (P通道MOSFET BSIM1模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.8 BSIM1模型（第4级）和31.6.6 BSIM1 - 伯克利短沟道IGFET模型部分。

MOSFET P型 5级 (P通道 MOSFET BSIM2 模型)

请参考 Ngspice 用户手册中的11.2.9 BSIM2模型（5级）和31.6.7 BSIM2 - 伯克利短沟道IGFET模型章节。

MOSFET P-ch Lev6 (P通道MOSFET MOS6模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.4 MOS Level 6和31.6.4 MOS6 - 带有Meyer电容模型的6级MOSFET模型章节。

MOSFET P-ch Lev8 (P通道MOSFET BSIM3v0 v3.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET P-ch Lev8_1 (P沟道MOSFET BSIM3v1 v3.1模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET P-ch Lev8_2 (P通道MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET P-ch Lev8_3 (P通道MOSFET BSIM3v3 v3.3.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.10 BSIM3模型（等级8, 49）和31.6.8 BSIM3章节。

MOSFET P-ch Lev9 (P通道MOSFET MOS9模型)

请参考Ngspice用户手册的31.6.5 MOS9 - 修改的3级MOSFET模型部分。

MOSFET P-ch Lev10 (P通道MOSFET BSIM4SOI v4.3.1模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.14 BSIMSOI模型（等级10, 58, 55, 56, 57）部分。

MOSFET P-ch Lev14 (P通道MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET P-ch Lev14_1 (P通道MOSFET BSIM4v6 v4.6.5模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET P-ch Lev14_2 (P通道MOSFET BSIM4v7 v4.7.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

MOSFET P-ch Lev14_3 (P通道MOSFET BSIM4v8 v4.8.1模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.11 BSIM4模型（等级14, 54）和31.6.9 BSIM4章节。

[折叠 class="" title="MOSFET P-ch Lev55 (P沟道MOSFET BSIM3SOI_FD模型)" id="mosfet_p_ch_lev55"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.14 BSIMSOI模型（等级10, 58, 55, 56, 57）部分。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET P-ch Lev56 (P沟道MOSFET BSIM3SOI_DD模型)" id="mosfet_p_ch_lev56"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.14 BSIMSOI模型（等级10, 58, 55, 56, 57）部分。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET P-ch Lev57 (P沟道MOSFET BSIM3SOI_PD模型)" id="mosfet_p_ch_lev57"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.14 BSIMSOI模型（等级10, 58, 55, 56, 57）部分。

MOSFET P-ch Lev68 (P通道MOSFET HISIM2模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

[折叠 collapsed class="" title="MOSFET P-ch Lev73 (P通道MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4模型)" id="mosfet_p_ch_lev73"]

请参考Ngspice用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

MOSFET P-ch Lev73_1 (P通道MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0模型)

请参考Ngspice用户手册中的11.2.16 广岛大学的HiSIM模型部分。

[折叠 class="" title="MOSFET P沟道 VDMOS（P沟道功率MOSFET VDMOS模型）" id="mosfet_p_ch_vdmos"]

请参考Ngspice用户手册的11.3功率MOSFET模型（VDMOS）部分。

互感 (带有电感列表的互感)

参数名称	描述
耦合系数	耦合系数。
电感列表	耦合电感的名称。

OpAmp (理想运算放大器)

参数名称	描述
GAIN	电压增益。

带有电源端子的运算放大器（理想运算放大器）

参数名称	描述
GAIN	电压增益。

五极管

参数名称	描述
CCG	输入（栅极1至阴极）电容（以法拉为单位）。
CCP	输出（阳极至阴极）电容（以法拉为单位）。
CPG1	米勒（栅极1至阳极）电容（以法拉为单位）。
EX	指数。
KG1	与整体阳极电流成反比的参数。
KG2	屏极电流灵敏度的倒数。
KP	影响大阳极电压和大负栅极电压下的阳极电流的参数。
KVB	膝部参数（以伏特为单位）。
MU	放大因数。
RGI	栅极至阴极电阻（以欧姆为单位）。
VCT	接触电势（以伏特为单位）。

光电二极管

参数名称	描述
BV	反向击穿电压（单位：伏特）。
CJO	零偏置结电容（单位：法拉）。
IS	饱和电流（单位：安培）
N	发射系数。
RESP	灵敏度（单位：安培/瓦特）。
Rint	内阻（单位：欧姆）。

PID 控制器

参数名称	描述
KD	微分比例值。
KI	积分比例值。
KP	比例比例值。

电位器

参数名称	描述
position	滑动触点在电阻器轨道上的位置。值的范围可以是0（完全向左/逆时针）到1（完全向右/顺时针），其中0.5为中点，两边的电阻相等。
value	最大电阻值（欧姆）。

PSK（相移键控调制器）

参数名称	描述
NC	在输入波形的一个比特持续时间内，输出波形将发生的周期数。
TB	单个比特的持续时间（以秒为单位）。
WMAG	输出波形的幅度（以伏特为单位）。

PSPICE与(PSPICE与逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE AND3 (PSPICE三态与逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE BUF (PSPICE数字缓冲器)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 电路范围默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 电路范围默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE BUF3（PSPICE 三态数字缓冲器）

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 电路范围默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 电路范围默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE INV (PSPICE数字反相器)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE INV3（PSPICE 三态数字反相器）

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NAND (PSPICE NAND逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NAND3 (PSPICE三态NAND逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NOR (PSPICE NOR逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NOR3（PSPICE三态非门逻辑门）

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NXOR (PSPICE非异或逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE NXOR3 (PSPICE三态NXOR逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE 或门 (PSPICE OR 逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须用于数字部分的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE OR3 (PSPICE三态或逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE STIM (PSPICE数字刺激发生器)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须用于连接到模拟部分的数字部分的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

signal

时间和值对。每对中的第一个数字指定新值（0、1、X 或 Z）的时间（以秒为单位）。

PSPICE异或门 (PSPICE XOR逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

PSPICE XOR3 (PSPICE三态异或逻辑门)

参数名称

描述

IO_LEVEL

定义模拟器必须为连接到模拟部分的数字部分使用的接口子电路模型的级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = AtoD1 和 DtoA1
2 = AtoD2 和 DtoA2
3 = AtoD3 和 DtoA3
4 = AtoD4 和 DtoA4

MNTYMXDLY

定义模拟器必须为数字部分使用的数字传播延迟级别：

0 = 整个电路的默认值
1 = 最小
2 = 典型
3 = 最大
4 = 最坏情况（最小/最大）

常闭型按钮（Push Button Normally Closed）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，按钮闭合电路。否则按钮打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位：欧姆）。

常开型按钮（Normally Opened）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则按钮闭合电路。否则按钮打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位：欧姆）。

PUT (PUT晶闸管)

参数名称	描述
DVDT	关态电压上升的临界速率（以伏特/秒计）。
IGT	触发门电流（以安培计）。
IH	直流保持电流（以安培计）。
K1	DVDT的调整因子。
K2	TQ的调整因子。
TON	导通时间（以秒计）。
TQ	关断时间（以秒计）。
VDRM	最大重复峰值关态电压（以伏特计）。
VTMIN	最小阳极至阴极导通状态电压（以伏特计）。

PWM（脉冲宽度调制发生器）

参数名称	描述
MODFREQ	调制波形的频率（赫兹）。
MODHIGH	调制波形的高电压值（伏特）。
MODLOW	调制波形的低电压值（伏特）。
PWMHIGH	PWM输出的高电压值（伏特）。
PWMLOW	PWM输出的低电压值（伏特）。

PWM发生器（脉冲宽度调制发生器）

参数名称	描述
MODFREQ	调制波形的频率（赫兹）。
MODHIGH	调制波形的高电压值（伏特）。
MODLOW	调制波形的低电压值（伏特）。
PWMHIGH	PWM输出的高电压值（伏特）。
PWMLOW	PWM输出的低电压值（伏特）。

[折叠 class="" title="正交幅度调制发生器 (QAM)" id="qam"]

参数名称	描述
F0	载波频率（赫兹）。

[/折叠]

电阻器

参数名称	描述
DTEMP	元件工作温度差（单位：°C）。
TC	定义电阻温度依赖性的多项式系数的逗号分隔列表。例如，当给出四个多项式系数（`a, b, c, d`）时，电阻 `R` 将是： `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, 其中 `R0` 是标称温度下的电阻，`dt` 是电阻器的温度与标称温度之间的差异。注意，当定义了 `TC1` 和 `TC2` 参数时，会覆盖 `TC` 参数。要使用 `TC` 参数，请清除 `TC1` 和 `TC2` 的值。
TC1	一阶温度系数。
TC2	二阶温度系数。
TEMP	元件工作温度（单位：°C）。
Value	电阻值（单位：欧姆）。

注意，此元件中不使用 T_REL_LOCAL 参数。

谐振器

参数名称	描述
F0	中心频率（赫兹）。
Lin	电感值（亨利）。
Q0	品质因数。

SCR (可控硅)

参数名称	描述
DVDT	关态电压上升的临界速率（伏特/秒）。
IGT	触发门电流（安培）。
IH	直流保持电流（安培）。
K1	DVDT的调整因子。
K2	TQ的调整因子。
TON	导通时间（秒）。
TQ	关断时间（秒）。
VDRM	最大重复峰值关态电压（伏特）。
VTMIN	最小阳极至阴极导通状态电压（伏特）。

肖特基二极管

请参考Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

Snubber

参数名称	描述
CSNUB	并联电容值（单位为法拉）。
RSNUB	并联电阻值（单位为欧姆）。

火花隙 (Spark Gap)

参数名称	描述
CARC	电弧电容（法拉）。
CPAR	间隙电容（法拉）。
ISUS	维持电弧所需的电流（安培）。
LPL	引线电感（亨利）。
RNEG	一旦被击穿后的负电阻（欧姆）。
RPL	与LPL相关的磁通损失（欧姆）。
VARC	一旦被击穿后跨过火花隙的电压（伏特）。
VTHRES	火花隙击穿电压（伏特）。

SPDT 继电器（单刀双掷继电器）

参数名称	描述
IOFF	关闭状态的控制电流（安培）。
ION	开启状态的控制电流（安培）。
L_C	线圈电感（亨利）。
ROFF	关闭状态的电阻（欧姆）。
RON	开启状态的电阻（欧姆）。
R_C	线圈电阻（欧姆）。

SPDT开关（单刀双掷开关）

参数名称	描述
nodeUP_closed	如果 nodeUP_closed > 0，则开关在上位置闭合电路。否则，开关在下位置闭合电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位：欧姆）。

SPST 继电器 NC（单刀单掷常闭继电器）

参数名称	描述
IOFF	关闭状态下的控制电流（安培）。
ION	开启状态下的控制电流（安培）。
L_C	线圈电感（亨利）。
ROFF	关闭状态下的电阻（欧姆）。
RON	开启状态下的电阻（欧姆）。
R_C	线圈电阻（欧姆）。

SPST 继电器常开 (单刀单掷常开继电器)

参数名称	描述
IOFF	关闭状态的控制电流（安培）。
ION	开启状态的控制电流（安培）。
L_C	线圈电感（亨利）。
ROFF	关闭状态电阻（欧姆）。
RON	开启状态电阻（欧姆）。
R_C	线圈电阻（欧姆）。

SPST 开关（单刀单掷开关）

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则开关闭合电路。否则，开关打开电路。
Rclosed	闭合状态下的电阻（单位为欧姆）。
Ropen	开启状态下的电阻（单位为欧姆）。

SR触发器

参数名称	描述
clk_delay_inst	时钟延迟（秒）。
clk_load_inst	时钟负载值（法拉）。
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零的延迟时间（秒）。
reset_delay_inst	复位延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一的延迟时间（秒）。
set_delay_inst	置位延迟（秒）。
set_load_inst	置位负载值（法拉）。
sr_load_inst	置位/复位负载（法拉）。

SR锁存器（数字SR锁存器）

参数名称	描述
enable_delay_inst	使能（enable）延迟（秒）。
enable_load_inst	使能负载值（法拉）。
fall_delay_inst	模型内部状态变化到输出变为数字零的延迟时间（秒）。
reset_delay_inst	复位（RESET）延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	模型内部状态变化到输出变为数字一的延迟时间（秒）。
set_delay_inst	设置（SET）延迟（秒）。
set_load_inst	设置负载值（法拉）。
sr_delay_inst	s或r输入变化的延迟（秒）。
sr_load_inst	S和R输入负载（法拉）。

步进电机

参数名称	描述
HARDNESS	无单位因子，用于设置停止硬度。
JLOAD	电机轴的转动惯量（单位为kg * m²）。
JMOTOR	电机负载的转动惯量（单位为kg * m²）。
K	电机常数（单位为V * s / rad）。
KD	阻尼扭矩（单位为N * m / (rad * s)）。
LIMIT	硬停位置（单位为弧度）。
LS	定子线圈电感（单位为亨利）。
RS	定子线圈电阻（单位为欧姆）。
STEP_ANGLE	一个完整步进的角度宽度（单位为度）。
TD	保持扭矩（单位为N * m）。
TLOAD	负载扭矩（单位为N * m）。

双重抑制器

请参阅Ngspice 用户手册中的7.1 节点二极管部分。

单一抑制器

请参考Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

SW NC (常闭开关)

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，开关闭合电路。否则开关断开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。

SW NO (常开开关)

参数名称	描述
closed	如果 closed > 0，则开关闭合电路。否则，开关打开电路。
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	开启状态电阻（单位：欧姆）。

开关电容

参数名称	描述
CVALUE	电容值（单位：法拉）。
FSAMPLE	开关频率（单位：赫兹）。
ROFF	断开状态电阻（单位：欧姆）。
RON	闭合状态电阻（单位：欧姆）。

T触发器（数字T触发器）

参数名称	描述
clk_delay_inst	时钟延迟（秒）。
clk_load_inst	时钟负载值（法拉）。
fall_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字零之间的延迟时间（秒）。
reset_delay_inst	复位延迟（秒）。
reset_load_inst	复位负载（法拉）。
rise_delay_inst	模型内部状态由输入驱动发生变化到输出变为数字一之间的延迟时间（秒）。
set_delay_inst	设置延迟（秒）。
set_load_inst	设置负载值（法拉）。
t_load_inst	切换负载值（法拉）。

四极管

参数名称	描述
CCG	输入（栅极1至阴极）电容（以法拉为单位）。
CCP	输出（板至阴极）电容（以法拉为单位）。
CPG1	米勒（栅极1至板）电容（以法拉为单位）。
EX	指数。
KG1	与整体板电流成反比的参数。
KG2	反屏栅电流灵敏度。
KP	影响大板电压和大负栅电压下板电流的参数。
KVB	膝部参数（以伏特为单位）。
MU	放大因数。
RGI	栅至阴极电阻（以欧姆为单位）。

时间控制开关 (Time Controlled Switch)

参数名称	描述
Rclosed	闭合状态电阻（单位：欧姆）。
Ropen	断开状态电阻（单位：欧姆）。
tSwitch	开关开始切换的时间（单位：秒）。
ttran	切换状态所需的时间（单位：秒）。此值必须是现实的，不能为0。

TL 无损 (无损传输线)

参数名称	描述
特性阻抗	特性阻抗（单位为欧姆）。
频率	频率（单位为赫兹）。
初始电流 1	传输线端口 1 的零时刻电流（单位为安培）。
初始电流 2	传输线端口 2 的零时刻电流（单位为安培）。
初始电压 1	传输线端口 1 的零时刻电压（单位为伏特）。
初始电压 2	传输线端口 2 的零时刻电压（单位为伏特）。
标准化长度	相对于线路中的波长，在指定频率下传输线的标准化电长度。
传输延迟	传输延迟（单位为秒）。

理想变压器 (Ideal Transformer)

参数名称	描述
GAIN	电压增益。

宽带变压器 (Wideband Transformer)

参数名称	描述
FH	高频断点（赫兹）。
FL	低频断点（赫兹）。
N	匝数。
RS	初级串联电阻（欧姆）。

带中心抽头的理想变压器 (Ideal Transformer With Central Tap)

参数名称	描述
L1	初级电感（单位：亨利）。
L2	次级电感1（单位：亨利）。
L3	次级电感2（单位：亨利）。

TRIAC（TRIAC晶闸管）

参数名称	描述
DVDT	关态电压上升的临界速率（以伏特/秒计）。
IGT	触发门电流（以安培计）。
IH	直流保持电流（以安培计）。
K1	DVDT的调整因子。
K2	TQ的调整因子。
TON	导通时间（以秒计）。
TQ	关断时间（以秒计）。
VDRM	最大重复峰值关态电压（以伏特计）。
VTMIN	最小阳极至阴极导通状态电压（以伏特计）。

三极管

参数名称	描述
CGC	栅极到阴极电容（以法拉为单位）。
CGP	栅极到板电容（以法拉为单位）。
CPC	板到阴极电容（以法拉为单位）。
K	管子常数k。
MU	管子常数mu。

Varactor

请参考Ngspice 用户手册的7.1 节点二极管部分。

VCCS（电压控制电流源）

参数名称	描述
增益	跨导（单位为mhos）。

VCCS_Expr（具有任意表达式的电压控制电流源）

参数名称	描述
表达式	定义源波形的表达式。

VCCS_Poly（带SPICE POLY函数的电压控制电流源）

参数名称	描述
系数列表	多项式系数。
节点名称	控制电压集。
阶数	多项式的维数。控制节点对的数量必须等于维数的数量。

VCCS_Table（带表功能的电压控制电流源）

参数名称	描述
表达式	提供x值的表达式，该x值用于根据表格中的值对生成相应的y值，使用线性插值法。
表格	值对。

VCO（电压控制振荡器）

参数名称	描述
F0	中心频率（单位：赫兹）。
KF	灵敏度（单位：赫兹/伏特）。
VP	幅度（单位：伏特）。

VCO方波（电压控制方波振荡器）

参数名称	描述
F0	中心频率（单位为赫兹）。
KF	灵敏度（单位为赫兹/伏特）。
VH	峰值输出高电平（单位为伏特）。
VL	峰值输出低电平（单位为伏特）。

VCSW_Hysteresis (带滞后的电压控制开关)

参数名称	描述
初始条件	开关的起始状态，开（OFF）或闭（ON）。
ROFF	关状态电阻（欧姆）。
RON	开状态电阻（欧姆）。
VH	滞后电压（伏特）。
VT	阈值电压（伏特）。

VCSW_Smooth_Trans（具有平滑过渡的电压控制开关）

参数名称	描述
ROFF	关闭状态下的电阻（单位为欧姆）。
RON	开启状态下的电阻（单位为欧姆）。
VOFF	关闭状态的控制电压（单位为伏特）。
VON	开启状态的控制电压（单位为伏特）。