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Composants génériques de simulation

Updated: October 12, 2026

En un coup d'œil

Cet article vous offre un aperçu pratique de la bibliothèque Simulation Generic Components dans Altium Designer : il vous indique où y accéder dans le panneau Components, comment gérer sa visibilité dans les préférences et comment modifier les paramètres des composants placés à l’aide du panneau Properties. Il sert également de référence pour le large éventail de composants disponibles prêts pour la simulation, des composants passifs et des sources aux interrupteurs, moteurs, passerelles numériques et modèles de semi-conducteurs, ainsi que pour les paramètres utilisés pour configurer leur simulation. Pour mieux comprendre les composants disponibles et leur configuration dans votre schéma, poursuivez la lecture de ce guide et simplifiez votre processus de simulation.

- Vous apprendrez où trouver la bibliothèque Simulation Generic Components et comment l’afficher ou la masquer dans Altium Designer.
- Vous découvrirez comment configurer les composants génériques de simulation après leur placement, notamment où modifier leurs paramètres dans le panneau Properties.
- Vous disposerez d’une référence détaillée, composant par composant, sur les éléments disponibles prêts pour la simulation et les paramètres permettant de définir leur comportement.

Approfondissez avec l'IA :

La bibliothèque Simulation Generic Components est disponible dans le panneau Components et donne accès à divers composants prêts pour la simulation, des composants passifs RLC aux composants numériques dans différents formats, en passant par les semi-conducteurs discrets.

Utilisez l’option Enable Simulation Generic Components Library de la page Simulation – Général de la boîte de dialogue Preferences pour contrôler la visibilité de la bibliothèque dans le panneau Components.
Consultez la page Vérification et préparation d’un projet pour la simulation pour en savoir plus sur les options disponibles pour placer des composants prêts pour la simulation dans Altium Designer.

Lorsqu’un composant de la bibliothèque Simulation Generic Components est placé sur vos schémas, sélectionnez-le pour accéder à ses propriétés à l’aide du panneau Properties dans son mode Simulation Generic Component. Le panneau comprend la zone Parameters dans laquelle vous pouvez définir les valeurs des paramètres du composant.

Sélectionnez un composant générique de simulation placé pour définir ses paramètres à l’aide du panneau Properties.

Composants génériques de simulation

Les sections ci-dessous fournissent des informations sur les paramètres des composants de la bibliothèque Simulation Generic Components.

.IC (Condition initiale)

Nom du paramètre	Description
Tension initiale	Amplitude de la tension du nœud (en volts).

.NS (Initialisation du nœud)

Nom du paramètre	Description
Tension initiale	Amplitude de la tension du nœud (en volts).

3 Phase Delta (Source de tension triphasée en triangle)

Nom du paramètre	Description
FREQ	Fréquence (en hertz).
V_RMS	Tension efficace (RMS) (en volts).

3 Phase Wye (Source de tension triphasée en étoile)

Nom du paramètre	Description
FREQ	Fréquence (en hertz).
V_RMS	Tension efficace (RMS) (en volts).

3PDT (Commutateur tripolaire à deux directions)

Nom du paramètre	Description
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, le commutateur ferme les circuits en position haute. Sinon, le commutateur ferme les circuits en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

3PST (Interrupteur tripolaire à une direction)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme les circuits. Sinon, l’interrupteur ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

555 (Temporisateur 555)

Aucun paramètre

Source de courant alternatif

Nom du paramètre	Description
Amp	Amplitude crête de la sinusoïde (en ampères).
DC	Courant de décalage continu du générateur de signaux (en ampères).
Freq	Fréquence du courant de sortie sinusoïdal (en hertz).
Phase	Déphasage de la sinusoïde à l’instant zéro (en degrés).

Moteur à courant alternatif

Nom du paramètre	Description
J	Moment d’inertie (en kg * m²).
K	Facteur de couplage.
LR	Inductance de fuite du rotor (en henrys).
LS	Inductance de fuite du stator (en henrys).
NP	Nombre de pôles.
RR	Résistance du rotor (en ohms).
RS	Résistance du stator (en ohms).

Source de tension alternative

Nom du paramètre	Description
Amp	Amplitude crête de la sinusoïde (en volts).
Cpar	Capacité en parallèle (en farads).
DC	Tension de décalage continu du générateur de signaux (en volts).
Freq	Fréquence de la tension de sortie sinusoïdale (en hertz).
Phase	Déphasage de la sinusoïde à l’instant zéro (en degrés).
Rser	Résistance en série (en ohms).

AM (Source de tension modulée en amplitude)

Nom du paramètre	Description
FC	Fréquence de la porteuse (en hertz).
KA	Sensibilité en amplitude.
OFFSET	Décalage continu du générateur de signaux (en volts).
VC	Amplitude de la porteuse (en volts).

AtoD (Passerelle analogique-numérique)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
in_high_inst	Tension d’entrée analogique minimale correspondant à la valeur logique 1 (en volts).
in_low_inst	Tension d’entrée analogique maximale correspondant à la valeur logique 0 (en volts).
rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).

Pile (Source de tension constante)

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité en parallèle (en farads).
Amplitude CC	Valeur de la tension continue (en volts).
RSER	Résistance en série (en ohms).

BJT NPN 4 GP (Transistor bipolaire NPN à 4 broches, modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT NPN 4 MGP (transistor bipolaire NPN à 4 broches, version modifiée du modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT NPN 4 VBIC (transistor bipolaire NPN à 4 broches, modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT NPN VBIC (transistor bipolaire NPN à 3 broches, modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT NPN_GP (transistor bipolaire NPN à 3 broches, modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT NPN_MGP (transistor bipolaire NPN à 3 broches, version modifiée du modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP 4 GP (transistor bipolaire PNP à 4 broches, modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP 4 MGP (transistor bipolaire PNP à 4 broches, version modifiée du modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP 4 VBIC (transistor bipolaire PNP à 4 broches, modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP GP (transistor bipolaire PNP à 3 broches, modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP MGP (transistor bipolaire PNP à 3 broches, version modifiée du modèle de Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du manuel d’utilisation de Ngspice.

BJT PNP VBIC (transistor bipolaire PNP à 3 broches, modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

Pont redresseur (pont redresseur à quatre diodes)

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

Condensateur

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité parallèle équivalente (en farads).
LSER	Inductance série équivalente (en henrys).
RLSHUNT	Résistance en dérivation aux bornes de LSER (en ohms).
RPAR	Résistance parallèle équivalente (en ohms).
RSER	Résistance série équivalente (en ohms).
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Valeur	Valeur de la capacité (en farads).

Le circuit équivalent d’un condensateur.

CCCS (source de courant commandée en courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en courant.
Nom de la source de tension	Nom d’une source de tension traversée par le courant de commande.

CCCS_4pins (source de courant commandée en courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en courant.

CCCS_Expr (source de courant commandée en courant avec une expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

CCCS_Poly (source de courant commandée en courant avec la fonction POLY de SPICE)

Nom du paramètre	Description
Liste des coefficients	Coefficients du polynôme.
Ordre	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de sources de commande doit être égal au nombre de dimensions.
Noms des sources de tension	Sources de tension de commande. La variable de commande est le courant traversant ces sources.

CCCS_Table (source de courant commandée en courant avec la fonction Table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur de x, utilisée pour générer une valeur de y correspondante à partir des paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

CCSW_Hysteresis (interrupteur commandé en courant avec hystérésis)

Nom du paramètre	Description
IH	Courant d’hystérésis (en ampères).
Condition initiale	État initial de l’interrupteur : ouvert (OFF) ou fermé (ON).
IT	Courant de seuil (en ampères).
ROFF	Résistance à l’état bloqué (en ohms).
RON	Résistance à l’état passant (en ohms).

CCSW_Smooth_Trans (Interrupteur commandé en courant à transition progressive)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état bloqué (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état passant (en ampères).
ROFF	Résistance à l’état bloqué (en ohms).
RON	Résistance à l’état passant (en ohms).

CCVS (Source de tension commandée en courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transrésistance (en ohms).
Nom de la source de tension	Nom d’une source de tension traversée par le courant de commande.

CCVS_4pins (Source de tension commandée en courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transrésistance (en ohms).

CCVS_Expr (Source de tension commandée en courant avec une expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

CCVS_Poly (Source de tension commandée en courant avec la fonction SPICE POLY)

Nom du paramètre	Description
Liste des coefficients	Coefficients du polynôme.
Ordre	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de sources de commande doit être égal au nombre de dimensions.
Noms des sources de tension	Sources de tension de commande. La variable de commande est le courant traversant ces sources.

CCVS_Table (Source de tension commandée en courant avec une fonction de table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur de x, utilisée pour générer la valeur de y correspondante à partir des paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

Comparateur (Comparateur idéal)

Nom du paramètre	Description
VHIGH	Limite supérieure de la sortie (en volts).
VHYS	Largeur d’hystérésis (en volts).
VLOW	Limite inférieure de la sortie (en volts).

Inductances couplées (Paire d’inductances couplées)

Nom du paramètre	Description
Coupling_Factor	Coefficient de couplage, qui doit être strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1.
L1	Inductance de la première bobine discrète (en henrys).
L2	Inductance de la deuxième bobine discrète (en henrys).

Quartz

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence de sortie nominale du quartz (en hertz).
Q	Facteur de qualité du modèle de circuit électrique équivalent du quartz.
R	Résistance présentée par le quartz à la fréquence de résonance série (en ohms).

Bascule D

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Retard depuis l’entrée d’horloge clk (en secondes).
clk_load_inst	Capacité de charge de l’entrée d’horloge clk (en farads).
data_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de données (en farads).
fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
reset_delay_inst	Retard depuis l’entrée de remise à zéro (en secondes).
reset_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de remise à zéro (en farads).
rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).
set_delay_inst	Retard depuis l’entrée de mise à un (en secondes).
set_load	Capacité de charge de l’entrée de mise à un (en farads).

Verrou D (Verrou D numérique)

Nom du paramètre	Description
data_delay_inst	Retard depuis l’entrée de données (en secondes).
data_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de données (en farads).
enable_delay_inst	Retard depuis l’entrée de validation (en secondes).
enable_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de validation (en farads).
fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
reset_delay_inst	Retard depuis l’entrée RESET (en secondes).
reset_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de remise à zéro (en farads).
rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).
set_delay_inst	Retard depuis l’entrée SET (en secondes).
set_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de mise à un (en farads).

Darlington BJT NPN (Transistor bipolaire NPN Darlington)

Consultez les sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Manuel d’utilisation de Ngspice.

Darlington BJT PNP (Transistor bipolaire PNP Darlington)

Consultez les sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Manuel d’utilisation de Ngspice.

Source de courant continu

Nom du paramètre	Description
DC	Amplitude du courant de la source (en ampères).

Moteur à courant continu

Nom du paramètre	Description
BM	Frottement visqueux (en N * m / (rad * s)).
JM	Moment d’inertie (en kg * m²).
KE	Constante de force contre-électromotrice (en V * s / rad).
KT	Constante de couple (en N * m / A).
LA	Inductance de l’induit (en henrys).
RA	Résistance de l’induit (en ohms).
TL	Couple de charge (en N * m).

Ligne à retard

Nom du paramètre	Description
DELAY	Temporisation (en secondes).

DIAC (thyristor DIAC)

Nom du paramètre	Description
RS	Résistance série (en ohms).
VK	Tension de claquage (en volts).

0 numérique (générateur de zéro logique)

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
adc_rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).

1 numérique (générateur de un logique)

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
adc_rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).

ET numérique (porte logique ET)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

Tampon numérique (tampons numériques)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

Horloge numérique

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Retard à la descente (en secondes).
adc_in_high_inst	Valeur minimale de l’entrée analogique correspondant à un logique (en volts).
adc_in_low_inst	Valeur maximale de l’entrée analogique correspondant à zéro logique (en volts).
adc_rise_delay_inst	Retard à la montée (en secondes).
period	Période (en secondes).
phase	Phase du signal impulsionnel (en degrés).
pwidth	Largeur d’impulsion (en secondes).
tdelay	Temporisation (en secondes).
tfall	Temps de descente (en secondes).
trise	Temps de montée (en secondes).
vhigh	Valeur pendant l’impulsion (en volts).
vlow	Valeur initiale (en volts).

Inverseur numérique

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

NON-ET numérique (porte logique NON-ET)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

NON-OU numérique (porte logique NON-OU)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

NON numérique (porte logique NON)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

OU numérique (porte logique OU)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à un logique (en secondes).

NON-OU exclusif numérique (porte logique NON-OU exclusif)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie à zéro logique (en secondes).
input_load_inst	La capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Le délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au niveau logique 1 (en secondes).

XOR numérique (porte OU exclusif numérique)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Le délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au niveau logique 0 (en secondes).
input_load_inst	La capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Le délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au niveau logique 1 (en secondes).

Diode

Consultez la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

Relais DPDT (relais bipolaire à deux directions)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état désactivé (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état activé (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état désactivé (en ohms).
RON	Résistance à l’état activé (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

Commutateur DPDT (commutateur bipolaire à deux directions)

Nom du paramètre	Description
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, le commutateur ferme les circuits en position haute. Sinon, le commutateur ferme les circuits en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Bouton-poussoir DPST (bouton bipolaire à une direction)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme les circuits. Sinon, le bouton ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Relais DPST (relais bipolaire à une direction)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état désactivé (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état activé (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état désactivé (en ohms).
RON	Résistance à l’état activé (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

Interrupteur DPST (interrupteur bipolaire à une direction)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme les circuits. Sinon, l’interrupteur ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

DtoA (passerelle numérique-analogique)

Nom du paramètre	Description
input_load_inst	Charge d’entrée (en farads).
out_high_inst	Sortie analogique correspondant à la valeur logique 1 (en volts).
out_low_inst	Sortie analogique correspondant à la valeur logique 0 (en volts).
out_undef_inst	Sortie analogique correspondant à une valeur logique indéfinie (en volts).
t_fall_inst	Temps de descente 1->0 (en secondes).
t_rise_inst	Temps de montée 0->1 (en secondes).

Double diode

Consultez la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

FSK (modulateur à déplacement de fréquence)

Nom du paramètre	Description
NC0	Nombre de cycles du signal de sortie pendant la durée d’un seul bit à zéro du signal d’entrée.
NC1	Nombre de cycles du signal de sortie pendant la durée d’un seul bit à un du signal d’entrée.
TB	Durée d’un seul bit (en secondes).
WMAG	Amplitude du signal de sortie (en volts).

Source de courant fonctionnelle (source de courant définie par une fonction)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

Source de tension fonctionnelle

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

Fusible

Nom du paramètre	Description
CURRENT	Courant du fusible (en ampères).
RESISTANCE	Résistance interne (en ohms).

Gyrateur

Nom du paramètre	Description
G	Conductance de gyration (en mhos).

Bobine

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité parallèle équivalente (en farads).
DTEMP	Écart de température de fonctionnement du composant (en °C).
Courant initial	Courant traversant la bobine à l’instant initial (en ampères).
M	Nombre d’unités en parallèle.
RPAR	Résistance parallèle équivalente (en ohms).
RSER	Résistance série équivalente (en ohms).
TC1	Coefficient de température du premier ordre.
TC2	Coefficient de température du second ordre.
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Value	Valeur de l’inductance (en henrys).

Notez que le paramètre T_REL_LOCAL n’est pas utilisé dans ce composant.

Le circuit équivalent d’une inductance.

ISRC (Source de courant)

Consultez Vérification et préparation d’un projet pour la simulation – Ajout et configuration d’une source de simulation.

JFET N-ch Level1 (Transistor à effet de champ à jonction à canal N de niveau 1)

Consultez la section 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification du manuel d’utilisation de Ngspice.

JFET N-ch Level2 (Transistor à effet de champ à jonction à canal N de niveau 2)

Consultez la section 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model du manuel d’utilisation de Ngspice.

JFET P-ch Level1 (Transistor à effet de champ à jonction à canal P de niveau 1)

Consultez la section 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification du manuel d’utilisation de Ngspice.

JFET P-ch Level2 (Transistor à effet de champ à jonction à canal P de niveau 2)

Consultez la section 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model du manuel d’utilisation de Ngspice.

Bascule JK

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Délai depuis clk (en secondes).
clk_load_inst	Valeur de la charge de clk (en farads).
fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
jk_load_inst	Valeurs des charges de J et K (en farads).
reset_delay_inst	Délai depuis reset (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).
set_delay_inst	Délai depuis set (en secondes).
set_load_inst	Valeur de la charge de set (en farads).

LED (Diode électroluminescente)

Consultez la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

Régulateur de tension linéaire (réglable) (Régulateur de tension positive réglable)

Aucun paramètre présent

Régulateur de tension linéaire (fixe) (Régulateur de tension positive fixe)

Nom du paramètre	Description
Av_feedback	Av*Facteur de contre-réaction (Av_feedback = 1665 pour Vout = 5 V (par défaut) ; Av_feedback = 694 pour Vout = 12 V ; Av_feedback = 550 pour Vout = 15 V).
R1_Value	Valeur de R1 (en ohms) (R1_Value = 1020 pour Vout = 5 V (par défaut) ; R1_Value = 2448 pour Vout = 12 V ; R1_Value = 3060 pour Vout = 15 V).

MOSFET N-ch Lev1 (MOSFET à canal N, modèle MOS1 de Shichman et Hodges)

Consultez les sections 11.2.1 MOS Level 1 et 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (MOSFET à canal N, modèle MOS2 de Grove-Frohman)

Consultez les sections 11.2.2 MOS Level 2 et 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (MOSFET à canal N, modèle MOS3)

Consultez les sections 11.2.3 MOS Level 3 et 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (MOSFET à canal N, modèle BSIM1)

Consultez les sections 11.2.8 BSIM1 model (level 4) et 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (MOSFET à canal N, modèle BSIM2)

Consultez les sections 11.2.9 BSIM2 model (level 5) et 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (MOSFET à canal N, modèle MOS6)

Consultez les sections 11.2.4 MOS Level 6 et 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v0 v3.0)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v1 v3.1)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (modèle de MOSFET à canal N BSIM3v3 v3.3.0)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (modèle de MOSFET à canal N MOS9)

Reportez-vous à la section 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (modèle de MOSFET à canal N BSIM4SOI v4.3.1)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (modèle de MOSFET à canal N BSIM4v5 v4.0 - 4.5)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (modèle de MOSFET à canal N BSIM4v6 v4.6.5)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (modèle de MOSFET à canal N BSIM4v7 v4.7.0)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (modèle de MOSFET à canal N BSIM4v7 v4.7.0)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (modèle de MOSFET à canal N BSIM3SOI_FD)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (modèle de MOSFET à canal N BSIM3SOI_DD)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (modèle de MOSFET à canal N BSIM3SOI_PD)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (modèle de MOSFET à canal N HISIM2 v2.8.0)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (modèle de MOSFET à canal N HISIM_HV1 v1.2.4)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (modèle de MOSFET à canal N HISIM_HV2 v2.2.0)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (modèle de MOSFET de puissance à canal N VDMOS)

Reportez-vous à la section 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (modèle de Shichman et Hodges pour MOSFET à canal P MOS1)

Reportez-vous aux sections 11.2.1 MOS Level 1 et 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (modèle de Grove-Frohman pour MOSFET à canal P MOS2)

Reportez-vous aux sections 11.2.2 MOS Level 2 et 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (modèle de MOSFET à canal P MOS3)

Reportez-vous aux sections 11.2.3 MOS Level 3 et 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (modèle de MOSFET à canal P BSIM1)

Reportez-vous aux sections 11.2.8 BSIM1 model (level 4) et 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (modèle de MOSFET à canal P BSIM2)

Reportez-vous aux sections 11.2.9 BSIM2 model (level 5) et 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (modèle de MOSFET à canal P MOS6)

Reportez-vous aux sections 11.2.4 MOS Level 6 et 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (modèle de MOSFET à canal P BSIM3v0 v3.0)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (modèle MOSFET à canal P BSIM3v1 v3.1)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (modèle MOSFET à canal P BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (modèle MOSFET à canal P BSIM3v3 v3.3.0)

Consultez les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (modèle MOSFET à canal P MOS9)

Consultez la section 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (modèle MOSFET à canal P BSIM4SOI v4.3.1)

Consultez la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (modèle MOSFET à canal P BSIM4v5 v4.0 - 4.5)

Consultez les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (modèle MOSFET à canal P BSIM4v6 v4.6.5)

Consultez les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (modèle MOSFET à canal P BSIM4v7 v4.7.0)

Consultez les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (modèle MOSFET à canal P BSIM4v8 v4.8.1)

Consultez les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (modèle MOSFET à canal P BSIM3SOI_FD)

Consultez la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (modèle MOSFET à canal P BSIM3SOI_DD)

Consultez la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (modèle MOSFET à canal P BSIM3SOI_PD)

Consultez la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (modèle MOSFET à canal P HISIM2)

Consultez la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (modèle MOSFET à canal P HISIM_HV1 v1.2.4)

Consultez la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (modèle MOSFET à canal P HISIM_HV2 v2.2.0)

Consultez la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel d’utilisation de Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (modèle MOSFET de puissance à canal P VDMOS)

Consultez la section 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) du manuel d’utilisation de Ngspice.

Inductance mutuelle (inductance mutuelle avec liste des inductances)

Nom du paramètre	Description
Facteur de couplage	Coefficient de couplage.
Liste des inductances	Noms des inductances couplées.

Ampli-op (amplificateur opérationnel idéal)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

Ampli-op avec bornes d’alimentation (amplificateur opérationnel idéal)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

Pentode

Nom du paramètre	Description
CCG	Capacité d’entrée (entre la grille 1 et la cathode), en farads.
CCP	Capacité de sortie (entre l’anode et la cathode), en farads.
CPG1	Capacité de Miller (entre la grille 1 et l’anode), en farads.
EX	Exposant.
KG1	Paramètre inversement proportionnel au courant anodique total.
KG2	Inverse de la sensibilité du courant de grille-écran.
KP	Paramètre influant sur les courants anodiques pour des tensions anodiques élevées et des tensions de grille fortement négatives.
KVB	Paramètres de coude (en volts).
MU	Facteur d’amplification.
RGI	Résistance entre la grille et la cathode (en ohms).
VCT	Potentiel de contact (en volts).

Photodiode

Nom du paramètre	Description
BV	Tension de claquage inverse (en volts).
CJO	Capacité de jonction à polarisation nulle (en farads).
IS	Courant de saturation (en ampères)
N	Coefficient d’émission.
RESP	Sensibilité (en ampères/watt).
Rint	Résistance interne (en ohms).

Régulateur PID

Nom du paramètre	Description
KD	Gain dérivé.
KI	Gain intégral.
KP	Gain proportionnel.

Potentiomètre

Nom du paramètre	Description
position	Position du curseur sur la piste résistive. La valeur peut être comprise entre 0 (complètement à gauche/dans le sens antihoraire) et 1 (complètement à droite/dans le sens horaire), 0,5 correspondant au point médian, avec une résistance égale de chaque côté.
value	Valeur maximale de la résistance (en ohms).

PSK (modulateur à déplacement de phase)

Nom du paramètre	Description
NC	Nombre de cycles du signal de sortie pendant la durée d’un bit du signal d’entrée.
TB	Durée d’un bit (en secondes).
WMAG	Amplitude du signal de sortie (en volts).

PSPICE AND (porte logique ET PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE AND3 (porte logique ET à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE BUF (tampon numérique PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE BUF3 (tampon numérique à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE INV (inverseur numérique PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE INV3 (inverseur numérique à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NAND (porte logique NAND PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NAND3 (porte logique NAND à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NOR (porte logique NOR PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NOR3 (porte logique NOR à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NXOR (porte logique NXOR PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NXOR3 (porte logique NXOR à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau du délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE OR (porte logique OU PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau du délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE OR3 (porte logique OU à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau du délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE STIM (générateur de stimuli numériques PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

signal

Paires temps-valeur. Le premier nombre de chaque paire indique le temps (en secondes) auquel la nouvelle valeur (0, 1, X ou Z) est appliquée.

PSPICE XOR (porte logique OU exclusif PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau du délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE XOR3 (porte logique OU exclusif à trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau du modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique connecté à un composant analogique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau du délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour un composant numérique :

0 = valeur par défaut pour l’ensemble du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

Bouton-poussoir NF (bouton-poussoir normalement fermé)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme le circuit. Sinon, le bouton ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Bouton-poussoir NO (bouton-poussoir normalement ouvert)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme le circuit. Sinon, le bouton ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

PUT (thyristor PUT)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Vitesse critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts/seconde).
IGT	Courant de déclenchement de la gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien continu (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement de DVDT.
K2	Facteur d’ajustement de TQ.
TON	Temps d’amorçage (en secondes).
TQ	Temps de désamorçage (en secondes).
VDRM	Tension de crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale entre anode et cathode à l’état passant (en volts).

PWM (générateur de modulation de largeur d’impulsion)

Nom du paramètre	Description
MODFREQ	Fréquence du signal modulant (en hertz).
MODHIGH	Niveau de tension haut du signal modulant (en volts).
MODLOW	Niveau de tension bas du signal modulant (en volts).
PWMHIGH	Niveau de tension haut de la sortie PWM (en volts).
PWMLOW	Niveau de tension bas de la sortie PWM (en volts).

Générateur PWM (générateur de modulation de largeur d’impulsion)

Nom du paramètre	Description
MODFREQ	Fréquence du signal modulant (en hertz).
MODHIGH	Niveau de tension haut du signal modulant (en volts).
MODLOW	Niveau de tension bas du signal modulant (en volts).
PWMHIGH	Niveau de tension haut de la sortie PWM (en volts).
PWMLOW	Niveau de tension bas de la sortie PWM (en volts).

QAM (générateur de modulation d’amplitude en quadrature)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence porteuse (en hertz).

Résistance

Nom du paramètre	Description
DTEMP	Écart de température de fonctionnement du composant (en °C).
TC	Liste de coefficients polynomiaux séparés par des virgules qui définissent la dépendance de la résistance à la température. Par exemple, lorsque quatre coefficients polynomiaux sont fournis (`a, b, c, d`), la résistance `R` est donnée par : `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, où `R0` est la résistance à la température nominale et `dt` est la différence entre la température de la résistance et la température nominale. Notez que, lorsqu’ils sont définis, les paramètres `TC1` et `TC2` prévalent sur le paramètre `TC`. Pour utiliser le paramètre `TC`, effacez les valeurs de `TC1` et `TC2`.
TC1	Coefficient de température du premier ordre.
TC2	Coefficient de température du second ordre.
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Valeur	Valeur de la résistance (en ohms).

Notez que le paramètre T_REL_LOCAL n’est pas utilisé dans ce composant.

Résonateur

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
Lin	Valeur de l’inductance (en henrys).
Q0	Facteur de qualité.

SCR (thyristor SCR)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Vitesse critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts/seconde).
IGT	Courant de déclenchement de la gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien continu (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement de DVDT.
K2	Facteur d’ajustement de TQ.
TON	Temps d’amorçage (en secondes).
TQ	Temps de désamorçage (en secondes).
VDRM	Tension de crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale entre anode et cathode à l’état passant (en volts).

Diode Schottky

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

Circuit d’amortissement

Nom du paramètre	Description
CSNUB	Valeur de la capacité en parallèle (en farads).
RSNUB	Valeur de la résistance en parallèle (en ohms).

Sparkgap (éclateur)

Nom du paramètre	Description
CARC	Capacité de l’arc (en farads).
CPAR	Capacité entre les électrodes (en farads).
ISUS	Courant de maintien en dessous duquel l’arc s’éteint (en ampères).
LPL	Inductance des connexions (en henrys).
RNEG	Résistance négative après amorçage (en ohms).
RPL	Pertes de flux associées à LPL (en ohms).
VARC	Tension aux bornes de l’éclateur après amorçage (en volts).
VTHRES	Tension d’amorçage de l’éclateur (en volts).

Relais SPDT (relais unipolaire à deux directions)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande à l’état désactivé (en ampères).
ION	Courant de commande à l’état activé (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état désactivé (en ohms).
RON	Résistance à l’état activé (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

Commutateur SPDT (commutateur unipolaire à deux directions)

Nom du paramètre	Description
nodeUP_closed	Si nodeUP_closed > 0, le commutateur ferme le circuit en position haute. Sinon, le commutateur ferme le circuit en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Relais SPST NC (relais unipolaire à simple contact normalement fermé)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

Relais SPST NO (relais unipolaire à simple contact normalement ouvert)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

SPST SW (interrupteur unipolaire à simple contact)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Bascule SR

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée clk (en secondes).
clk_load_inst	Capacité de charge de l’entrée clk (en farads).
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au zéro logique (en secondes).
reset_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée reset (en secondes).
reset_load_inst	Capacité de charge de l’entrée reset (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au un logique (en secondes).
set_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée set (en secondes).
set_load_inst	Capacité de charge de l’entrée set (en farads).
sr_load_inst	Capacités de charge des entrées set/reset (en farads).

Verrou SR (verrou SR numérique)

Nom du paramètre	Description
enable_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée enable (en secondes).
enable_load_inst	Capacité de charge de l’entrée enable (en farads).
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au zéro logique (en secondes).
reset_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée RESET (en secondes).
reset_load_inst	Capacité de charge de l’entrée reset (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au un logique (en secondes).
set_delay_inst	Temps de propagation depuis l’entrée SET (en secondes).
set_load_inst	Capacité de charge de l’entrée set (en farads).
sr_delay_inst	Temps de propagation depuis un changement de l’entrée s ou r (en secondes).
sr_load_inst	Capacités de charge des entrées s & r (en farads).

Moteur pas à pas

Nom du paramètre	Description
HARDNESS	Facteur sans dimension qui définit la rigidité de la butée.
JLOAD	Moment d’inertie de l’arbre du moteur (en kg * m²).
JMOTOR	Moment d’inertie de la charge du moteur (en kg * m²).
K	Constante du moteur (en V * s / rad).
KD	Couple d’amortissement (en N * m / (rad * s)).
LIMIT	Position de la butée mécanique (en radians).
LS	Inductance de la bobine du stator (en henrys).
RS	Résistance de la bobine du stator (en ohms).
STEP_ANGLE	Amplitude angulaire d’un pas entier (en degrés).
TD	Couple de détente (en N * m).
TLOAD	Couple de charge (en N * m).

Suppresseur double

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

Suppresseur simple

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

SW NC (interrupteur normalement fermé)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

SW NO (interrupteur normalement ouvert)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Condensateur commuté

Nom du paramètre	Description
CVALUE	Valeur de la capacité (en farads).
FSAMPLE	Fréquence de commutation (en hertz).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).

Bascule T (bascule T numérique)

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Retard par rapport à clk (en secondes).
clk_load_inst	Capacité de charge de clk (en farads).
fall_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au zéro logique (en secondes).
reset_delay_inst	Retard par rapport à reset (en secondes).
reset_load_inst	Capacité de charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Délai entre un changement de l’état interne du modèle, provoqué par ses entrées, et le passage de la sortie au un logique (en secondes).
set_delay_inst	Retard par rapport à set (en secondes).
set_load_inst	Capacité de charge de set (en farads).
t_load_inst	Capacité de charge de l’entrée de basculement (en farads).

Tétrode

Nom du paramètre	Description
CCG	Capacité d’entrée (entre la grille 1 et la cathode) (en farads).
CCP	Capacité de sortie (entre la plaque et la cathode) (en farads).
CPG1	Capacité Miller (entre la grille 1 et la plaque) (en farads).
EX	Exposant.
KG1	Paramètre inversement proportionnel au courant total de plaque.
KG2	Inverse de la sensibilité du courant de grille-écran.
KP	Paramètre influant sur les courants de plaque pour des tensions de plaque élevées et des tensions de grille fortement négatives.
KVB	Paramètres de coude (en volts).
MU	Facteur d’amplification.
RGI	Résistance entre la grille et la cathode (en ohms).

SW commandé en temps (interrupteur commandé en temps)

Nom du paramètre	Description
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).
tSwitch	Instant auquel l’interrupteur commence à commuter (en secondes).
ttran	Temps nécessaire pour changer d’état (en secondes). Cette valeur doit être réaliste et différente de 0.

LT sans pertes (ligne de transmission sans pertes)

Nom du paramètre	Description
Impédance caractéristique	Impédance caractéristique (en ohms).
Fréquence	Fréquence (en hertz).
Courant initial 1	Courant à l’instant zéro au port 1 de la ligne de transmission (en ampères).
Courant initial 2	Courant à l’instant zéro au port 2 de la ligne de transmission (en ampères).
Tension initiale 1	Tension à l’instant zéro au port 1 de la ligne de transmission (en volts).
Tension initiale 2	Tension à l’instant zéro au port 2 de la ligne de transmission (en volts).
Longueur normalisée	Longueur électrique normalisée de la ligne de transmission par rapport à la longueur d’onde dans la ligne, à la fréquence spécifiée.
Retard de transmission	Retard de transmission (en secondes).

Transformateur idéal (transformateur idéal)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

Transformateur large bande (transformateur à large bande)

Nom du paramètre	Description
FH	Fréquence de coupure haute (en hertz).
FL	Fréquence de coupure basse (en hertz).
N	Nombre de spires.
RS	Résistance série du primaire (en ohms).

Transformateur idéal à point milieu (transformateur idéal à point milieu)

Nom du paramètre	Description
L1	Inductance du primaire (en henrys).
L2	Inductance du secondaire 1 (en henrys).
L3	Inductance du secondaire 2 (en henrys).

TRIAC (thyristor TRIAC)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Vitesse critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts/seconde).
IGT	Courant d’amorçage de gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien en continu (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement de DVDT.
K2	Facteur d’ajustement de TQ.
TON	Temps de mise en conduction (en secondes).
TQ	Temps de blocage (en secondes).
VDRM	Tension de crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale entre l’anode et la cathode à l’état passant (en volts).

Triode

Nom du paramètre	Description
CGC	Capacité entre la grille et la cathode (en farads).
CGP	Capacité entre la grille et la plaque (en farads).
CPC	Capacité entre la plaque et la cathode (en farads).
K	Constante k du tube.
MU	Constante mu du tube.

Varicap

Consultez la section 7.1 Junction Diodes du manuel d’utilisation de Ngspice.

VCCS (source de courant commandée en tension)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transconductance (en mhos).

VCCS_Expr (source de courant commandée en tension avec une expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

VCCS_Poly (source de courant commandée en tension avec la fonction SPICE POLY)

Nom du paramètre	Description
Liste des coefficients	Coefficients du polynôme.
Noms des nœuds	Ensemble des tensions de commande.
Ordre	Le nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de paires de nœuds de commande doit être égal au nombre de dimensions.

VCCS_Table (Source de courant commandée en tension avec fonction de table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur de x, utilisée pour générer la valeur de y correspondante à partir des paires de valeurs du tableau, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

VCO (Oscillateur commandé en tension)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
KF	Sensibilité (en Hz/V).
VP	Amplitude (en volts).

VCO Square (Oscillateur à onde carrée commandé en tension)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
KF	Sensibilité (en Hz/V).
VH	Valeur crête du niveau haut de sortie (en volts).
VL	Valeur crête du niveau bas de sortie (en volts).

VCSW_Hysteresis (Interrupteur commandé en tension avec hystérésis)

Nom du paramètre	Description
Condition initiale	État initial de l'interrupteur : ouvert (OFF) ou fermé (ON).
ROFF	Résistance à l'état ouvert (OFF), en ohms.
RON	Résistance à l'état fermé (ON), en ohms.
VH	Tension d'hystérésis (en volts).
VT	Tension de seuil (en volts).

VCSW_Smooth_Trans (Interrupteur commandé en tension avec transition progressive)

Nom du paramètre	Description
ROFF	Résistance à l'état ouvert (OFF), en ohms.
RON	Résistance à l'état fermé (ON), en ohms.
VOFF	Tension de commande pour l'état ouvert (OFF) (en volts).
VON	Tension de commande pour l'état fermé (ON) (en volts).

VCVS (Source de tension commandée en tension)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en tension.

VCVS_Expr (Source de tension commandée en tension avec expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d'onde de la source.

VCVS_Poly (Source de tension commandée en tension avec fonction POLY de SPICE)

Nom du paramètre	Description
Liste des coefficients	Coefficients du polynôme.
Noms des nœuds	Ensemble des tensions de commande.
Ordre	Le nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de paires de nœuds de commande doit être égal au nombre de dimensions.

VCVS_Table (Source de tension commandée en tension avec fonction de table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur de x, utilisée pour générer la valeur de y correspondante à partir des paires de valeurs du tableau, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

Différence de tensions

Aucun paramètre

Multiplicateur de tension

Aucun paramètre

Somme de tensions (Additionneur de tensions)

Aucun paramètre

VSRC (Source de tension)

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Diode Zener

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du Manuel d'utilisation de Ngspice.

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