Simulation Generic Components

.IC (Initial Condition)

Nazwa parametru	Opis
Napięcie początkowe	Amplituda napięcia węzła (w woltach).

.NS (Node Set)

Nazwa parametru	Opis
Napięcie początkowe	Amplituda napięcia węzła (w woltach).

3 Phase Delta (3-Phase Delta Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
FREQ	Częstotliwość (w hercach).
V_RMS	Wartość skuteczna (RMS) napięcia (w woltach).

3 Phase Wye (3-Phase Wye Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
FREQ	Częstotliwość (w hercach).
V_RMS	Wartość skuteczna (RMS) napięcia (w woltach).

3PDT (Triple-Pole, Double-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
nodesUP_closed	Jeśli nodesUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwody w położeniu Up. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwody w położeniu Down.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

3PST (Triple-Pole, Single-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przełącznik zamyka obwody. W przeciwnym razie przełącznik otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

555 (Timer 555)

Brak parametrów

AC Current Source

Nazwa parametru	Opis
Amp	Amplituda szczytowa sinusoidy (w amperach).
DC	Składowa stała (offset DC) prądu generatora sygnału (w amperach).
Freq	Częstotliwość sinusoidalnego prądu wyjściowego (w hercach).
Phase	Przesunięcie fazowe sinusoidy w chwili t=0 (w stopniach).

AC Motor

Nazwa parametru	Opis
J	Moment bezwładności (w kg * m²).
K	Współczynnik sprzężenia.
LR	Indukcyjność rozproszenia wirnika (w henrach).
LS	Indukcyjność rozproszenia stojana (w henrach).
NP	Liczba biegunów.
RR	Rezystancja wirnika (w omach).
RS	Rezystancja stojana (w omach).

AC Voltage Source

Nazwa parametru	Opis
Amp	Amplituda szczytowa sinusoidy (w woltach).
Cpar	Pojemność równoległa (w faradach).
DC	Składowa stała (offset DC) napięcia generatora sygnału (w woltach).
Freq	Częstotliwość sinusoidalnego napięcia wyjściowego (w hercach).
Phase	Przesunięcie fazowe sinusoidy w chwili t=0 (w stopniach).
Rser	Rezystancja szeregowa (w omach).

AM (Amplitude Modulator Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
FC	Częstotliwość nośnej (w hercach).
KA	Czułość amplitudowa.
OFFSET	Składowa stała (offset DC) generatora sygnału (w woltach).
VC	Amplituda nośnej (w woltach).

AtoD (AtoD Bridge)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
in_high_inst	Minimalne analogowe wejście odpowiadające stanowi 1 (w woltach).
in_low_inst	Maksymalne analogowe wejście odpowiadające stanowi 0 (w woltach).
rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).

Battery (Constant Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Pojemność równoległa (w faradach).
DC Magnitude	Wartość napięcia stałego (w woltach).
RSER	Rezystancja szeregowa (w omach).

BJT NPN 4 GP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 MGP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 VBIC (Bipolar NPN 4 Pins Transistor VBIC Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Ngspice User’s Manual.

BJT NPN VBIC (Bipolar NPN 3 Pins Transistor VBIC Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_GP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_MGP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 GP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 MGP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 VBIC (Bipolar PNP 4 Pins Transistor VBIC Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP GP (Bipolar PNP 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP MGP (Bipolar PNP 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP VBIC (Bipolar PNP 3 Pins Transistor VBIC Model)

Odwołaj się do sekcji 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Bridge Rectifier (Four Diodes Bridge Rectifier)

Odwołaj się do sekcji 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Capacitor

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Równoważna pojemność równoległa (w faradach).
LSER	Równoważna indukcyjność szeregowa (w henrach).
RLSHUNT	Rezystancja bocznikująca równolegle do LSER (w omach).
RPAR	Równoważna rezystancja równoległa (w omach).
RSER	Równoważna rezystancja szeregowa (w omach).
TEMP	Temperatura pracy elementu (w °C).
Value	Wartość pojemności (w faradach).

Obwód zastępczy kondensatora.

CCCS (Current Controlled Current Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Wzmocnienie prądowe.
Nazwa źródła napięcia	Nazwa źródła napięcia, przez które płynie prąd sterujący.

CCCS_4pins (Current Controlled Current Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Wzmocnienie prądowe.

CCCS_Expr (Current Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

CCCS_Poly (Current Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Nazwa parametru	Opis
Coefficients List	Współczynniki wielomianu.
Order	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba źródeł sterujących musi być równa liczbie wymiarów.
Voltage Source Names	Sterujące źródła napięcia. Zmienną sterującą jest prąd płynący przez te źródła.

CCCS_Table (Current Controlled Current Source with Table function)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie dostarczające wartość x, która służy do wyznaczenia odpowiadającej jej wartości y na podstawie tabelarycznych par wartości, z użyciem interpolacji liniowej.
Table	Pary wartości.

CCSW_Hysteresis (Current Controlled Switch with Hysteresis)

Nazwa parametru	Opis
IH	Prąd histerezy (w amperach).
Initial Condition	Punkt startowy przełącznika: otwarty (OFF) lub zamknięty (ON).
IT	Prąd progowy (w amperach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).

CCSW_Smooth_Trans (Current Controlled Switch with Smooth Transition)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).

CCVS (Current Controlled Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Transrezystancja (w omach).
Nazwa źródła napięcia	Nazwa źródła napięcia, przez które płynie prąd sterujący.

CCVS_4pins (Current Controlled Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Transrezystancja (w omach).

CCVS_Expr (Current Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

CCVS_Poly (Current Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Nazwa parametru	Opis
Coefficients List	Współczynniki wielomianu.
Order	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba źródeł sterujących musi być równa liczbie wymiarów.
Voltage Source Names	Sterujące źródła napięcia. Zmienną sterującą jest prąd płynący przez te źródła.

CCVS_Table (Current Controlled Voltage Source with Table function)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie dostarczające wartość x, która służy do wyznaczenia odpowiadającej jej wartości y na podstawie tabelarycznych par wartości, z użyciem interpolacji liniowej.
Table	Pary wartości.

Comparator (Ideal Comparator)

Nazwa parametru	Opis
VHIGH	Górny limit wyjścia (w woltach).
VHYS	Szerokość histerezy (w woltach).
VLOW	Dolny limit wyjścia (w woltach).

Coupled Inductors (Pair of Coupled Inductors)

Nazwa parametru	Opis
Coupling_Factor	Współczynnik sprzężenia; musi być większy od 0 i mniejszy lub równy 1.
L1	Indukcyjność 1. oddzielnej cewki (w henrach).
L2	Indukcyjność 2. oddzielnej cewki (w henrach).

Crystal

Nazwa parametru	Opis
F0	Nominalna częstotliwość wyjściowa kryształu (w hercach).
Q	Współczynnik dobroci równoważnego modelu obwodu elektrycznego kryształu.
R	Rezystancja wykazywana przez kryształ przy częstotliwości rezonansu szeregowego (w omach).

D Flip-Flop

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie od clk (w sekundach).
clk_load_inst	Wartość obciążenia clk (w faradach).
data_load_inst	Wartość obciążenia data (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od reset (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie reset (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od set (w sekundach).
set_load	Wartość obciążenia set (w faradach).

D Latch (Digital D Latch)

Nazwa parametru	Opis
data_delay_inst	Opóźnienie od data (w sekundach).
data_load_inst	Obciążenie data (w faradach).
enable_delay_inst	Opóźnienie od enable (w sekundach).
enable_load_inst	Wartość obciążenia enable (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od RESET (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie resetu (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od sygnału SET (w sekundach).
set_load_inst	Wartość obciążenia SET (w faradach).

Darlington BJT NPN (Darlington NPN Bipolar Transistor)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Darlington BJT PNP (Darlington PNP Bipolar Transistor)

Odwołaj się do sekcji 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

DC Current Source

Nazwa parametru	Opis
DC	Amplituda prądu źródła (w amperach).

DC Motor

Nazwa parametru	Opis
BM	Lepkie tarcie (w N * m / (rad * s)).
JM	Moment bezwładności (w kg * m²).
KE	Stała SEM wstecznej (w V * s / rad).
KT	Stała momentu (w N * m / A).
LA	Indukcyjność twornika (w henrach).
RA	Rezystancja twornika (w omach).
TL	Moment obciążenia (w N * m).

Delay Line

Nazwa parametru	Opis
DELAY	Opóźnienie czasowe (w sekundach).

DIAC (DIAC Thyristor)

Nazwa parametru	Opis
RS	Rezystancja szeregowa (w omach).
VK	Napięcie przebicia (w woltach).

Digital 0 (Digital Zero Generator)

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).

Digital 1 (Digital One Generator)

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).

Digital AND (Digital AND Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital Buff (Digital Buffers)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital Clock

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
adc_in_high_inst	Minimalne analogowe wejście o wartości 1 (w woltach).
adc_in_low_inst	Maksymalne analogowe wejście o wartości 0 (w woltach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).
period	Okres (w sekundach).
phase	Faza sygnału impulsowego (w stopniach).
pwidth	Szerokość impulsu (w sekundach).
tdelay	Czas opóźnienia (w sekundach).
tfall	Czas opadania (w sekundach).
trise	Czas narastania (w sekundach).
vhigh	Wartość impulsu (w woltach).
vlow	Wartość początkowa (w woltach).

Digital Inverter

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital NAND (Digital NAND Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital NOR (Digital NOR Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital NOT (Digital NOT Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital OR (Digital OR Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital XNOR (Digital XNOR Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Digital XOR (Digital XOR Gate)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną jego wejściami, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną jego wejściami, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).

Diode

Odwołaj się do sekcji 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

DPDT Relay (Double-Pole, Double-Throw Relay)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

DPDT SW (Double-Pole, Double-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
nodesUP_closed	Jeśli nodesUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwody w położeniu górnym. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwody w położeniu dolnym.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

DPST Push Button (Double-Pole, Single-Throw Button)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwody. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

DPST Relay (Double-Pole, Single-Throw Relay)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

DPST SW (Double-Pole, Single-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przełącznik zamyka obwody. W przeciwnym razie przełącznik otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

DtoA (DtoA Bridge)

Nazwa parametru	Opis
input_load_inst	Obciążenie wejścia (w faradach).
out_high_inst	Analogowe wyjście o wartości 1 (w woltach).
out_low_inst	Analogowe wyjście o wartości 0 (w woltach).
out_undef_inst	Analogowe wyjście o wartości niezdefiniowanej (w woltach).
t_fall_inst	Czas opadania 1->0 (w sekundach).
t_rise_inst	Czas narastania 0->1 (w sekundach).

Dual Diode

Odwołaj się do sekcji 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

FSK (Frequency-Shift Keying Modulator)

Nazwa parametru	Opis
NC0	Liczba cykli przebiegu wyjściowego, które wystąpią w czasie trwania pojedynczego bitu zero przebiegu wejściowego.
NC1	Liczba cykli przebiegu wyjściowego, które wystąpią w czasie trwania pojedynczego bitu jeden przebiegu wejściowego.
TB	Czas trwania pojedynczego bitu (w sekundach).
WMAG	Amplituda przebiegu wyjściowego (w woltach).

Function Current Source (Functional Current Source)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

Functional Voltage Source

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

Fuse

Nazwa parametru	Opis
CURRENT	Prąd bezpiecznika (w amperach).
RESISTANCE	Rezystancja wewnętrzna (w omach).

Gyrator

Nazwa parametru	Opis
G	Konduktancja gyracji (w mhos).

Inductor

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Równoważna pojemność równoległa (w faradach).
DTEMP	Różnica temperatury pracy elementu (w °C).
Initial Current	Prąd w chwili t=0 płynący przez cewkę (w amperach).
M	Liczba jednostek połączonych równolegle.
RPAR	Równoważna rezystancja równoległa (w omach).
RSER	Równoważna rezystancja szeregowa (w omach).
TC1	Współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu.
TC2	Współczynnik temperaturowy drugiego rzędu.
TEMP	Temperatura pracy elementu (w °C).
Value	Wartość indukcyjności (w henrach).

Zwróć uwagę, że parametr T_REL_LOCAL nie jest używany w tym komponencie.

Obwód zastępczy cewki.

ISRC (Current Source)

Odwołaj się do Weryfikacja i przygotowanie projektu do symulacji – dodawanie i konfigurowanie źródła symulacji.

JFET N-ch Level1 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Odwołaj się do sekcji 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET N-ch Level2 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Odwołaj się do sekcji 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET P-ch Level1 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Odwołaj się do sekcji 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET P-ch Level2 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Odwołaj się do sekcji 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JK Flip-Flop

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie od clk (w sekundach).
clk_load_inst	Wartość obciążenia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie opadania (w sekundach).
jk_load_inst	Wartości obciążenia J,K (w faradach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od reset (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie reset (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie narastania (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od set (w sekundach).
set_load_inst	Wartość obciążenia set (w faradach).

LED (Light-Emitting Diode)

Odwołaj się do sekcji 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Linear Voltage Regulator (Adjustable) (Positive Adjustable Voltage Regulator)

Brak parametrów

Linear Voltage Regulator (Fixed) (Positive Fixed Voltage regulator)

Nazwa parametru	Opis
Av_feedback	Av*Współczynnik sprzężenia zwrotnego (Av_feedback = 1665 dla Vout = 5 V (domyślnie); Av_feedback = 694 dla Vout = 12 V; Av_feedback = 550 dla Vout = 15 V).
R1_Value	Wartość R1 (w omach) (R1_Value = 1020 dla Vout = 5 V (domyślnie); R1_Value = 2448 dla Vout = 12 V; R1_Value = 3060 dla Vout = 15 V).

MOSFET N-ch Lev1 (N-channel MOS1 MOSFET Shichman and Hodges Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.1 MOS Level 1 i 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (N-channel MOSFET MOS2 Grove-Frohman Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.2 MOS Level 2 i 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (N-channel MOSFET MOS3 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.3 MOS Level 3 i 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (N-channel MOSFET BSIM1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.8 BSIM1 model (level 4) i 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (N-channel MOSFET BSIM2 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.9 BSIM2 model (level 5) i 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (N-channel MOSFET MOS6 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.4 MOS Level 6 i 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (N-channel MOSFET BSIM3v0 v3.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (N-channel MOSFET BSIM3v1 v3.1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (N-channel MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (N-channel MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (N-channel MOSFET MOS9 Model)

Odwołaj się do sekcji 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (N-channel MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (N-channel MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (N-channel MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (N-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (N-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_FD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_DD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (N-channel MOSFET BSIM3SOI_PD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (N-channel MOSFET HISIM2 v2.8.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (N-channel MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (N-channel MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (N-channel Power MOSFET VDMOS Model)

Odwołaj się do sekcji 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (P-channel MOS1 MOSFET Shichman and Hodges Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.1 MOS Level 1 i 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (P-channel MOSFET MOS2 Grove-Frohman Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.2 MOS Level 2 i 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (P-channel MOSFET MOS3 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.3 MOS Level 3 i 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev4 (P-channel MOSFET BSIM1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.8 BSIM1 model (level 4) i 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev5 (P-channel MOSFET BSIM2 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.9 BSIM2 model (level 5) i 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev6 (P-channel MOSFET MOS6 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.4 MOS Level 6 i 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev8 (P-channel MOSFET BSIM3v0 v3.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev8_1 (P-channel MOSFET BSIM3v1 v3.1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev8_2 (P-channel MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev8_3 (P-channel MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev9 (P-channel MOSFET MOS9 Model)

Odwołaj się do sekcji 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev10 (P-channel MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev14 (P-channel MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev14_1 (P-channel MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev14_2 (P-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev14_3 (P-channel MOSFET BSIM4v8 v4.8.1 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev55 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_FD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev56 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_DD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev57 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_PD Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev68 (P-channel MOSFET HISIM2 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev73 (P-channel MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch Lev73_1 (P-channel MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 Model)

Odwołaj się do sekcji 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Ngspice User’s Manual.

MOSFET P-ch VDMOS (P-channel Power MOSFET VDMOS Model)

Odwołaj się do sekcji 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) w Ngspice User’s Manual.

Mutual Inductance (Mutual Inductance with List of inductors)

Nazwa parametru	Opis
Współczynnik sprzężenia	Współczynnik sprzężenia.
Lista cewek	Nazwy sprzężonych cewek.

OpAmp (Ideal Operational Amplifier)

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

OpAmp with power terminals (Ideal Operational Amplifier)

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

Pentode

Nazwa parametru	Opis
CCG	Pojemność wejściowa (siatka 1 do katody) (w faradach).
CCP	Pojemność wyjściowa (anoda do katody) (w faradach).
CPG1	Pojemność Millera (siatka 1 do anody) (w faradach).
EX	Wykładnik.
KG1	Parametr odwrotnie proporcjonalny do całkowitego prądu anody.
KG2	Odwrotna czułość prądu siatki ekranującej.
KP	Parametr wpływający na prądy anody przy dużych napięciach anody i dużych ujemnych napięciach siatki.
KVB	Parametry „kolana” (w woltach).
MU	Współczynnik wzmocnienia.
RGI	Rezystancja siatka–katoda (w omach).
VCT	Potencjał kontaktowy (w woltach).

Photodiode

Nazwa parametru	Opis
BV	Wsteczne napięcie przebicia (w woltach).
CJO	Pojemność złącza przy zerowym polaryzowaniu (w faradach).
IS	Prąd nasycenia (w amperach)
N	Współczynnik emisji.
RESP	Czułość (w A/W).
Rint	Rezystancja wewnętrzna (w omach).

PID Controller

Nazwa parametru	Opis
KD	Wartość skali członu różniczkującego.
KI	Wartość skali członu całkującego.
KP	Wartość skali członu proporcjonalnego.

Potentiometer

Nazwa parametru	Opis
position	Położenie suwaka wzdłuż ścieżki rezystora. Wartość może mieścić się w zakresie od 0 (skrajnie w lewo/przeciwnie do ruchu wskazówek zegara) do 1 (skrajnie w prawo/zgodnie z ruchem wskazówek zegara), gdzie 0,5 oznacza punkt pośredni, z jednakową rezystancją po obu stronach.
value	Maksymalna wartość rezystancji (w omach).

PSK (Phase-Shift Keying Modulator)

Nazwa parametru	Opis
NC	Liczba cykli przebiegu wyjściowego, które wystąpią w czasie trwania jednego bitu przebiegu wejściowego.
TB	Czas trwania pojedynczego bitu (w sekundach).
WMAG	Amplituda przebiegu wyjściowego (w woltach).

PSPICE AND (PSPICE AND logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE AND3 (PSPICE tristate AND logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE BUF (PSPICE digital buffer)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE BUF3 (PSPICE tristate digital buffer)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE INV (PSPICE digital invertor)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE INV3 (PSPICE tristate digital invertor)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NAND (PSPICE NAND logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NAND3 (PSPICE tristate NAND logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu symulator ma użyć dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego symulator ma użyć dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NOR (PSPICE NOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NOR3 (PSPICE tristate NOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NXOR (PSPICE NXOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE NXOR3 (PSPICE tristate NXOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE OR (PSPICE OR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE OR3 (PSPICE tristate OR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE STIM (PSPICE digital stimulus generator)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

signal

Pary czasu i wartości. Pierwsza liczba w każdej parze określa czas (w sekundach) dla nowej wartości (0, 1, X lub Z).

PSPICE XOR (PSPICE XOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

PSPICE XOR3 (PSPICE tristate XOR logic gate)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa, jakiego poziomu modelu podukładu interfejsu ma użyć symulator dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = domyślne dla całego układu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom cyfrowego opóźnienia propagacji, którego ma użyć symulator dla elementu cyfrowego:

0 = domyślne dla całego układu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min/maks)

Push Button NC (Push Button Normally Closed)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwód. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Push Button NO (Push Button Normally Opened)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwód. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

PUT (PUT Thyristor)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach/sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Prąd podtrzymania DC (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas załączenia (w sekundach).
TQ	Czas wyłączenia (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie w stanie przewodzenia anoda–katoda (w woltach).

PWM (Pulse Width Modulation Generator)

Nazwa parametru	Opis
MODFREQ	Częstotliwość przebiegu modulującego (w hercach).
MODHIGH	Wartość wysokiego napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
MODLOW	Wartość niskiego napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
PWMHIGH	Wartość wysokiego napięcia wyjścia PWM (w woltach).
PWMLOW	Wartość niskiego napięcia wyjścia PWM (w woltach).

PWM Generator (Pulse Width Modulation Generator)

Nazwa parametru	Opis
MODFREQ	Częstotliwość przebiegu modulującego (w hercach).
MODHIGH	Wartość wysokiego napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
MODLOW	Wartość niskiego napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
PWMHIGH	Wartość wysokiego napięcia wyjścia PWM (w woltach).
PWMLOW	Wartość niskiego napięcia wyjścia PWM (w woltach).

QAM (Quadrature Amplitude Modulation Generator)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość nośnej (w hercach).

Resistor

Nazwa parametru	Opis
DTEMP	Różnica temperatury pracy elementu (w °C).
TC	Lista współczynników wielomianu (oddzielonych przecinkami) definiujących zależność rezystancji od temperatury. Na przykład, gdy podane są cztery współczynniki wielomianu (`a, b, c, d`), rezystancja `R` będzie wynosić: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, gdzie `R0` to rezystancja w temperaturze nominalnej, a `dt` to różnica między temperaturą rezystora a temperaturą nominalną. Zwróć uwagę, że po zdefiniowaniu parametry `TC1` i `TC2` zastępują parametr `TC`. Aby użyć parametru `TC`, wyczyść wartości `TC1` i `TC2`.
TC1	Współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu.
TC2	Współczynnik temperaturowy drugiego rzędu.
TEMP	Temperatura pracy elementu (w °C).
Value	Wartość rezystancji (w omach).

Uwaga: parametr T_REL_LOCAL nie jest używany w tym komponencie.

Resonator

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
Lin	Wartość indukcyjności (w henrach).
Q0	Współczynnik dobroci.

SCR (SCR Thyristor)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach/sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Prąd podtrzymania DC (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas załączenia (w sekundach).
TQ	Czas wyłączenia (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie w stanie przewodzenia anoda–katoda (w woltach).

Schottky Diode

Odwołaj się do sekcji 7.1 Junction Diodes w Ngspice User’s Manual.

Snubber

Nazwa parametru	Opis
CSNUB	Wartość pojemności równoległej (w faradach).
RSNUB	Wartość rezystancji równoległej (w omach).

Sparkgap (Spark Gap)

Nazwa parametru	Opis
CARC	Pojemność łuku (w faradach).
CPAR	Pojemność szczeliny (w faradach).
ISUS	Prąd podtrzymania, poniżej którego łuk gaśnie (w amperach).
LPL	Indukcyjność wyprowadzeń (w henrach).
RNEG	Rezystancja ujemna po zaiskrzeniu (w omach).
RPL	Straty strumienia związane z LPL (w omach).
VARC	Napięcie na iskierniku po zaiskrzeniu (w woltach).
VTHRES	Napięcie, przy którym następuje zaiskrzenie w iskierniku (w woltach).

SPDT Relay (Single-Pole, Double-Throw Relay)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

SPDT SW (Single-Pole, Double-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
nodeUP_closed	Jeśli nodeUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwód w położeniu Up. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwód w położeniu Down.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

SPST Relay NC (Single-Pole, Single-Throw Normally Closed Relay)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

SPST Relay NO (Single-Pole, Single-Throw Normally Opened Relay)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu OFF (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu ON (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

SPST SW (Single-Pole, Single-Throw Switch)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przełącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie przełącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

SR Flip-Flop

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie od sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Wartość obciążenia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od sygnału set (w sekundach).
set_load_inst	Wartość obciążenia set (w faradach).
sr_load_inst	Obciążenia set/reset (w faradach).

SR Latch (Digital SR Latch)

Nazwa parametru	Opis
enable_delay_inst	Opóźnienie od sygnału enable (w sekundach).
enable_load_inst	Wartość obciążenia enable (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od sygnału RESET (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od sygnału SET (w sekundach).
set_load_inst	Wartość obciążenia set (w faradach).
sr_delay_inst	Opóźnienie od zmiany wejścia s lub r (w sekundach).
sr_load_inst	Obciążenia wejść s i r (w faradach).

Stepper Motor

Nazwa parametru	Opis
HARDNESS	Bezwymiarowy współczynnik określający twardość ogranicznika.
JLOAD	Moment bezwładności obrotowej wału silnika (w kg * m²).
JMOTOR	Moment bezwładności obrotowej obciążenia silnika (w kg * m²).
K	Stała silnika (w V * s / rad).
KD	Moment tłumiący (w N * m / (rad * s)).
LIMIT	Pozycja twardego ogranicznika (w radianach).
LS	Indukcyjność uzwojenia stojana (w henrach).
RS	Rezystancja uzwojenia stojana (w omach).
STEP_ANGLE	Szerokość kątowa jednego pełnego kroku (w stopniach).
TD	Moment detent (w N * m).
TLOAD	Moment obciążenia (w N * m).

Suppressor Dual

Patrz sekcja 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Suppressor Single

Patrz sekcja 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

SW NC (Switch Normally Closed)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przełącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie przełącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

SW NO (Switch Normally Opened)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przełącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie przełącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Switching Capacitor

Nazwa parametru	Opis
CVALUE	Wartość pojemności (w faradach).
FSAMPLE	Częstotliwość przełączania (w hercach).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).

T Flip-Flop (Digital T Flip-Flop)

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie od sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Wartość obciążenia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrowe zero (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie od sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Obciążenie reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia pomiędzy zmianą stanu wewnętrznego modelu, wymuszoną przez jego wejścia, a zmianą wyjścia na cyfrową jedynkę (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie od sygnału set (w sekundach).
set_load_inst	Wartość obciążenia set (w faradach).
t_load_inst	Wartość obciążenia toggle (w faradach).

Tetrode

Nazwa parametru	Opis
CCG	Pojemność wejściowa (siatka 1 do katody) (w faradach).
CCP	Pojemność wyjściowa (anoda do katody) (w faradach).
CPG1	Pojemność Millera (siatka 1 do anody) (w faradach).
EX	Wykładnik.
KG1	Parametr odwrotnie proporcjonalny do całkowitego prądu anody.
KG2	Odwrotna czułość prądu siatki ekranującej.
KP	Parametr wpływający na prądy anody dla dużych napięć anody i dużych ujemnych napięć siatki.
KVB	Parametry „kolana” (w woltach).
MU	Współczynnik wzmocnienia.
RGI	Rezystancja siatka–katoda (w omach).

Time Controlled SW (Time Controlled Switch)

Nazwa parametru	Opis
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).
tSwitch	Czas, w którym przełącznik zaczyna przełączanie (w sekundach).
ttran	Czas wymagany do przełączenia stanu (w sekundach). Ta wartość musi być realistyczna, nie może wynosić 0.

TL Lossless (Lossless Transmission Line)

Nazwa parametru	Opis
Char. Impedance	Impedancja charakterystyczna (w omach).
Frequency	Częstotliwość (w hercach).
Initial Current 1	Prąd w chwili t=0 na porcie 1 linii transmisyjnej (w amperach).
Initial Current 2	Prąd w chwili t=0 na porcie 2 linii transmisyjnej (w amperach).
Initial Voltage 1	Napięcie w chwili t=0 na porcie 1 linii transmisyjnej (w woltach).
Initial Voltage 2	Napięcie w chwili t=0 na porcie 2 linii transmisyjnej (w woltach).
Normalised Length	Znormalizowana długość elektryczna linii transmisyjnej względem długości fali w linii, dla podanej częstotliwości.
Transmission Delay	Opóźnienie transmisji (w sekundach).

Transformer Ideal (Ideal Transformer)

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

Transformer Wideband (Wideband Transformer)

Nazwa parametru	Opis
FH	Górna częstotliwość załamania (w hercach).
FL	Dolna częstotliwość załamania (w hercach).
N	Liczba zwojów.
RS	Rezystancja szeregowa uzwojenia pierwotnego (w omach).

Transformer With Central Tap Ideal (Ideal Transformer With Central Tap)

Nazwa parametru	Opis
L1	Indukcyjność uzwojenia pierwotnego (w henrach).
L2	Indukcyjność wtórna 1 (w henrach).
L3	Indukcyjność wtórna 2 (w henrach).

TRIAC (TRIAC Thyristor)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach/sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Prąd podtrzymania DC (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas załączenia (w sekundach).
TQ	Czas wyłączenia (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie w stanie przewodzenia anoda–katoda (w woltach).

Triode

Nazwa parametru	Opis
CGC	Pojemność siatka–katoda (w faradach).
CGP	Pojemność siatka–anoda (w faradach).
CPC	Pojemność anoda–katoda (w faradach).
K	Stała lampy k.
MU	Stała lampy mu.

Varactor

Patrz sekcja 7.1 Junction Diodes w Ngspice User’s Manual.

VCCS (Voltage Controlled Current Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Transkonduktancja (w mho).

VCCS_Expr (Voltage Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

VCCS_Poly (Voltage Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Nazwa parametru	Opis
Coefficients List	Współczynniki wielomianu.
Node Names	Zestaw napięć sterujących.
Order	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba par węzłów sterujących musi być równa liczbie wymiarów.

VCCS_Table (Voltage Controlled Current Source with Table function)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie dostarczające wartość x, która służy do wygenerowania odpowiadającej jej wartości y na podstawie tabelarycznych par wartości, z użyciem interpolacji liniowej.
Table	Pary wartości.

VCO (Voltage Controlled Oscillator)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
KF	Czułość (w Hz/V).
VP	Amplituda (w woltach).

VCO Square (Voltage Controlled Square Wave Oscillator)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
KF	Czułość (w Hz/V).
VH	Szczytowa wartość stanu wysokiego na wyjściu (w woltach).
VL	Szczytowa wartość stanu niskiego na wyjściu (w woltach).

VCSW_Hysteresis (Voltage Controlled Switch with Hysteresis)

Nazwa parametru	Opis
Initial Condition	Punkt startowy przełącznika: otwarty (OFF) lub zamknięty (ON).
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
VH	Napięcie histerezy (w woltach).
VT	Napięcie progowe (w woltach).

VCSW_Smooth_Trans (Voltage Controlled Switch with Smooth Transition)

Nazwa parametru	Opis
ROFF	Rezystancja w stanie OFF (w omach).
RON	Rezystancja w stanie ON (w omach).
VOFF	Napięcie sterujące dla stanu OFF (w woltach).
VON	Napięcie sterujące dla stanu ON (w woltach).

VCVS (Voltage Controlled Voltage Source)

Nazwa parametru	Opis
Gain	Wzmocnienie napięciowe.

VCVS_Expr (Voltage Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

VCVS_Poly (Voltage Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Nazwa parametru	Opis
Coefficients List	Współczynniki wielomianu.
Node Names	Zestaw napięć sterujących.
Order	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba par węzłów sterujących musi być równa liczbie wymiarów.

VCVS_Table (Voltage Controlled Voltage Source with Table function)

Nazwa parametru	Opis
Expression	Wyrażenie dostarczające wartość x, która służy do wygenerowania odpowiadającej jej wartości y na podstawie tabelarycznych par wartości, z użyciem interpolacji liniowej.
Table	Pary wartości.