Simulation Generic Components

Updated: Październik 12, 2026

W skrócie

Ten artykuł zawiera praktyczny przegląd biblioteki Simulation Generic Components w Altium Designer. Pokazuje, gdzie znaleźć ją w panelu Components, jak sterować jej widocznością w ustawieniach Preferences oraz jak edytować parametry umieszczonych komponentów w panelu Properties. Stanowi również źródło informacji o szerokiej gamie dostępnych elementów gotowych do symulacji — od elementów pasywnych i źródeł po przełączniki, silniki, mostki cyfrowe i modele półprzewodnikowe — wraz z parametrami używanymi do konfiguracji symulacji. Jeśli chcesz lepiej poznać dostępne komponenty i sposób ich konfigurowania na schemacie, czytaj dalej i usprawnij swoją pracę z symulacjami.

- Dowiesz się, gdzie znaleźć bibliotekę Simulation Generic Components oraz jak włączyć lub ukryć ją w Altium Designer.
- Zobaczysz, jak konfigurować uniwersalne komponenty symulacyjne po umieszczeniu ich na schemacie, w tym gdzie edytować ich parametry w panelu Properties.
- Otrzymasz szczegółowy przegląd dostępnych elementów gotowych do symulacji oraz parametrów określających ich zachowanie.

Zagłęb się w temat dzięki AI:

Biblioteka Simulation Generic Components jest dostępna w panelu Components i zapewnia dostęp do różnych komponentów gotowych do symulacji — od elementów pasywnych RLC, przez dyskretne elementy półprzewodnikowe, po komponenty cyfrowe w różnych formatach.

Użyj opcji Enable Simulation Generic Components Library na stronie Symulacja – Ogólne okna dialogowego Preferences, aby sterować widocznością biblioteki w panelu Components.
Więcej informacji o dostępnych opcjach umieszczania komponentów gotowych do symulacji w Altium Designer znajdziesz na stronie Weryfikacja i przygotowanie projektu do symulacji.

Po umieszczeniu komponentu z biblioteki Simulation Generic Components na schemacie zaznacz go, aby uzyskać dostęp do jego właściwości w panelu Properties w trybie Simulation Generic Component. Panel zawiera sekcję Parameters, w której można określić wartości parametrów komponentu.

Zaznacz umieszczony uniwersalny komponent symulacyjny, aby zdefiniować jego parametry w panelu Properties.

Uniwersalne komponenty symulacyjne

W poniższych sekcjach znajdziesz informacje o parametrach komponentów z biblioteki Simulation Generic Components.

.IC (Warunek początkowy)

Nazwa parametru	Opis
Napięcie początkowe	Amplituda napięcia węzła (w woltach).

.NS (Ustawienie napięcia węzła)

Nazwa parametru	Opis
Napięcie początkowe	Amplituda napięcia węzła (w woltach).

3 Phase Delta (Trójfazowe źródło napięcia połączone w trójkąt)

Nazwa parametru	Opis
FREQ	Częstotliwość (w hercach).
V_RMS	Wartość skuteczna (RMS) napięcia (w woltach).

3 Phase Wye (Trójfazowe źródło napięcia połączone w gwiazdę)

Nazwa parametru	Opis
FREQ	Częstotliwość (w hercach).
V_RMS	Wartość skuteczna (RMS) napięcia (w woltach).

3PDT (Przełącznik trójbiegunowy dwupozycyjny)

Nazwa parametru	Opis
nodesUP_closed	Jeśli nodesUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwody w pozycji górnej. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwody w pozycji dolnej.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

3PST (Łącznik trójbiegunowy jednopozycyjny)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, łącznik zamyka obwody. W przeciwnym razie łącznik otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

555 (Układ czasowy 555)

Brak parametrów

Źródło prądu przemiennego

Nazwa parametru	Opis
Amp	Amplituda szczytowa sinusoidy (w amperach).
DC	Składowa stała prądu generatora sygnału (w amperach).
Freq	Częstotliwość sinusoidalnego prądu wyjściowego (w hercach).
Phase	Przesunięcie fazowe sinusoidy w chwili zerowej (w stopniach).

Silnik prądu przemiennego

Nazwa parametru	Opis
J	Moment bezwładności (w kg * m²).
K	Współczynnik sprzężenia.
LR	Indukcyjność rozproszenia wirnika (w henrach).
LS	Indukcyjność rozproszenia stojana (w henrach).
NP	Liczba biegunów.
RR	Rezystancja wirnika (w omach).
RS	Rezystancja stojana (w omach).

Źródło napięcia przemiennego

Nazwa parametru	Opis
Amp	Amplituda szczytowa sinusoidy (w woltach).
Cpar	Pojemność równoległa (w faradach).
DC	Składowa stała napięcia generatora sygnału (w woltach).
Freq	Częstotliwość sinusoidalnego napięcia wyjściowego (w hercach).
Phase	Przesunięcie fazowe sinusoidy w chwili zerowej (w stopniach).
Rser	Rezystancja szeregowa (w omach).

AM (Źródło napięcia z modulacją amplitudy)

Nazwa parametru	Opis
FC	Częstotliwość nośna (w hercach).
KA	Czułość amplitudowa.
OFFSET	Składowa stała generatora sygnału (w woltach).
VC	Amplituda nośnej (w woltach).

AtoD (Mostek analogowo-cyfrowy)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
in_high_inst	Minimalne napięcie wejścia analogowego odpowiadające wartości 1 (w woltach).
in_low_inst	Maksymalne napięcie wejścia analogowego odpowiadające wartości 0 (w woltach).
rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).

Bateria (Źródło napięcia stałego)

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Pojemność równoległa (w faradach).
Wartość DC	Wartość napięcia stałego (w woltach).
RSER	Rezystancja szeregowa (w omach).

BJT NPN 4 GP (Tranzystor bipolarny NPN z 4 wyprowadzeniami, model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT NPN 4 MGP (tranzystor bipolarny NPN z 4 wyprowadzeniami, zmodyfikowany model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT NPN 4 VBIC (tranzystor bipolarny NPN z 4 wyprowadzeniami, model VBIC)

Zobacz sekcje 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT NPN VBIC (tranzystor bipolarny NPN z 3 wyprowadzeniami, model VBIC)

Zobacz sekcje 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT NPN_GP (tranzystor bipolarny NPN z 3 wyprowadzeniami, model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT NPN_MGP (tranzystor bipolarny NPN z 3 wyprowadzeniami, zmodyfikowany model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP 4 GP (tranzystor bipolarny PNP z 4 wyprowadzeniami, model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP 4 MGP (tranzystor bipolarny PNP z 4 wyprowadzeniami, zmodyfikowany model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP 4 VBIC (tranzystor bipolarny PNP z 4 wyprowadzeniami, model VBIC)

Zobacz sekcje 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP GP (tranzystor bipolarny PNP z 3 wyprowadzeniami, model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP MGP (tranzystor bipolarny PNP z 3 wyprowadzeniami, zmodyfikowany model Gummela-Poona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

BJT PNP VBIC (tranzystor bipolarny PNP z 3 wyprowadzeniami, model VBIC)

Zobacz sekcje 8.2.2 VBIC Model i 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Mostek prostowniczy (czterodiodowy mostek prostowniczy)

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Kondensator

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Zastępcza pojemność równoległa (w faradach).
LSER	Zastępcza indukcyjność szeregowa (w henrach).
RLSHUNT	Rezystancja bocznikująca LSER (w omach).
RPAR	Zastępcza rezystancja równoległa (w omach).
RSER	Zastępcza rezystancja szeregowa (w omach).
TEMP	Temperatura pracy elementu (w °C).
Wartość	Wartość pojemności (w faradach).

Schemat zastępczy kondensatora.

CCCS (źródło prądowe sterowane prądem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Wzmocnienie prądowe.
Nazwa źródła napięciowego	Nazwa źródła napięciowego, przez które płynie prąd sterujący.

CCCS_4pins (źródło prądowe sterowane prądem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Wzmocnienie prądowe.

CCCS_Expr (źródło prądowe sterowane prądem z dowolnym wyrażeniem)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

CCCS_Poly (źródło prądowe sterowane prądem z funkcją POLY programu SPICE)

Nazwa parametru	Opis
Lista współczynników	Współczynniki wielomianu.
Rząd	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba źródeł sterujących musi być równa liczbie wymiarów.
Nazwy źródeł napięciowych	Sterujące źródła napięciowe. Zmienną sterującą jest prąd płynący przez te źródła.

CCCS_Table (źródło prądowe sterowane prądem z funkcją tabelaryczną)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie zwracające wartość x, która służy do wyznaczenia odpowiadającej jej wartości y na podstawie par wartości zapisanych w tabeli, z użyciem interpolacji liniowej.
Tabela	Pary wartości.

CCSW_Hysteresis (przełącznik sterowany prądem z histerezą)

Nazwa parametru	Opis
IH	Prąd histerezy (w amperach).
Warunek początkowy	Stan początkowy przełącznika: otwarty (OFF) lub zamknięty (ON).
IT	Prąd progowy (w amperach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).

CCSW_Smooth_Trans (Przełącznik sterowany prądem z płynnym przejściem)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu włączenia (w amperach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).

CCVS (Źródło napięcia sterowane prądem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Transrezystancja (w omach).
Nazwa źródła napięcia	Nazwa źródła napięcia, przez które przepływa prąd sterujący.

CCVS_4pins (Źródło napięcia sterowane prądem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Transrezystancja (w omach).

CCVS_Expr (Źródło napięcia sterowane prądem z dowolnym wyrażeniem)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

CCVS_Poly (Źródło napięcia sterowane prądem z funkcją POLY programu SPICE)

Nazwa parametru	Opis
Lista współczynników	Współczynniki wielomianu.
Rząd	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba źródeł sterujących musi być równa liczbie wymiarów.
Nazwy źródeł napięcia	Sterujące źródła napięcia. Zmienną sterującą jest prąd przepływający przez te źródła.

CCVS_Table (Źródło napięcia sterowane prądem z funkcją tabelaryczną)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie zwracające wartość x, która służy do wyznaczenia odpowiadającej jej wartości y na podstawie par wartości w tabeli, z wykorzystaniem interpolacji liniowej.
Tabela	Pary wartości.

Komparator (Komparator idealny)

Nazwa parametru	Opis
VHIGH	Górna granica napięcia wyjściowego (w woltach).
VHYS	Szerokość histerezy (w woltach).
VLOW	Dolna granica napięcia wyjściowego (w woltach).

Cewki sprzężone (Para cewek sprzężonych)

Nazwa parametru	Opis
Coupling_Factor	Współczynnik sprzężenia; musi być większy od 0 i mniejszy lub równy 1.
L1	Indukcyjność pierwszej cewki dyskretnej (w henrach).
L2	Indukcyjność drugiej cewki dyskretnej (w henrach).

Rezonator kwarcowy

Nazwa parametru	Opis
F0	Nominalna częstotliwość wyjściowa rezonatora kwarcowego (w hercach).
Q	Dobroć zastępczego modelu obwodowego rezonatora kwarcowego.
R	Rezystancja rezonatora kwarcowego przy częstotliwości rezonansu szeregowego (w omach).

Przerzutnik D

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia clk (w faradach).
data_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia danych (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału set (w sekundach).
set_load	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).

Zatrzask D (Cyfrowy zatrzask D)

Nazwa parametru	Opis
data_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału danych (w sekundach).
data_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia danych (w faradach).
enable_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału enable (w sekundach).
enable_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia enable (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału RESET (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału SET (w sekundach).
set_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).

Darlington BJT NPN (Bipolarny tranzystor NPN w układzie Darlingtona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Darlington BJT PNP (Bipolarny tranzystor PNP w układzie Darlingtona)

Zobacz sekcje 8.2.1 Gummel-Poon Models i 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Źródło prądu stałego

Nazwa parametru	Opis
DC	Amplituda prądu źródła (w amperach).

Silnik prądu stałego

Nazwa parametru	Opis
BM	Tarcie lepkie (w N * m / (rad * s)).
JM	Moment bezwładności (w kg * m²).
KE	Stała siły przeciwelektromotorycznej (w V * s / rad).
KT	Stała momentu obrotowego (w N * m / A).
LA	Indukcyjność twornika (w henrach).
RA	Rezystancja twornika (w omach).
TL	Moment obciążenia (w N * m).

Linia opóźniająca

Nazwa parametru	Opis
DELAY	Opóźnienie czasowe (w sekundach).

DIAC (tyrystor DIAC)

Nazwa parametru	Opis
RS	Rezystancja szeregowa (w omach).
VK	Napięcie przebicia (w woltach).

Cyfrowe 0 (generator zera logicznego)

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).

Cyfrowe 1 (generator jedynki logicznej)

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).

Cyfrowa bramka AND

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Bufory cyfrowe

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Zegar cyfrowy

Nazwa parametru	Opis
adc_fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
adc_in_high_inst	Minimalne napięcie wejściowe sygnału analogowego odpowiadające jedynce logicznej (w woltach).
adc_in_low_inst	Maksymalne napięcie wejściowe sygnału analogowego odpowiadające zeru logicznemu (w woltach).
adc_rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).
period	Okres (w sekundach).
phase	Faza sygnału impulsowego (w stopniach).
pwidth	Szerokość impulsu (w sekundach).
tdelay	Czas opóźnienia (w sekundach).
tfall	Czas opadania (w sekundach).
trise	Czas narastania (w sekundach).
vhigh	Wartość napięcia podczas impulsu (w woltach).
vlow	Wartość początkowa (w woltach).

Inwerter cyfrowy

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka NAND

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka NOR

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka NOT

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka OR

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka XNOR

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Cyfrowa bramka XOR (Digital XOR)

Nazwa parametru	Opis
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
input_load_inst	Pojemność jednego lub wszystkich wejść cyfrowych (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).

Dioda

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Przekaźnik DPDT (dwubiegunowy przekaźnik przełączny)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu włączenia (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

Przełącznik DPDT (dwubiegunowy przełącznik dwupozycyjny)

Nazwa parametru	Opis
nodesUP_closed	Jeśli nodesUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwody w położeniu górnym. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwody w położeniu dolnym.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Przycisk DPST (przycisk dwubiegunowy jednokierunkowy)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwody. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Przekaźnik DPST (przekaźnik dwubiegunowy jednokierunkowy)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu włączenia (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

Łącznik DPST (łącznik dwubiegunowy jednokierunkowy)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, łącznik zamyka obwody. W przeciwnym razie łącznik otwiera obwody.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

DtoA (mostek cyfrowo-analogowy)

Nazwa parametru	Opis
input_load_inst	Obciążenie wejściowe (w faradach).
out_high_inst	Napięcie wyjścia analogowego odpowiadające wartości 1 (w woltach).
out_low_inst	Napięcie wyjścia analogowego odpowiadające wartości 0 (w woltach).
out_undef_inst	Napięcie wyjścia analogowego odpowiadające wartości nieokreślonej (w woltach).
t_fall_inst	Czas opadania 1->0 (w sekundach).
t_rise_inst	Czas narastania 0->1 (w sekundach).

Dioda podwójna

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

FSK (modulator z kluczowaniem częstotliwości)

Nazwa parametru	Opis
NC0	Liczba cykli przebiegu wyjściowego przypadających na czas trwania pojedynczego bitu o wartości zero w przebiegu wejściowym.
NC1	Liczba cykli przebiegu wyjściowego przypadających na czas trwania pojedynczego bitu o wartości jeden w przebiegu wejściowym.
TB	Czas trwania pojedynczego bitu (w sekundach).
WMAG	Amplituda przebiegu wyjściowego (w woltach).

Funkcyjne źródło prądowe

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

Funkcyjne źródło napięciowe

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

Bezpiecznik

Nazwa parametru	Opis
CURRENT	Prąd bezpiecznika (w amperach).
RESISTANCE	Rezystancja wewnętrzna (w omach).

Żyrator

Nazwa parametru	Opis
G	Konduktancja żyracji (w simensach).

Cewka indukcyjna

Nazwa parametru	Opis
CPAR	Zastępcza pojemność równoległa (w faradach).
DTEMP	Różnica temperatury pracy elementu (w °C).
Prąd początkowy	Prąd płynący przez cewkę w chwili zerowej (w amperach).
M	Liczba jednostek połączonych równolegle.
RPAR	Zastępcza rezystancja równoległa (w omach).
RSER	Zastępcza rezystancja szeregowa (w omach).
TC1	Współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu.
TC2	Współczynnik temperaturowy drugiego rzędu.
TEMP	Temperatura pracy komponentu (w °C).
Value	Wartość indukcyjności (w henrach).

Należy pamiętać, że parametr T_REL_LOCAL nie jest używany w tym komponencie.

Schemat zastępczy cewki.

ISRC (Źródło prądowe)

Zobacz Weryfikacja i przygotowanie projektu do symulacji – Dodawanie i konfigurowanie źródła symulacyjnego.

JFET N-ch Level1 (Tranzystor polowy złączowy z kanałem N, poziom 1)

Zobacz sekcję 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET N-ch Level2 (Tranzystor polowy złączowy z kanałem N, poziom 2)

Zobacz sekcję 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET P-ch Level1 (Tranzystor polowy złączowy z kanałem P, poziom 1)

Zobacz sekcję 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification w Podręczniku użytkownika Ngspice.

JFET P-ch Level2 (Tranzystor polowy złączowy z kanałem P, poziom 2)

Zobacz sekcję 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Przerzutnik JK

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Opóźnienie zbocza opadającego (w sekundach).
jk_load_inst	Pojemności obciążenia wejść J, K (w faradach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Opóźnienie zbocza narastającego (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału set (w sekundach).
set_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).

LED (Dioda elektroluminescencyjna)

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Liniowy stabilizator napięcia (regulowany) (Stabilizator dodatniego napięcia regulowanego)

Brak parametrów

Liniowy stabilizator napięcia (stały) (Stabilizator dodatniego napięcia stałego)

Nazwa parametru	Opis
Av_feedback	Av*współczynnik sprzężenia zwrotnego (Av_feedback = 1665 dla Vout = 5V (domyślnie); Av_feedback = 694 dla Vout = 12V; Av_feedback = 550 dla Vout = 15V).
R1_Value	Wartość R1 (w omach) (R1_Value = 1020 dla Vout = 5V (domyślnie); R1_Value = 2448 dla Vout = 12V; R1_Value = 3060 dla Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model MOS1 Shichmana i Hodgesa)

Zobacz sekcje 11.2.1 MOS Level 1 i 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model MOS2 Grove’a-Frohmana)

Zobacz sekcje 11.2.2 MOS Level 2 i 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model MOS3)

Zobacz sekcje 11.2.3 MOS Level 3 i 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model BSIM1)

Zobacz sekcje 11.2.8 BSIM1 model (level 4) i 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model BSIM2)

Zobacz sekcje 11.2.9 BSIM2 model (level 5) i 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model MOS6)

Zobacz sekcje 11.2.4 MOS Level 6 i 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model BSIM3v0 v3.0)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model BSIM3v1 v3.1)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (Tranzystor MOSFET z kanałem N, model BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (model BSIM3v3 v3.3.0 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (model MOS9 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (model BSIM4SOI v4.3.1 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (model BSIM4v5 v4.0 - 4.5 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (model BSIM4v6 v4.6.5 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (model BSIM4v7 v4.7.0 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (model BSIM4v7 v4.7.0 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (model BSIM3SOI_FD tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (model BSIM3SOI_DD tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (model BSIM3SOI_PD tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (model HISIM2 v2.8.0 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (model HISIM_HV1 v1.2.4 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (model HISIM_HV2 v2.2.0 tranzystora MOSFET z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (model VDMOS tranzystora MOSFET mocy z kanałem N)

Zobacz sekcję 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (model Shichmana i Hodgesa MOS1 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.1 MOS Level 1 i 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (model Grove’a-Frohmana MOS2 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.2 MOS Level 2 i 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (model MOS3 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.3 MOS Level 3 i 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (model BSIM1 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.8 BSIM1 model (level 4) i 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (model BSIM2 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.9 BSIM2 model (level 5) i 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (model MOS6 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.4 MOS Level 6 i 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (model BSIM3v0 v3.0 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w Podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (model BSIM3v1 v3.1 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (model BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (model BSIM3v3 v3.3.0 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) i 31.6.8 BSIM3 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (model MOS9 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (model BSIM4SOI v4.3.1 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (model BSIM4v5 v4.0 - 4.5 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (model BSIM4v6 v4.6.5 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (model BSIM4v7 v4.7.0 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (model BSIM4v8 v4.8.1 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcje 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) i 31.6.9 BSIM4 w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (model BSIM3SOI_FD tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (model BSIM3SOI_DD tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (model BSIM3SOI_PD tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (model HISIM2 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (model HISIM_HV1 v1.2.4 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (model HISIM_HV2 v2.2.0 tranzystora MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima w podręczniku użytkownika Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (model VDMOS tranzystora mocy MOSFET z kanałem P)

Zobacz sekcję 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) w podręczniku użytkownika Ngspice.

Indukcyjność wzajemna (indukcyjność wzajemna z listą cewek)

Nazwa parametru	Opis
Współczynnik sprzężenia	Współczynnik sprzężenia magnetycznego.
Lista cewek	Nazwy sprzężonych cewek.

OpAmp (idealny wzmacniacz operacyjny)

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

OpAmp z wyprowadzeniami zasilania (idealny wzmacniacz operacyjny)

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

Pentoda

Nazwa parametru	Opis
CCG	Pojemność wejściowa (między siatką 1 a katodą) (w faradach).
CCP	Pojemność wyjściowa (między anodą a katodą) (w faradach).
CPG1	Pojemność Millera (między siatką 1 a anodą) (w faradach).
EX	Wykładnik potęgi.
KG1	Parametr odwrotnie proporcjonalny do całkowitego prądu anody.
KG2	Odwrotność czułości prądu siatki ekranującej.
KP	Parametr wpływający na prądy anody przy dużych napięciach anodowych i dużych ujemnych napięciach siatki.
KVB	Parametry kolana charakterystyki (w woltach).
MU	Współczynnik wzmocnienia.
RGI	Rezystancja między siatką a katodą (w omach).
VCT	Potencjał kontaktowy (w woltach).

Fotodioda

Nazwa parametru	Opis
BV	Napięcie przebicia w kierunku zaporowym (w woltach).
CJO	Pojemność złącza przy zerowej polaryzacji (w faradach).
IS	Prąd nasycenia (w amperach)
N	Współczynnik emisji.
RESP	Czułość (w amperach na wat).
Rint	Rezystancja wewnętrzna (w omach).

Regulator PID

Nazwa parametru	Opis
KD	Współczynnik wzmocnienia członu różniczkującego.
KI	Współczynnik wzmocnienia członu całkującego.
KP	Współczynnik wzmocnienia członu proporcjonalnego.

Potencjometr

Nazwa parametru	Opis
position	Położenie suwaka na ścieżce oporowej. Wartość może mieścić się w zakresie od 0 (skrajne lewe położenie / maksymalny obrót w kierunku przeciwnym do ruchu wskazówek zegara) do 1 (skrajne prawe położenie / maksymalny obrót zgodnie z ruchem wskazówek zegara). Wartość 0,5 oznacza położenie środkowe, przy którym rezystancja po obu stronach jest jednakowa.
value	Maksymalna wartość rezystancji (w omach).

PSK (modulator z kluczowaniem fazy)

Nazwa parametru	Opis
NC	Liczba okresów przebiegu wyjściowego przypadających na czas trwania jednego bitu przebiegu wejściowego.
TB	Czas trwania pojedynczego bitu (w sekundach).
WMAG	Amplituda przebiegu wyjściowego (w woltach).

PSPICE AND (bramka logiczna AND PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa wariant opóźnienia propagacji, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE AND3 (trójstanowa bramka logiczna AND PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa wariant opóźnienia propagacji, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE BUF (bufor cyfrowy PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa wariant opóźnienia propagacji, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE BUF3 (trójstanowy bufor cyfrowy PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa wariant opóźnienia propagacji, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE INV (inwerter cyfrowy PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = ustawienie domyślne dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE INV3 (trójstanowy inwerter cyfrowy PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NAND (bramka logiczna NAND PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NAND3 (trójstanowa bramka logiczna NAND PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NOR (bramka logiczna NOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NOR3 (trójstanowa bramka logiczna NOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NXOR (bramka logiczna NXOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji sygnału cyfrowego, który symulator ma stosować dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalne
2 = typowe
3 = maksymalne
4 = najgorszy przypadek (min./maks.)

PSPICE NXOR3 (trójstanowa bramka logiczna NXOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalny
2 = typowy
3 = maksymalny
4 = najgorszy przypadek (min/max)

PSPICE OR (bramka logiczna OR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalny
2 = typowy
3 = maksymalny
4 = najgorszy przypadek (min/max)

PSPICE OR3 (trójstanowa bramka logiczna OR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalny
2 = typowy
3 = maksymalny
4 = najgorszy przypadek (min/max)

PSPICE STIM (generator wymuszeń cyfrowych PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

signal

Pary czasu i wartości. Pierwsza liczba w każdej parze określa czas (w sekundach) ustawienia nowej wartości (0, 1, X lub Z).

PSPICE XOR (bramka logiczna XOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalny
2 = typowy
3 = maksymalny
4 = najgorszy przypadek (min/max)

PSPICE XOR3 (trójstanowa bramka logiczna XOR PSPICE)

Nazwa parametru

Opis

IO_LEVEL

Określa poziom modelu podobwodu interfejsu, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego połączonego z elementem analogowym:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = AtoD1 i DtoA1
2 = AtoD2 i DtoA2
3 = AtoD3 i DtoA3
4 = AtoD4 i DtoA4

MNTYMXDLY

Określa poziom opóźnienia propagacji, którego symulator musi używać dla elementu cyfrowego:

0 = wartość domyślna dla całego obwodu
1 = minimalny
2 = typowy
3 = maksymalny
4 = najgorszy przypadek (min/max)

Przycisk NC (przycisk normalnie zwarty)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwód. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Przycisk NO (przycisk normalnie rozwarty)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, przycisk zamyka obwód. W przeciwnym razie przycisk otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

PUT (tyrystor PUT)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach na sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Stały prąd podtrzymania (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas załączania (w sekundach).
TQ	Czas wyłączania (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie anoda–katoda w stanie przewodzenia (w woltach).

PWM (generator modulacji szerokości impulsu)

Nazwa parametru	Opis
MODFREQ	Częstotliwość przebiegu modulującego (w hercach).
MODHIGH	Górny poziom napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
MODLOW	Dolny poziom napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
PWMHIGH	Górny poziom napięcia wyjściowego PWM (w woltach).
PWMLOW	Dolny poziom napięcia wyjściowego PWM (w woltach).

Generator PWM (generator modulacji szerokości impulsu)

Nazwa parametru	Opis
MODFREQ	Częstotliwość przebiegu modulującego (w hercach).
MODHIGH	Górny poziom napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
MODLOW	Dolny poziom napięcia przebiegu modulującego (w woltach).
PWMHIGH	Górny poziom napięcia wyjściowego PWM (w woltach).
PWMLOW	Dolny poziom napięcia wyjściowego PWM (w woltach).

QAM (generator kwadraturowej modulacji amplitudy)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość nośna (w hercach).

Rezystor

Nazwa parametru	Opis
DTEMP	Różnica temperatury pracy elementu (w °C).
TC	Rozdzielona przecinkami lista współczynników wielomianu określających zależność rezystancji od temperatury. Na przykład, gdy podane są cztery współczynniki wielomianu (`a, b, c, d`), rezystancja `R` wynosi: `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, gdzie `R0` to rezystancja w temperaturze nominalnej, a `dt` to różnica między temperaturą rezystora a temperaturą nominalną. Należy pamiętać, że zdefiniowane parametry `TC1` i `TC2` mają pierwszeństwo przed parametrem `TC`. Aby użyć parametru `TC`, usuń wartości `TC1` i `TC2`.
TC1	Współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu.
TC2	Współczynnik temperaturowy drugiego rzędu.
TEMP	Temperatura pracy elementu (w °C).
Wartość	Wartość rezystancji (w omach).

Należy pamiętać, że parametr T_REL_LOCAL nie jest używany w tym elemencie.

Rezonator

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
Lin	Wartość indukcyjności (w henrach).
Q0	Dobroć.

SCR (tyrystor SCR)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach na sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Stały prąd podtrzymania (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas załączania (w sekundach).
TQ	Czas wyłączania (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie anoda–katoda w stanie przewodzenia (w woltach).

Dioda Schottky’ego

Patrz sekcja 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Układ gasikowy

Nazwa parametru	Opis
CSNUB	Wartość pojemności równoległej (w faradach).
RSNUB	Wartość rezystancji równoległej (w omach).

Sparkgap (iskiernik)

Nazwa parametru	Opis
CARC	Pojemność łuku (w faradach).
CPAR	Pojemność szczeliny (w faradach).
ISUS	Prąd podtrzymania, poniżej którego łuk gaśnie (w amperach).
LPL	Indukcyjność wyprowadzeń (w henrach).
RNEG	Ujemna rezystancja po zapłonie (w omach).
RPL	Straty strumienia związane z LPL (w omach).
VARC	Napięcie na iskierniku po zapłonie (w woltach).
VTHRES	Napięcie zapłonu iskiernika (w woltach).

Przekaźnik SPDT (jednobiegunowy przekaźnik przełączny)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu załączenia (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie załączenia (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

Przełącznik SPDT (jednobiegunowy przełącznik dwupozycyjny)

Nazwa parametru	Opis
nodeUP_closed	Jeśli nodeUP_closed > 0, przełącznik zamyka obwód w pozycji górnej. W przeciwnym razie przełącznik zamyka obwód w pozycji dolnej.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Przekaźnik SPST NC (przekaźnik jednobiegunowy, jednopozycyjny, normalnie zamknięty)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu włączenia (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

Przekaźnik SPST NO (przekaźnik jednobiegunowy, jednopozycyjny, normalnie otwarty)

Nazwa parametru	Opis
IOFF	Prąd sterujący dla stanu wyłączenia (w amperach).
ION	Prąd sterujący dla stanu włączenia (w amperach).
L_C	Indukcyjność cewki (w henrach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
R_C	Rezystancja cewki (w omach).

Łącznik SPST (łącznik jednobiegunowy, jednopozycyjny)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, łącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie łącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Przerzutnik SR

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną sygnałami wejściowymi, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną sygnałami wejściowymi, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału set (w sekundach).
set_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).
sr_load_inst	Pojemności obciążenia wejść set/reset (w faradach).

Zatrzask SR (cyfrowy zatrzask SR)

Nazwa parametru	Opis
enable_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału enable (w sekundach).
enable_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia enable (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną sygnałami wejściowymi, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału RESET (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą stanu wewnętrznego modelu, wywołaną sygnałami wejściowymi, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału SET (w sekundach).
set_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).
sr_delay_inst	Opóźnienie względem zmiany na wejściu s lub r (w sekundach).
sr_load_inst	Pojemności obciążenia wejść s & r (w faradach).

Silnik krokowy

Nazwa parametru	Opis
HARDNESS	Bezwymiarowy współczynnik określający sztywność ogranicznika ruchu.
JLOAD	Moment bezwładności wału silnika (w kg * m²).
JMOTOR	Moment bezwładności obciążenia silnika (w kg * m²).
K	Stała silnika (w V * s / rad).
KD	Moment tłumiący (w N * m / (rad * s)).
LIMIT	Położenie sztywnego ogranicznika ruchu (w radianach).
LS	Indukcyjność cewki stojana (w henrach).
RS	Rezystancja cewki stojana (w omach).
STEP_ANGLE	Kąt jednego pełnego kroku (w stopniach).
TD	Moment zaczepowy (w N * m).
TLOAD	Moment obciążenia (w N * m).

Dwukierunkowy ogranicznik przepięć

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w podręczniku użytkownika Ngspice.

Jednokierunkowy ogranicznik przepięć

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w podręczniku użytkownika Ngspice.

Łącznik NC (łącznik normalnie zamknięty)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, łącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie łącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Łącznik NO (łącznik normalnie otwarty)

Nazwa parametru	Opis
closed	Jeśli closed > 0, łącznik zamyka obwód. W przeciwnym razie łącznik otwiera obwód.
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).

Kondensator przełączany

Nazwa parametru	Opis
CVALUE	Wartość pojemności (w faradach).
FSAMPLE	Częstotliwość przełączania (w hercach).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).

Przerzutnik T (cyfrowy przerzutnik T)

Nazwa parametru	Opis
clk_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału clk (w sekundach).
clk_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia clk (w faradach).
fall_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą wewnętrznego stanu modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na zero logiczne (w sekundach).
reset_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału reset (w sekundach).
reset_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia reset (w faradach).
rise_delay_inst	Czas opóźnienia między zmianą wewnętrznego stanu modelu, wywołaną przez jego wejścia, a zmianą stanu wyjścia na jedynkę logiczną (w sekundach).
set_delay_inst	Opóźnienie względem sygnału set (w sekundach).
set_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia set (w faradach).
t_load_inst	Pojemność obciążenia wejścia przełączającego T (w faradach).

Tetroda

Nazwa parametru	Opis
CCG	Pojemność wejściowa (między siatką 1 a katodą) (w faradach).
CCP	Pojemność wyjściowa (między anodą a katodą) (w faradach).
CPG1	Pojemność Millera (między siatką 1 a anodą) (w faradach).
EX	Wykładnik.
KG1	Parametr odwrotnie proporcjonalny do całkowitego prądu anody.
KG2	Odwrotność czułości prądu siatki ekranującej.
KP	Parametr wpływający na prądy anody przy wysokich napięciach anodowych i dużych ujemnych napięciach siatki.
KVB	Parametry kolana charakterystyki (w woltach).
MU	Współczynnik wzmocnienia.
RGI	Rezystancja między siatką a katodą (w omach).

Przełącznik sterowany czasem

Nazwa parametru	Opis
Rclosed	Rezystancja w stanie zamkniętym (w omach).
Ropen	Rezystancja w stanie otwartym (w omach).
tSwitch	Czas, w którym przełącznik rozpoczyna przełączanie (w sekundach).
ttran	Czas wymagany do zmiany stanu (w sekundach). Wartość ta musi być realistyczna i różna od 0.

Bezstratna linia transmisyjna

Nazwa parametru	Opis
Impedancja charakterystyczna	Impedancja charakterystyczna (w omach).
Częstotliwość	Częstotliwość (w hercach).
Prąd początkowy 1	Prąd w chwili zerowej w porcie 1 linii transmisyjnej (w amperach).
Prąd początkowy 2	Prąd w chwili zerowej w porcie 2 linii transmisyjnej (w amperach).
Napięcie początkowe 1	Napięcie w chwili zerowej w porcie 1 linii transmisyjnej (w woltach).
Napięcie początkowe 2	Napięcie w chwili zerowej w porcie 2 linii transmisyjnej (w woltach).
Długość znormalizowana	Długość elektryczna linii transmisyjnej znormalizowana względem długości fali w linii przy określonej częstotliwości.
Opóźnienie transmisji	Opóźnienie transmisji (w sekundach).

Transformator idealny

Nazwa parametru	Opis
GAIN	Wzmocnienie napięciowe.

Transformator szerokopasmowy

Nazwa parametru	Opis
FH	Górna częstotliwość graniczna (w hercach).
FL	Dolna częstotliwość graniczna (w hercach).
N	Liczba zwojów.
RS	Rezystancja szeregowa uzwojenia pierwotnego (w omach).

Transformator idealny z odczepem środkowym

Nazwa parametru	Opis
L1	Indukcyjność uzwojenia pierwotnego (w henrach).
L2	Indukcyjność uzwojenia wtórnego 1 (w henrach).
L3	Indukcyjność uzwojenia wtórnego 2 (w henrach).

TRIAC (tyrystor dwukierunkowy)

Nazwa parametru	Opis
DVDT	Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (w woltach na sekundę).
IGT	Prąd wyzwalania bramki (w amperach).
IH	Stały prąd podtrzymania (w amperach).
K1	Współczynnik korekcyjny dla DVDT.
K2	Współczynnik korekcyjny dla TQ.
TON	Czas włączania (w sekundach).
TQ	Czas wyłączania (w sekundach).
VDRM	Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie w stanie blokowania (w woltach).
VTMIN	Minimalne napięcie między anodą a katodą w stanie przewodzenia (w woltach).

Trioda

Nazwa parametru	Opis
CGC	Pojemność między siatką a katodą (w faradach).
CGP	Pojemność między siatką a anodą (w faradach).
CPC	Pojemność między anodą a katodą (w faradach).
K	Stała lampy k.
MU	Stała lampy mu.

Dioda pojemnościowa

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w podręczniku użytkownika Ngspice.

VCCS (źródło prądowe sterowane napięciem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Transkonduktancja (w simensach).

VCCS_Expr (źródło prądowe sterowane napięciem z dowolnym wyrażeniem)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

VCCS_Poly (źródło prądowe sterowane napięciem z funkcją SPICE POLY)

Nazwa parametru	Opis
Lista współczynników	Współczynniki wielomianu.
Nazwy węzłów	Zestaw napięć sterujących.
Stopień	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba par węzłów sterujących musi być równa liczbie wymiarów.

VCCS_Table (źródło prądowe sterowane napięciem z funkcją tabelaryczną)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie zwracające wartość x, na podstawie której generowana jest odpowiadająca jej wartość y zgodnie z parami wartości w tabeli, przy użyciu interpolacji liniowej.
Tabela	Pary wartości.

VCO (generator sterowany napięciem)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
KF	Czułość (w Hz/V).
VP	Amplituda (w woltach).

VCO Square (generator przebiegu prostokątnego sterowany napięciem)

Nazwa parametru	Opis
F0	Częstotliwość środkowa (w hercach).
KF	Czułość (w Hz/V).
VH	Szczytowa wartość wyjściowa w stanie wysokim (w woltach).
VL	Szczytowa wartość wyjściowa w stanie niskim (w woltach).

VCSW_Hysteresis (przełącznik sterowany napięciem z histerezą)

Nazwa parametru	Opis
Warunek początkowy	Stan początkowy przełącznika: rozwarty (OFF) lub zwarty (ON).
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
VH	Napięcie histerezy (w woltach).
VT	Napięcie progowe (w woltach).

VCSW_Smooth_Trans (przełącznik sterowany napięciem z płynnym przejściem)

Nazwa parametru	Opis
ROFF	Rezystancja w stanie wyłączenia (w omach).
RON	Rezystancja w stanie włączenia (w omach).
VOFF	Napięcie sterujące dla stanu wyłączenia (w woltach).
VON	Napięcie sterujące dla stanu włączenia (w woltach).

VCVS (źródło napięciowe sterowane napięciem)

Nazwa parametru	Opis
Wzmocnienie	Wzmocnienie napięciowe.

VCVS_Expr (źródło napięciowe sterowane napięciem z dowolnym wyrażeniem)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie definiujące przebieg źródła.

VCVS_Poly (źródło napięciowe sterowane napięciem z funkcją SPICE POLY)

Nazwa parametru	Opis
Lista współczynników	Współczynniki wielomianu.
Nazwy węzłów	Zestaw napięć sterujących.
Rząd	Liczba wymiarów wielomianu. Liczba par węzłów sterujących musi być równa liczbie wymiarów.

VCVS_Table (źródło napięciowe sterowane napięciem z funkcją tabelaryczną)

Nazwa parametru	Opis
Wyrażenie	Wyrażenie zwracające wartość x, na podstawie której generowana jest odpowiadająca jej wartość y zgodnie z parami wartości w tabeli, przy użyciu interpolacji liniowej.
Tabela	Pary wartości.

Różnica napięć

Brak parametrów

Mnożnik napięć

Brak parametrów

Suma napięć (sumator napięć)

Brak parametrów

VSRC (źródło napięciowe)

Zobacz Weryfikacja i przygotowanie projektu do symulacji – Dodawanie i konfigurowanie źródła symulacyjnego.

Dioda Zenera

Zobacz sekcję 7.1 Junction Diodes w Podręczniku użytkownika Ngspice.

Wersja do wydruku

Tłumaczenie SI

Jeśli znajdziesz błąd, zaznacz tekst/obraz i naciśnij Ctrl + Enter aby wysłać nam wiadomość.

Dostępność funkcji

Dostępne funkcje zależą od tego, z którego rozwiązania Altium korzystasz – Altium Develop, Altium Agile Teams, Altium Agile Enterprise lub Altium Designer (w ramach aktywnej subskrypcji terminowej).

Jeśli opisana funkcja nie jest widoczna w Twoim oprogramowaniu, skontaktuj się z działem sprzedaży Altium, aby dowiedzieć się więcej.

Starsza dokumentacja

Dokumentacja Altium Designer nie jest już wersjonowana. Jeśli potrzebujesz dostępu do dokumentacji dla starszych wersji Altium Designer, odwiedź sekcję Starsza dokumentacja na stronie Inne instalatory.

Simulation Generic Components

W skrócie

Uniwersalne komponenty symulacyjne

Contents

Contents