Simulation Generic Components

.IC (Initial Condition)

Nom du paramètre	Description
Tension initiale	Amplitude de la tension du nœud (en volts).

.NS (Node Set)

Nom du paramètre	Description
Tension initiale	Amplitude de la tension du nœud (en volts).

3 Phase Delta (3-Phase Delta Voltage Source)

Nom du paramètre	Description
FREQ	Fréquence (en hertz).
V_RMS	Tension efficace (RMS) (en volts).

3 Phase Wye (3-Phase Wye Voltage Source)

Nom du paramètre	Description
FREQ	Fréquence (en hertz).
V_RMS	Tension efficace (RMS) (en volts).

3PDT (Triple-Pole, Double-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, le commutateur ferme les circuits en position haute. Sinon, le commutateur ferme les circuits en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

3PST (Triple-Pole, Single-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le commutateur ferme les circuits. Sinon, le commutateur ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

555 (Timer 555)

Aucun paramètre présent

AC Current Source

Nom du paramètre	Description
Amp	Amplitude de crête de la sinusoïde (en ampères).
DC	Courant de décalage continu du générateur de signal (en ampères).
Freq	Fréquence du courant de sortie sinusoïdal (en hertz).
Phase	Déphasage de la sinusoïde à l’instant zéro (en degrés).

AC Motor

Nom du paramètre	Description
J	Moment d’inertie (en kg * m²).
K	Facteur de couplage.
LR	Inductance de fuite du rotor (en henrys).
LS	Inductance de fuite du stator (en henrys).
NP	Nombre de pôles.
RR	Résistance du rotor (en ohms).
RS	Résistance du stator (en ohms).

AC Voltage Source

Nom du paramètre	Description
Amp	Amplitude de crête de la sinusoïde (en volts).
Cpar	Capacité parallèle (en farads).
DC	Tension de décalage continu du générateur de signal (en volts).
Freq	Fréquence de la tension de sortie sinusoïdale (en hertz).
Phase	Déphasage de la sinusoïde à l’instant zéro (en degrés).
Rser	Résistance série (en ohms).

AM (Amplitude Modulator Voltage Source)

Nom du paramètre	Description
FC	Fréquence porteuse (en hertz).
KA	Sensibilité d’amplitude.
OFFSET	Décalage continu du générateur de signal (en volts).
VC	Amplitude de la porteuse (en volts).

AtoD (AtoD Bridge)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
in_high_inst	Entrée analogique minimale de valeur 1 (en volts).
in_low_inst	Entrée analogique maximale de valeur 0 (en volts).
rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).

Battery (Constant Voltage Source)

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité parallèle (en farads).
DC Magnitude	Valeur de tension continue (en volts).
RSER	Résistance série (en ohms).

BJT NPN 4 GP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 MGP (Bipolar NPN 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT NPN 4 VBIC (Bipolar NPN 4 Pins Transistor VBIC Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du Ngspice User’s Manual.

BJT NPN VBIC (Bipolar NPN 3 Pins Transistor VBIC Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_GP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT NPN_MGP (Bipolar NPN 3 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 GP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 MGP (Bipolar PNP 4 Pins Transistor Modified Version of the Gummel-Poon Model)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP 4 VBIC (Transistor bipolaire PNP 4 broches modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP GP (Transistor bipolaire PNP 3 broches modèle Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP MGP (Transistor bipolaire PNP 3 broches version modifiée du modèle Gummel-Poon)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

BJT PNP VBIC (Transistor bipolaire PNP 3 broches modèle VBIC)

Reportez-vous aux sections 8.2.2 VBIC Model et 31.5.2 VBIC - Vertical Bipolar Inter-Company Model du Ngspice User’s Manual.

Pont redresseur (Pont redresseur à quatre diodes)

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du Ngspice User’s Manual.

Condensateur

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité parallèle équivalente (en farads).
LSER	Inductance série équivalente (en henrys).
RLSHUNT	Résistance de shunt aux bornes de LSER (en ohms).
RPAR	Résistance parallèle équivalente (en ohms).
RSER	Résistance série équivalente (en ohms).
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Value	Valeur de la capacité (en farads).

Le circuit équivalent d’un condensateur.

CCCS (Source de courant commandée par courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en courant.
Voltage Source Name	Nom d’une source de tension à travers laquelle circule le courant de commande.

CCCS_4pins (Source de courant commandée par courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en courant.

CCCS_Expr (Source de courant commandée par courant avec une expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

CCCS_Poly (Source de courant commandée par courant avec fonction SPICE POLY)

Nom du paramètre	Description
Coefficients List	Coefficients du polynôme.
Order	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de sources de commande doit être égal au nombre de dimensions.
Voltage Source Names	Sources de tension de commande. La variable de commande est le courant traversant ces sources.

CCCS_Table (Source de courant commandée par courant avec fonction Table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur x, utilisée pour générer une valeur y correspondante selon les paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

CCSW_Hysteresis (Interrupteur commandé par courant avec hystérésis)

Nom du paramètre	Description
IH	Courant d’hystérésis (en ampères).
Initial Condition	État initial de l’interrupteur, soit ouvert (OFF), soit fermé (ON).
IT	Courant de seuil (en ampères).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).

CCSW_Smooth_Trans (Interrupteur commandé par courant avec transition douce)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).

CCVS (Source de tension commandée par courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transrésistance (en ohms).
Voltage Source Name	Nom d’une source de tension à travers laquelle circule le courant de commande.

CCVS_4pins (Source de tension commandée par courant)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transrésistance (en ohms).

CCVS_Expr (Source de tension commandée par courant avec une expression arbitraire)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

CCVS_Poly (Source de tension commandée par courant avec fonction SPICE POLY)

Nom du paramètre	Description
Coefficients List	Coefficients du polynôme.
Order	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de sources de commande doit être égal au nombre de dimensions.
Voltage Source Names	Sources de tension de commande. La variable de commande est le courant traversant ces sources.

CCVS_Table (Source de tension commandée par courant avec fonction Table)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur x, utilisée pour générer une valeur y correspondante selon les paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

Comparateur (Comparateur idéal)

Nom du paramètre	Description
VHIGH	Limite supérieure de sortie (en volts).
VHYS	Largeur d’hystérésis (en volts).
VLOW	Limite inférieure de sortie (en volts).

Inductances couplées (Paire d’inductances couplées)

Nom du paramètre	Description
Coupling_Factor	Coefficient de couplage, doit être supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1.
L1	Inductance de la 1re inductance discrète (en henrys).
L2	Inductance de la 2e inductance discrète (en henrys).

Quartz

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence de sortie nominale du quartz (en hertz).
Q	Facteur de qualité du modèle de circuit électrique équivalent du quartz.
R	Résistance présentée par le quartz à la fréquence de résonance série (en ohms).

Bascule D

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Délai depuis clk (en secondes).
clk_load_inst	Valeur de charge de clk (en farads).
data_load_inst	Valeur de charge des données (en farads).
fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
reset_delay_inst	Délai depuis reset (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).
set_delay_inst	Délai depuis set (en secondes).
set_load	Valeur de charge de set (en farads).

Verrou D (Verrou D numérique)

Nom du paramètre	Description
data_delay_inst	Délai depuis data (en secondes).
data_load_inst	Charge des données (en farads).
enable_delay_inst	Délai depuis enable (en secondes).
enable_load_inst	Valeur de charge de enable (en farads).
fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
reset_delay_inst	Délai depuis RESET (en secondes).
reset_load_inst	Charge de réinitialisation (en farads).
rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).
set_delay_inst	Délai depuis SET (en secondes).
set_load_inst	Valeur de charge de mise à 1 (en farads).

Darlington BJT NPN (Darlington NPN Bipolar Transistor)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

Darlington BJT PNP (Darlington PNP Bipolar Transistor)

Reportez-vous aux sections 8.2.1 Gummel-Poon Models et 31.5.1 BJT - Bipolar Junction Transistor du Ngspice User’s Manual.

DC Current Source

Nom du paramètre	Description
DC	Amplitude du courant de la source (en ampères).

DC Motor

Nom du paramètre	Description
BM	Frottement visqueux (en N * m / (rad * s)).
JM	Moment d’inertie (en kg * m²).
KE	Constante de force contre-électromotrice (en V * s / rad).
KT	Constante de couple (en N * m / A).
LA	Inductance d’induit (en henrys).
RA	Résistance d’induit (en ohms).
TL	Couple de charge (en N * m).

Delay Line

Nom du paramètre	Description
DELAY	Temps de retard (en secondes).

DIAC (DIAC Thyristor)

Nom du paramètre	Description
RS	Résistance série (en ohms).
VK	Tension de claquage (en volts).

Digital 0 (Digital Zero Generator)

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
adc_rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).

Digital 1 (Digital One Generator)

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
adc_rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).

Digital AND (Digital AND Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital Buff (Digital Buffers)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital Clock

Nom du paramètre	Description
adc_fall_delay_inst	Délai de descente (en secondes).
adc_in_high_inst	Entrée analogique minimale de valeur 1 (en volts).
adc_in_low_inst	Entrée analogique maximale de valeur 0 (en volts).
adc_rise_delay_inst	Délai de montée (en secondes).
period	Période (en secondes).
phase	Phase du signal d’impulsion (en degrés).
pwidth	Largeur d’impulsion (en secondes).
tdelay	Temps de retard (en secondes).
tfall	Temps de descente (en secondes).
trise	Temps de montée (en secondes).
vhigh	Valeur impulsionnelle (en volts).
vlow	Valeur initiale (en volts).

Digital Inverter

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital NAND (Digital NAND Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital NOR (Digital NOR Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital NOT (Digital NOT Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital OR (Digital OR Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital XNOR (Digital XNOR Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers un un numérique (en secondes).

Digital XOR (Digital XOR Gate)

Nom du paramètre	Description
fall_delay_inst	Temps de retard entre une modification de l’état interne d’un modèle, pilotée par ses entrées, et un changement de la sortie vers le zéro numérique (en secondes).
input_load_inst	Capacité d’une ou de toutes les entrées numériques (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard entre une modification de l’état interne d’un modèle, pilotée par ses entrées, et un changement de la sortie vers le un numérique (en secondes).

Diode

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel utilisateur de Ngspice.

DPDT Relay (Double-Pole, Double-Throw Relay)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

DPDT SW (Double-Pole, Double-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
nodesUP_closed	Si nodesUP_closed > 0, le commutateur ferme les circuits en position haute. Sinon, le commutateur ferme les circuits en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

DPST Push Button (Double-Pole, Single-Throw Button)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme les circuits. Sinon, le bouton ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

DPST Relay (Double-Pole, Single-Throw Relay)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

DPST SW (Double-Pole, Single-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le commutateur ferme les circuits. Sinon, le commutateur ouvre les circuits.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

DtoA (DtoA Bridge)

Nom du paramètre	Description
input_load_inst	Charge d’entrée (en farads).
out_high_inst	Sortie analogique de valeur 1 (en volts).
out_low_inst	Sortie analogique de valeur 0 (en volts).
out_undef_inst	Sortie analogique de valeur indéfinie (en volts).
t_fall_inst	Temps de descente 1->0 (en secondes).
t_rise_inst	Temps de montée 0->1 (en secondes).

Dual Diode

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel utilisateur de Ngspice.

FSK (Frequency-Shift Keying Modulator)

Nom du paramètre	Description
NC0	Nombre de cycles de la forme d’onde de sortie qui se produiront pendant la durée d’un seul bit zéro de la forme d’onde d’entrée.
NC1	Nombre de cycles de la forme d’onde de sortie qui se produiront pendant la durée d’un seul bit un de la forme d’onde d’entrée.
TB	Durée d’un bit unique (en secondes).
WMAG	Amplitude de la forme d’onde de sortie (en volts).

Function Current Source (Functional Current Source)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

Functional Voltage Source

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

Fuse

Nom du paramètre	Description
CURRENT	Courant du fusible (en ampères).
RESISTANCE	Résistance interne (en ohms).

Gyrator

Nom du paramètre	Description
G	Conductance de gyration (en mhos).

Inductor

Nom du paramètre	Description
CPAR	Capacité parallèle équivalente (en farads).
DTEMP	Écart de température de fonctionnement du composant (en °C).
Initial Current	Courant à l’instant initial traversant l’inductance (en ampères).
M	Nombre d’unités en parallèle.
RPAR	Résistance parallèle équivalente (en ohms).
RSER	Résistance série équivalente (en ohms).
TC1	Coefficient de température du premier ordre.
TC2	Coefficient de température du second ordre.
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Value	Valeur de l’inductance (en henrys).

Notez que le paramètre T_REL_LOCAL n’est pas utilisé dans ce composant.

Le circuit équivalent d’une inductance.

ISRC (Current Source)

Reportez-vous à Vérification et préparation d’un projet pour la simulation – ajout et configuration d’une source de simulation.

JFET N-ch Level1 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Reportez-vous à la section 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification du manuel utilisateur de Ngspice.

JFET N-ch Level2 (N-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Reportez-vous à la section 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model du manuel utilisateur de Ngspice.

JFET P-ch Level1 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level1)

Reportez-vous à la section 9.2.2 JFET level 1 model with Parker Skellern modification du manuel utilisateur de Ngspice.

JFET P-ch Level2 (P-channel Junction gate Field-Effect Transistor Level2)

Reportez-vous à la section 9.2.3 JFET level 2 Parker Skellern model du manuel utilisateur de Ngspice.

JK Flip-Flop

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Retard depuis clk (en secondes).
clk_load_inst	Valeur de charge de clk (en farads).
fall_delay_inst	Temps de retard à la descente (en secondes).
jk_load_inst	Valeurs de charge J,K (en farads).
reset_delay_inst	retard depuis reset (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Temps de retard à la montée (en secondes).
set_delay_inst	Retard depuis set (en secondes).
set_load_inst	Valeur de charge de set (en farads).

DEL (diode électroluminescente)

Voir la section 7.1 Junction Diodes du manuel de l’utilisateur Ngspice.

Régulateur de tension linéaire (ajustable) (régulateur de tension positif ajustable)

Aucun paramètre présent

Régulateur de tension linéaire (fixe) (régulateur de tension positif fixe)

Nom du paramètre	Description
Av_feedback	Facteur de rétroaction Av* (Av_feedback = 1665 pour Vout = 5V (par défaut) ; Av_feedback = 694 pour Vout = 12V ; Av_feedback = 550 pour Vout = 15V).
R1_Value	Valeur de R1 (en ohms) (R1_Value = 1020 pour Vout = 5V (par défaut) ; R1_Value = 2448 pour Vout = 12V ; R1_Value = 3060 pour Vout = 15V).

MOSFET N-ch Lev1 (MOSFET MOS1 à canal N, modèle de Shichman et Hodges)

Voir les sections 11.2.1 MOS Level 1 et 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev2 (MOSFET à canal N MOS2, modèle de Grove-Frohman)

Voir les sections 11.2.2 MOS Level 2 et 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev3 (MOSFET à canal N, modèle MOS3)

Voir les sections 11.2.3 MOS Level 3 et 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev4 (MOSFET à canal N, modèle BSIM1)

Voir les sections 11.2.8 BSIM1 model (level 4) et 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev5 (MOSFET à canal N, modèle BSIM2)

Voir les sections 11.2.9 BSIM2 model (level 5) et 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev6 (MOSFET à canal N, modèle MOS6)

Voir les sections 11.2.4 MOS Level 6 et 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v0 v3.0)

Voir les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_1 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v1 v3.1)

Voir les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_2 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4)

Voir les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev8_3 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3v3 v3.3.0)

Voir les sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev9 (MOSFET à canal N, modèle MOS9)

Voir la section 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev10 (MOSFET à canal N, modèle BSIM4SOI v4.3.1)

Voir la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14 (MOSFET à canal N, modèle BSIM4v5 v4.0 - 4.5)

Voir les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_1 (MOSFET à canal N, modèle BSIM4v6 v4.6.5)

Voir les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_2 (MOSFET à canal N, modèle BSIM4v7 v4.7.0)

Voir les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev14_3 (MOSFET à canal N, modèle BSIM4v7 v4.7.0)

Voir les sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev55 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3SOI_FD)

Voir la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev56 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3SOI_DD)

Voir la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev57 (MOSFET à canal N, modèle BSIM3SOI_PD)

Voir la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev68 (MOSFET à canal N, modèle HISIM2 v2.8.0)

Voir la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73 (MOSFET à canal N, modèle HISIM_HV1 v1.2.4)

Voir la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch Lev73_1 (MOSFET à canal N, modèle HISIM_HV2 v2.2.0)

Voir la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET N-ch VDMOS (MOSFET de puissance à canal N, modèle VDMOS)

Voir la section 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET P-ch Lev1 (MOSFET MOS1 à canal P, modèle de Shichman et Hodges)

Voir les sections 11.2.1 MOS Level 1 et 31.6.1 MOS1 - Level 1 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET P-ch Lev2 (MOSFET à canal P MOS2, modèle de Grove-Frohman)

Voir les sections 11.2.2 MOS Level 2 et 31.6.2 MOS2 - Level 2 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel de l’utilisateur Ngspice.

MOSFET P-ch Lev3 (MOSFET à canal P, modèle MOS3)

Reportez-vous aux sections 11.2.3 MOS Level 3 et 31.6.3 MOS3 - Level 3 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev4 (P-channel MOSFET BSIM1 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.8 BSIM1 model (level 4) et 31.6.6 BSIM1 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev5 (P-channel MOSFET BSIM2 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.9 BSIM2 model (level 5) et 31.6.7 BSIM2 - Berkeley Short Channel IGFET Model du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev6 (P-channel MOSFET MOS6 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.4 MOS Level 6 et 31.6.4 MOS6 - Level 6 MOSFET model with Meyer capacitance model du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8 (P-channel MOSFET BSIM3v0 v3.0 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_1 (P-channel MOSFET BSIM3v1 v3.1 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_2 (P-channel MOSFET BSIM3v32 v3.2 - 3.2.4 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev8_3 (P-channel MOSFET BSIM3v3 v3.3.0 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.10 BSIM3 model (levels 8, 49) et 31.6.8 BSIM3 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev9 (P-channel MOSFET MOS9 Model)

Reportez-vous à la section 31.6.5 MOS9 - Modified Level 3 MOSFET model du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev10 (P-channel MOSFET BSIM4SOI v4.3.1 Model)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14 (P-channel MOSFET BSIM4v5 v4.0 - 4.5 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_1 (P-channel MOSFET BSIM4v6 v4.6.5 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_2 (P-channel MOSFET BSIM4v7 v4.7.0 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev14_3 (P-channel MOSFET BSIM4v8 v4.8.1 Model)

Reportez-vous aux sections 11.2.11 BSIM4 model (levels 14, 54) et 31.6.9 BSIM4 du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev55 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_FD Model)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev56 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_DD Model)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev57 (P-channel MOSFET BSIM3SOI_PD Model)

Reportez-vous à la section 11.2.14 BSIMSOI models (levels 10, 58, 55, 56, 57) du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev68 (P-channel MOSFET HISIM2 Model)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73 (P-channel MOSFET HISIM_HV1 v1.2.4 Model)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch Lev73_1 (P-channel MOSFET HISIM_HV2 v2.2.0 Model)

Reportez-vous à la section 11.2.16 HiSIM models of the University of Hiroshima du manuel utilisateur de Ngspice.

MOSFET P-ch VDMOS (P-channel Power MOSFET VDMOS Model)

Reportez-vous à la section 11.3 Power MOSFET model (VDMOS) du manuel utilisateur de Ngspice.

Mutual Inductance (Mutual Inductance with List of inductors)

Nom du paramètre	Description
Facteur de couplage	Coefficient de couplage.
Liste des inductances	Noms des inductances couplées.

OpAmp (Ideal Operational Amplifier)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

OpAmp with power terminals (Ideal Operational Amplifier)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

Pentode

Nom du paramètre	Description
CCG	Capacité d’entrée (grille 1 vers cathode) (en farads).
CCP	Capacité de sortie (plaque vers cathode) (en farads).
CPG1	Capacité Miller (grille 1 vers plaque) (en farads).
EX	Exposant.
KG1	Paramètre inversement proportionnel au courant global de plaque.
KG2	Sensibilité inverse du courant de grille écran.
KP	Paramètre qui affecte les courants de plaque pour des tensions de plaque élevées et des tensions de grille négatives importantes.
KVB	Paramètres de coude (en volts).
MU	Facteur d’amplification.
RGI	Résistance grille-cathode (en ohms).
VCT	Potentiel de contact (en volts).

Photodiode

Nom du paramètre	Description
BV	Tension de claquage inverse (en volts).
CJO	Capacité de jonction à polarisation nulle (en farads).
IS	Courant de saturation (en ampères)
N	Coefficient d’émission.
RESP	Sensibilité (en ampères / watt).
Rint	Résistance interne (en ohms).

PID Controller

Nom du paramètre	Description
KD	Valeur d’échelle dérivée.
KI	Valeur d’échelle intégrale.
KP	Valeur d’échelle proportionnelle.

Potentiometer

Nom du paramètre	Description
position	La position du curseur le long de la piste des résistances. La valeur peut être comprise entre 0 (complètement à gauche / sens antihoraire) et 1 (complètement à droite / sens horaire), 0,5 correspondant au point médian, avec une résistance égale des deux côtés.
value	Valeur de résistance maximale (en ohms).

PSK (Modulateur PSK à décalage de phase)

Nom du paramètre	Description
NC	Nombre de cycles de la forme d’onde de sortie qui se produiront pendant la durée d’un bit de la forme d’onde d’entrée.
TB	Durée d’un bit unique (en secondes).
WMAG	Amplitude de la forme d’onde de sortie (en volts).

PSPICE AND (porte logique ET PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE AND3 (porte logique ET trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE BUF (tampon numérique PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE BUF3 (tampon numérique trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE INV (inverseur numérique PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE INV3 (inverseur numérique trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NAND (porte logique NAND PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NAND3 (porte logique NAND trois états PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NOR (porte logique NOR PSPICE)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NOR3 (PSPICE tristate NOR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NXOR (PSPICE NXOR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE NXOR3 (PSPICE tristate NXOR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE OR (PSPICE OR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE OR3 (PSPICE tristate OR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE STIM (PSPICE digital stimulus generator)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

signal

Paires temps/valeur. Le premier nombre de chaque paire spécifie le temps (en secondes) de la nouvelle valeur (0, 1, X ou Z).

PSPICE XOR (PSPICE XOR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

PSPICE XOR3 (PSPICE tristate XOR logic gate)

Nom du paramètre

Description

IO_LEVEL

Définit le niveau de modèle de sous-circuit d’interface que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique connectée à une pièce analogique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = AtoD1 et DtoA1
2 = AtoD2 et DtoA2
3 = AtoD3 et DtoA3
4 = AtoD4 et DtoA4

MNTYMXDLY

Définit le niveau de délai de propagation numérique que le simulateur doit utiliser pour une pièce numérique :

0 = valeur par défaut du circuit
1 = minimum
2 = typique
3 = maximum
4 = pire cas (min/max)

Push Button NC (Push Button Normally Closed)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme le circuit. Sinon, le bouton ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Push Button NO (Push Button Normally Opened)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, le bouton ferme le circuit. Sinon, le bouton ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

PUT (PUT Thyristor)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Taux critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts / seconde).
IGT	Courant d’amorçage de gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien continu (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement pour DVDT.
K2	Facteur d’ajustement pour TQ.
TON	Temps d’activation (en secondes).
TQ	Temps de désactivation (en secondes).
VDRM	Tension de crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale anode-cathode à l’état passant (en volts).

PWM (Pulse Width Modulation Generator)

Nom du paramètre	Description
MODFREQ	Fréquence de la forme d’onde de modulation (en hertz).
MODHIGH	Valeur de tension haute de la forme d’onde de modulation (en volts).
MODLOW	Valeur de tension basse de la forme d’onde de modulation (en volts).
PWMHIGH	Valeur de tension haute de la sortie PWM (en volts).
PWMLOW	Valeur de tension basse de la sortie PWM (en volts).

PWM Generator (Pulse Width Modulation Generator)

Nom du paramètre	Description
MODFREQ	Fréquence de la forme d’onde de modulation (en hertz).
MODHIGH	Valeur de tension haute de la forme d’onde de modulation (en volts).
MODLOW	Valeur de tension basse de la forme d’onde de modulation (en volts).
PWMHIGH	Valeur de tension haute de la sortie PWM (en volts).
PWMLOW	Valeur de tension basse de la sortie PWM (en volts).

QAM (Quadrature Amplitude Modulation Generator)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence porteuse (en hertz).

Resistor

Nom du paramètre	Description
DTEMP	Différence de température de fonctionnement du composant (en °C).
TC	Liste séparée par des virgules des coefficients polynomiaux qui définissent la dépendance en température de la résistance. Par exemple, lorsque quatre coefficients polynomiaux sont donnés (`a, b, c, d`), la résistance `R` sera : `R = R0 * (1 + a * dt + b * dt² + c * dt³ + d * dt⁴)`, où `R0` est la résistance à la température nominale et `dt` est la différence entre la température de la résistance et la température nominale. Notez que, lorsqu’ils sont définis, les paramètres `TC1` et `TC2` remplacent le paramètre `TC`. Pour utiliser le paramètre `TC`, effacez les valeurs de `TC1` et `TC2`.
TC1	Coefficient de température du premier ordre.
TC2	Coefficient de température du second ordre.
TEMP	Température de fonctionnement du composant (en °C).
Value	Valeur de la résistance (en ohms).

Notez que le paramètre T_REL_LOCAL n’est pas utilisé dans ce composant.

Resonator

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
Lin	Valeur de l’inductance (en henrys).
Q0	Facteur de qualité.

SCR (SCR Thyristor)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Taux critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts / seconde).
IGT	Courant d’amorçage de gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien continu (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement pour DVDT.
K2	Facteur d’ajustement pour TQ.
TON	Temps d’activation (en secondes).
TQ	Temps de désactivation (en secondes).
VDRM	Tension de crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale anode-cathode à l’état passant (en volts).

Schottky Diode

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel utilisateur Ngspice.

Snubber

Nom du paramètre	Description
CSNUB	Valeur de la capacité parallèle (en farads).
RSNUB	Valeur de la résistance parallèle (en ohms).

Sparkgap (Spark Gap)

Nom du paramètre	Description
CARC	Capacité de l’arc (en farads).
CPAR	Capacité de l’entrefer (en farads).
ISUS	Courant de maintien en dessous duquel l’arc s’arrête (en ampères).
LPL	Inductance des connexions (en henrys).
RNEG	Résistance négative après amorçage (en ohms).
RPL	Perte de flux associée à LPL (en ohms).
VARC	Tension aux bornes de l’éclateur après amorçage (en volts).
VTHRES	Tension à laquelle l’éclateur s’amorce (en volts).

SPDT Relay (Single-Pole, Double-Throw Relay)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

SPDT SW (Single-Pole, Double-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
nodeUP_closed	Si nodeUP_closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit en position haute. Sinon, l’interrupteur ferme le circuit en position basse.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

SPST Relay NC (Single-Pole, Single-Throw Normally Closed Relay)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

SPST Relay NO (Single-Pole, Single-Throw Normally Opened Relay)

Nom du paramètre	Description
IOFF	Courant de commande pour l’état OFF (en ampères).
ION	Courant de commande pour l’état ON (en ampères).
L_C	Inductance de la bobine (en henrys).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
R_C	Résistance de la bobine (en ohms).

SPST SW (Single-Pole, Single-Throw Switch)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Bascule SR

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Délai à partir de clk (en secondes).
clk_load_inst	Valeur de charge de clk (en farads).
fall_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le zéro numérique (en secondes).
reset_delay_inst	Délai à partir de reset (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le un numérique (en secondes).
set_delay_inst	Délai à partir de set (en secondes).
set_load_inst	Valeur de charge de set (en farads).
sr_load_inst	Charges set/reset (en farads).

Latch SR (Latch SR numérique)

Nom du paramètre	Description
enable_delay_inst	Délai à partir de enable (en secondes).
enable_load_inst	Valeur de charge de enable (en farads).
fall_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le zéro numérique (en secondes).
reset_delay_inst	Délai à partir de RESET (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le un numérique (en secondes).
set_delay_inst	Délai à partir de SET (en secondes).
set_load_inst	Valeur de charge de set (en farads).
sr_delay_inst	Délai à partir d’un changement de l’entrée s ou r (en secondes).
sr_load_inst	Charges des entrées S et r (en farads).

Moteur pas à pas

Nom du paramètre	Description
HARDNESS	Facteur sans unité qui définit la dureté de la butée.
JLOAD	Inertie de rotation de l’arbre moteur (en kg * m²).
JMOTOR	Inertie de rotation de la charge du moteur (en kg * m²).
K	Constante du moteur (en V * s / rad).
KD	Couple d’amortissement (en N * m / (rad * s)).
LIMIT	Position de butée mécanique (en radians).
LS	Inductance de la bobine du stator (en henrys).
RS	Résistance de la bobine du stator (en ohms).
STEP_ANGLE	Largeur angulaire d’un pas complet (en degrés).
TD	Couple de détente (en N * m).
TLOAD	Couple de charge (en N * m).

Suppresseur double

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel utilisateur de Ngspice.

Suppresseur simple

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel utilisateur de Ngspice.

SW NC (interrupteur normalement fermé)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

SW NO (interrupteur normalement ouvert)

Nom du paramètre	Description
closed	Si closed > 0, l’interrupteur ferme le circuit. Sinon, l’interrupteur ouvre le circuit.
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).

Condensateur commuté

Nom du paramètre	Description
CVALUE	Valeur de la capacité (en farads).
FSAMPLE	Fréquence de commutation (en hertz).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).

Bascule T (bascule T numérique)

Nom du paramètre	Description
clk_delay_inst	Délai à partir de clk (en secondes).
clk_load_inst	Valeur de charge de clk (en farads).
fall_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le zéro numérique (en secondes).
reset_delay_inst	Délai à partir de reset (en secondes).
reset_load_inst	Charge de reset (en farads).
rise_delay_inst	Temps de délai entre un changement de l’état interne d’un modèle, piloté par ses entrées, et un changement de la sortie vers le un numérique (en secondes).
set_delay_inst	Délai à partir de set (en secondes).
set_load_inst	Valeur de charge de set (en farads).
t_load_inst	Valeur de charge de basculement (en farads).

Tétrode

Nom du paramètre	Description
CCG	Capacité d’entrée (grille 1 vers cathode) (en farads).
CCP	Capacité de sortie (plaque vers cathode) (en farads).
CPG1	Capacité de Miller (grille 1 vers plaque) (en farads).
EX	Exposant.
KG1	Paramètre inversement proportionnel au courant global de plaque.
KG2	Sensibilité inverse du courant de la grille écran.
KP	Paramètre qui affecte les courants de plaque pour des tensions de plaque élevées et des tensions de grille fortement négatives.
KVB	Paramètres de coude (en volts).
MU	Facteur d’amplification.
RGI	Résistance grille-cathode (en ohms).

SW commandé par le temps (interrupteur commandé par le temps)

Nom du paramètre	Description
Rclosed	Résistance à l’état fermé (en ohms).
Ropen	Résistance à l’état ouvert (en ohms).
tSwitch	Instant auquel l’interrupteur commence à commuter (en secondes).
ttran	Temps nécessaire pour commuter l’état (en secondes). Cette valeur doit être réaliste, et non égale à 0.

TL sans pertes (ligne de transmission sans pertes)

Nom du paramètre	Description
Char. Impedance	Impédance caractéristique (en ohms).
Frequency	Fréquence (en hertz).
Initial Current 1	Courant à l’instant initial au port 1 de la ligne de transmission (en ampères).
Initial Current 2	Courant à l’instant initial au port 2 de la ligne de transmission (en ampères).
Initial Voltage 1	Tension à l’instant initial au port 1 de la ligne de transmission (en volts).
Initial Voltage 2	Tension à l’instant initial au port 2 de la ligne de transmission (en volts).
Normalised Length	Longueur électrique normalisée de la ligne de transmission par rapport à la longueur d’onde dans la ligne, à la fréquence spécifiée.
Transmission Delay	Délai de transmission (en secondes).

Transformateur idéal (Ideal Transformer)

Nom du paramètre	Description
GAIN	Gain en tension.

Transformateur large bande (Wideband Transformer)

Nom du paramètre	Description
FH	Point de coupure haute fréquence (en hertz).
FL	Point de coupure basse fréquence (en hertz).
N	Nombre de spires.
RS	Résistance série primaire (en ohms).

Transformateur idéal avec prise médiane (Ideal Transformer With Central Tap)

Nom du paramètre	Description
L1	Inductance primaire (en henrys).
L2	Inductance secondaire 1 (en henrys).
L3	Inductance secondaire 2 (en henrys).

TRIAC (TRIAC Thyristor)

Nom du paramètre	Description
DVDT	Taux critique de montée de la tension à l’état bloqué (en volts / seconde).
IGT	Courant de déclenchement de gâchette (en ampères).
IH	Courant de maintien CC (en ampères).
K1	Facteur d’ajustement pour DVDT.
K2	Facteur d’ajustement pour TQ.
TON	Temps d’activation (en secondes).
TQ	Temps de désactivation (en secondes).
VDRM	Tension crête répétitive maximale à l’état bloqué (en volts).
VTMIN	Tension minimale anode-cathode à l’état passant (en volts).

Triode

Nom du paramètre	Description
CGC	Capacité grille-cathode (en farads).
CGP	Capacité grille-plaque (en farads).
CPC	Capacité plaque-cathode (en farads).
K	Constante k du tube.
MU	Constante mu du tube.

Varactor

Reportez-vous à la section 7.1 Junction Diodes du manuel de l’utilisateur Ngspice.

VCCS (Voltage Controlled Current Source)

Nom du paramètre	Description
Gain	Transconductance (en mhos).

VCCS_Expr (Voltage Controlled Current Source with an Arbitrary Expression)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

VCCS_Poly (Voltage Controlled Current Source with SPICE POLY function)

Nom du paramètre	Description
Coefficients List	Coefficients polynomiaux.
Node Names	Ensemble des tensions de commande.
Order	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de paires de nœuds de commande doit être égal au nombre de dimensions.

VCCS_Table (Voltage Controlled Current Source with Table function)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur x, utilisée pour générer une valeur y correspondante selon les paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.

VCO (Voltage Controlled Oscillator)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
KF	Sensibilité (en Hz/V).
VP	Amplitude (en volts).

VCO Square (Voltage Controlled Square Wave Oscillator)

Nom du paramètre	Description
F0	Fréquence centrale (en hertz).
KF	Sensibilité (en Hz/V).
VH	Valeur haute de crête en sortie (en volts).
VL	Valeur basse de crête en sortie (en volts).

VCSW_Hysteresis (Voltage Controlled Switch with Hysteresis)

Nom du paramètre	Description
Initial Condition	État initial du commutateur, soit ouvert (OFF), soit fermé (ON).
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
VH	Tension d’hystérésis (en volts).
VT	Tension de seuil (en volts).

VCSW_Smooth_Trans (Voltage Controlled Switch with Smooth Transition)

Nom du paramètre	Description
ROFF	Résistance à l’état OFF (en ohms).
RON	Résistance à l’état ON (en ohms).
VOFF	Tension de commande pour l’état OFF (en volts).
VON	Tension de commande pour l’état ON (en volts).

VCVS (Voltage Controlled Voltage Source)

Nom du paramètre	Description
Gain	Gain en tension.

VCVS_Expr (Voltage Controlled Voltage Source with an Arbitrary Expression)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression définissant la forme d’onde de la source.

VCVS_Poly (Voltage Controlled Voltage Source with SPICE POLY function)

Nom du paramètre	Description
Coefficients List	Coefficients polynomiaux.
Node Names	Ensemble des tensions de commande.
Order	Nombre de dimensions du polynôme. Le nombre de paires de nœuds de commande doit être égal au nombre de dimensions.

VCVS_Table (Voltage Controlled Voltage Source with Table function)

Nom du paramètre	Description
Expression	Expression fournissant la valeur x, utilisée pour générer une valeur y correspondante selon les paires de valeurs tabulées, par interpolation linéaire.
Table	Paires de valeurs.